基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器

    公开(公告)号:CN107131819B

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN201710438107.8

    申请日:2017-06-12

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器,包括键合基板、位移敏感体、铁磁性薄膜和隧道磁敏电阻,位移敏感体由位移敏感体框体、敏感质量块及回折梁构成,位移敏感体框体固定在键合基板上,敏感质量块置于位移敏感体框体内,通过回折梁与位移敏感体框体连接,敏感质量块上表面固定有铁磁性薄膜,键合基板上表面设有与铁磁性薄膜位置对应的隧道磁敏电阻。本发明的单轴微机械位移传感器采用整体结构设计,将位移传感器集成制作于同一框体上,可将微机械位移传感器的灵敏度提高1~2个数量级。

    衰减器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109935948A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201711377865.X

    申请日:2017-12-19

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明为一种衰减器,涉及衰减器领域。为解决现有技术对信号衰减的梯度较少而发明,其中包括:3个衰减单元,衰减单元之间串联连接;其中,衰减单元中的第一射频微机电系统开关、第一转角模块、电阻模块、第二转角模块与第二射频微机电系统开关通过共面波导传输线依次串联连接,形成第一支路;衰减单元中的第三射频微机电系统开关、第三转角模块、第四转角模块以及第四射频微机电系统开关通过共面波导传输线依次串联连接,形成第二支路;第一支路第一端与第二支路第一端连接,作为衰减单元的信号输入端;第一支路第二端与第二支路第二端连接,作为衰减单元的信号输出端。本发明用于对信号进行衰减。

    一种基于电容效应和隧道效应的复合式加速度计

    公开(公告)号:CN103543292B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201310547838.8

    申请日:2013-11-06

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电容效应和隧道效应的复合式加速度计,包括:键合基板、垫衬框体、支撑框体、悬臂梁、质量块、质量块下表面中心设置有隧尖。本发明的有益效果在于采用电容检测与隧道效应检测集成的方式,兼具电容检测与隧道检测的优点,可实现加速度的低检测阈值、宽范围、高灵敏检测;同时可用于已知加速度值环境的加速度精确测量,采用一体化设计,结构合理,灵敏度高,检测电路简单,使用方便、可靠性好、适合微型化。

    一种手写轨迹信息获取方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110647282A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910883816.6

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种手写轨迹信息获取方法,是通过手写感知系统向电子笔处理器提供笔杆沿横滚、俯仰、航向轴的线加速度和角速度信息,处理器根据方向余弦矩阵微分方程式便可以实时地计算出载体坐标系和地理坐标系的方向余弦矩阵的一阶微分矩阵,以起笔前惯导的惯性信息作为初始条件,计算出两坐标系之间相互转化的方向余弦矩阵,通过这个矩阵的计算就可以实时地获取载体的姿态信息。本发明脱离了手写板的约束,能在任意的地方比如空中、桌面、纸张等书写,将会对手写输入技术起到很大的推动作用。

    基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器

    公开(公告)号:CN107131819A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710438107.8

    申请日:2017-06-12

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: G01B7/02

    Abstract: 一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器,包括键合基板、位移敏感体、铁磁性薄膜和隧道磁敏电阻,位移敏感体由位移敏感体框体、敏感质量块及回折梁构成,位移敏感体框体固定在键合基板上,敏感质量块置于位移敏感体框体内,通过回折梁与位移敏感体框体连接,敏感质量块上表面固定有铁磁性薄膜,键合基板上表面设有与铁磁性薄膜位置对应的隧道磁敏电阻。本发明的单轴微机械位移传感器采用整体结构设计,将位移传感器集成制作于同一框体上,可将微机械位移传感器的灵敏度提高1~2个数量级。

    一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器

    公开(公告)号:CN206905691U

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201720676739.3

    申请日:2017-06-12

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器,包括键合基板、位移敏感体、铁磁性薄膜和隧道磁敏电阻,位移敏感体由位移敏感体框体、敏感质量块及回折梁构成,位移敏感体框体固定在键合基板上,敏感质量块置于位移敏感体框体内,通过回折梁与位移敏感体框体连接,敏感质量块上表面固定有铁磁性薄膜,键合基板上表面设有与铁磁性薄膜位置对应的隧道磁敏电阻。本实用新型的单轴微机械位移传感器采用整体结构设计,将位移传感器集成制作于同一框体上,可将微机械位移传感器的灵敏度提高1~2个数量级。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    衰减器补偿装置及衰减器

    公开(公告)号:CN208014876U

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201721789201.X

    申请日:2017-12-19

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本实用新型是一种衰减器补偿装置及衰减器,涉及衰减器领域。为解决现有的衰减器进行工作时受到共振噪声影响而发明,其中衰减器补偿装置包括:2个T型单元及4个转角单元,其中,T型单元包括三个接触端,T型单元的第一接触端与衰减器外部的共面波导传输线连接,T型单元的第二接触端、第三接触端分别通过衰减器内部的共面波导传输线与转角单元的第一接触端连接,转角单元的第二接触端之间通过衰减器内部的共面波导传输线连接;T型单元的单位长度的电阻值高于共面波导传输线的单位长度的电阻值;转角单元的单位长度的电阻值高于共面波导传输线的单位长度的电阻值。本实用新型为对衰减器进行补偿的装置。

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