公开(公告)号：CN101515580B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910043000.9

申请日：2009-03-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  石之杰 ,  郑旭强 ,  刘福 ,  黄迪辉

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Si3N4阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。

公开(公告)号：CN101515580A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910043000.9

申请日：2009-03-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 周继承 ,  石之杰 ,  郑旭强 ,  刘福 ,  黄迪辉

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Si3N4阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。