公开(公告)号：CN119789642A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411964784.X

申请日：2024-12-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  林超宇 ,  林蕴 ,  冯佩

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/814 ,  H10H20/812 ,  H10H20/831 ,  H10H20/833 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种基于ITO台肩结构的Micro‑RCLED器件及其制备方法，其中器件包括由下至上依次布置的衬底层、键合金属层、第一反射镜层、ITO电流扩展层和氮化镓外延层，氮化镓外延层包括由下至上依次布置的p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层，键合金属层、ITO电流扩展层和第一反射镜层的台面尺寸依次变小呈工字型布置，氮化镓外延层的台面尺寸不大于ITO电流扩展层，在第一反射镜层和ITO电流扩展层外的键合金属层上设有与ITO电流扩展层底部台肩面对接布置的金属电极层，在n‑GaN层上设有DBR反射镜层，DBR反射镜层对器件发射光源的反射率小于第一反射镜层。本发明大幅提高Micro‑RCLED芯片量产中的良率，并在衬底转移中，创新性提出CMP‑ICP‑CMP减薄谐振腔层方法，降低了器件断路和器件失效的现象。