公开(公告)号：CN111180557A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911356012.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 中南大学

Inventor： 汪炼成 ,  梁思远 ,  张羽 ,  万荣桥 ,  高祥

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/02 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供了基于p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质结紫外发光二极管及制备方法，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，n-AlxGayIn2-x-yO3层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。该异质结的紫外发光二极管主要包括p-Si层、介质层、n-AlxGayIn2-x-yO3和金属电极，其是在P型Si衬底上生长一层介质层，再生长n-AlxGayIn2-x-yO3薄膜形成异质pN结；本发明制备的p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质pN结紫外发光二极管利用p-Si作为空穴注入源，大大提高了空穴的浓度，且抑制了载流子在间接带隙的p-Si区复合发光，具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压，并且其发光强度很高。