一种混凝土约束收缩试验装置及其试验方法

    公开(公告)号:CN113075391A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110399689.X

    申请日:2021-04-14

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提出一种混凝土约束收缩试验装置及其试验方法,用于待测混凝土试件在长度方向进行主动约束且在约束条件下测量其收缩变形量,包括底板、沿所述底板的长度方向相对设置的两端板、设置在所述端板边角处的角钢以及设置在所述底板上的位移传感器;所述位移传感器设置在所述端板远离所述底板的两侧;两所述端板共同组成一个约束所述待测混凝土试件沿长度方向的收缩变形装置;所述待测混凝土试件包括预埋在所述待测混凝土试件顶部的两薄片以及预埋在所述待测混凝土试件两端的钢筋;所述钢筋用于约束混凝土收缩,所述薄片用于观测待测混凝土试件中间部位的收缩变形量;本发明构造简单,操作方便,结果精准度高。

    一种GaN基LED芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN110544736B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910880826.4

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法,包括:在衬底1上依次外延生长n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层,形成GaN LED外延层;在GaN LED外延层上刻蚀多个沟槽,形成由衬底1连接的多个芯片;在多个芯片上表面制备衬底3;将衬底1去除;将结构倒转,在多个芯片的n‑GaN层上表面制取一层蓝膜;在衬底3下表面进行光刻,利用光刻胶保护芯片对应区域,光刻后暴露出芯片和芯片之间的沟槽区域;利用湿法刻蚀去除芯片与芯片之间沟槽区域的衬底3;去除光刻胶,得到分立在蓝膜上的多个GaN基LED芯片。上述方法简单可行,能提高LED良率,对LED芯粒无损伤,从而不损伤LED芯粒亮度。

    一种GaN基LED芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN110544736A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201910880826.4

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法,包括:在衬底1上依次外延生长n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p-GaN层,形成GaN LED外延层;在GaN LED外延层上刻蚀多个沟槽,形成由衬底1连接的多个芯片;在多个芯片上表面制备衬底3;将衬底1去除;将结构倒转,在多个芯片的n-GaN层上表面制取一层蓝膜;在衬底3下表面进行光刻,利用光刻胶保护芯片对应区域,光刻后暴露出芯片和芯片之间的沟槽区域;利用湿法刻蚀去除芯片与芯片之间沟槽区域的衬底3;去除光刻胶,得到分立在蓝膜上的多个GaN基LED芯片。上述方法简单可行,能提高LED良率,对LED芯粒无损伤,从而不损伤LED芯粒亮度。

    一种混凝土约束收缩试验装置及其试验方法

    公开(公告)号:CN113075391B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202110399689.X

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明提出一种混凝土约束收缩试验装置及其试验方法,用于待测混凝土试件在长度方向进行主动约束且在约束条件下测量其收缩变形量,包括底板、沿所述底板的长度方向相对设置的两端板、设置在所述端板边角处的角钢以及设置在所述底板上的位移传感器;所述位移传感器设置在所述端板远离所述底板的两侧;两所述端板共同组成一个约束所述待测混凝土试件沿长度方向的收缩变形装置;所述待测混凝土试件包括预埋在所述待测混凝土试件顶部的两薄片以及预埋在所述待测混凝土试件两端的钢筋;所述钢筋用于约束混凝土收缩,所述薄片用于观测待测混凝土试件中间部位的收缩变形量;本发明构造简单,操作方便,结果精准度高。

    一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构Micro-LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN112018221A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010953229.2

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法,本发明这种微腔Micro-LED可以出射圆偏偏振光,采用圆偏振光进行3D偏光显示,只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度,并通过导电层上的光栅和n-GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面,形成垂直方向的谐振微腔结构,将抑制侧壁出光,提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长,使其发光光谱变窄,光谱纯度更高,这将有利于提高Micro-LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性,经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构,相当于1/4波片,将线偏振光转换为圆偏振光。

    一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN110571317A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910881409.1

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法,器件包括衬底一和LED外延材料;LED外延材料由上至下依次包括p-GaN层、MQW层和n-GaN层;p-GaN层与MQW层的宽度相等且小于n-GaN层的宽度,n-GaN层的厚度从上至下逐渐增加,形成倾斜侧壁台阶结构;n-GaN层的下表面设有微纳结构;LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括:制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构,完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。

    一种新型紫外发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111180557A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201911356012.7

    申请日:2019-12-25

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了基于p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质结紫外发光二极管及制备方法,属于半导体技术领域,本发明器件制作工艺简单,n-AlxGayIn2-x-yO3层生长工艺成熟,成本低,易于实施,可以大规模推广。该异质结的紫外发光二极管主要包括p-Si层、介质层、n-AlxGayIn2-x-yO3和金属电极,其是在P型Si衬底上生长一层介质层,再生长n-AlxGayIn2-x-yO3薄膜形成异质pN结;本发明制备的p-Si/n-AlxGayIn2-x-yO3异质pN结紫外发光二极管利用p-Si作为空穴注入源,大大提高了空穴的浓度,且抑制了载流子在间接带隙的p-Si区复合发光,具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压,并且其发光强度很高。

    一种GaN基Micro-LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN110581206A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910880984.X

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种GaN基Micro-LED及其制备方法,所述Micro-LED包括GaN基Micro-LED芯片和Si衬底;所述芯片由下到上设有介质膜和n-GaN层;所述n-GaN层表面具有上台阶部和下台阶部;所述n-GaN层的上台阶部依次设有MQW层、p-GaN层和反射镜电极,所述n-GaN层的下台阶部设有欧姆接触金属;所述GaN基Micro-LED芯片通过In柱阵列倒装焊接在Si衬底上。上述GaN基Micro-LED具有垂直方向的谐振微腔结构,发光半高宽窄、发光方向性好、发光速度快;Micro-LED由GaN基材料组成,芯片厚度经减薄后,光提取效率得到提高、体积更小、集成度更高。

    一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构Micro-LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN112018221B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202010953229.2

    申请日:2020-09-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro‑LED及其制备方法,本发明这种微腔Micro‑LED可以出射圆偏偏振光,采用圆偏振光进行3D偏光显示,只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度,并通过导电层上的光栅和n‑GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面,形成垂直方向的谐振微腔结构,将抑制侧壁出光,提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长,使其发光光谱变窄,光谱纯度更高,这将有利于提高Micro‑LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性,经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构,相当于1/4波片,将线偏振光转换为圆偏振光。

    一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN110571317B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201910881409.1

    申请日:2019-09-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法,器件包括衬底一和LED外延材料;LED外延材料由上至下依次包括p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层;p‑GaN层与MQW层的宽度相等且小于n‑GaN层的宽度,n‑GaN层的厚度从上至下逐渐增加,形成倾斜侧壁台阶结构;n‑GaN层的下表面设有微纳结构;LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括:制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构,完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。

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