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公开(公告)号:CN107037131B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201710306311.4
申请日:2017-05-04
Applicant: 中南大学
IPC: G01N29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于极值分布理论的微小缺陷超声检测方法,所述方法使用了单次散射响应模型对多晶体材料中超声背散射现象进行描述,并通过极值分布理论和单次散射响应模型的有机结合,给出了晶粒噪声的置信上限,最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。实验结果表示,本发明的方法能有效检出直径为0.2mm、埋深为12mm的平底孔缺陷。与传统固定阈值方法对比,本发明的方法在高增益下抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性。可见,本发明的方法提供了一种使用常规线性超声检测系统检测出微小缺陷的有效手段。
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公开(公告)号:CN107037131A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710306311.4
申请日:2017-05-04
Applicant: 中南大学
IPC: G01N29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于极值分布理论的微小缺陷超声检测方法,所述方法使用了单次散射响应模型对多晶体材料中超声背散射现象进行描述,并通过极值分布理论和单次散射响应模型的有机结合,给出了晶粒噪声的置信上限,最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。实验结果表示,本发明的方法能有效检出直径为0.2mm、埋深为12mm的平底孔缺陷。与传统固定阈值方法对比,本发明的方法在高增益下抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性。可见,本发明的方法提供了一种使用常规线性超声检测系统检测出微小缺陷的有效手段。
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公开(公告)号:CN108896660B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201810747244.4
申请日:2018-07-09
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法,使用横波‑横波单次散射响应模型对多晶体材料中近表面超声背散射现象进行描述,引入晶粒尺寸分布函数与六方晶的弹性模量协方差对原模型进行修正,并通过极值分布理论和修正后的横波‑横波单次散射响应模型的有机结合,给出了晶粒噪声的置信上限,最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。本发明能有效检出直径为0.2mm、埋深为1mm的近表面横通孔缺陷。与传统纵波的固定阈值方法和时变阈值方法对比,本发明的方法在高增益下不仅抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性,而且消除了由耦合剂与被检部件之间的声阻抗失配而产生的大界面回波对近表面缺陷信号的影响。
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公开(公告)号:CN108896660A
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201810747244.4
申请日:2018-07-09
Applicant: 中南大学
CPC classification number: G01N29/069 , G01N29/11 , G01N29/44
Abstract: 本发明公开了一种基于横波背散射的六方晶材料近表面微小缺陷检测方法,使用横波-横波单次散射响应模型对多晶体材料中近表面超声背散射现象进行描述,引入晶粒尺寸分布函数与六方晶的弹性模量协方差对原模型进行修正,并通过极值分布理论和修正后的横波-横波单次散射响应模型的有机结合,给出了晶粒噪声的置信上限,最终以置信上限为时变阈值进行了缺陷的成像。本发明能有效检出直径为0.2mm、埋深为1mm的近表面横通孔缺陷。与传统纵波的固定阈值方法和时变阈值方法对比,本发明的方法在高增益下不仅抑制了把晶粒噪声误检为缺陷的可能性,而且消除了由耦合剂与被检部件之间的声阻抗失配而产生的大界面回波对近表面缺陷信号的影响。
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