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公开(公告)号：CN112595697A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011248656.7
申请日：2020-11-10
Applicant: 中南林业科技大学
IPC: G01N21/64 , C07D213/72 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及一种用于水稻中砷含量的测定方法。包括如下具体步骤：(1)样品前处理(2)样品测试：迅速将待测样品放置到荧光探针分子显色剂中，静置显色；在紫外灯下观察显色情况，并与标准卡颜色进行对比确定污染程度；和或者在荧光显微镜下观察砷污染程度，以及不同位置的砷含量分布情况；所述荧光探针分子为NAHPL。本发明的测定方法可通过可视化定性定量测试砷元素，提前预警水稻砷超标，指导农作物生产。该方法具有较强的抗干扰性，不受外界酸碱环境以及金属阳离子影响。检测方法便捷，高效、检出限低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114460158B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210096989.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 中南林业科技大学
Abstract: 本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au(111)晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到PyA/CE；PyA/CE选择性通过Au(100)和Au(110)晶面吸附纳米金，保留其Au(111)晶面，得到AuNPs/PyA/CE；Au(111)晶面可诱导扩繁纳米金沿Au(111)晶面生长，生成多晶金修饰电极(Au(111)‑D/PyA/CE)。应用Au(111)‑D/PyA/CE阳极溶出伏安法检测As(III)时分析灵敏度高、稳定性好、抗干扰性强。
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公开(公告)号：CN112611791A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011250466.9
申请日：2020-11-10
Applicant: 中南林业科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Au修饰电极及其制备和用于As(III)检测。本发明Au修饰电极包括基底电极碳电极、设置于所述基底电极外表面的巯基化合物、设置于所述巯基化合物外表面的金染液处理的金纳米粒子AuNPs；Au修饰电极的粗糙度Rf为1～3；修饰电极表面富含S、N配体，能稳定负载Au界面和富集砷。本发明Au修饰电极制备通过CV电化学氧化聚合、吸附金纳米粒子、金染液处理得到。应用本发明Au修饰电极电化学ASV方法检测As(III),活性好，检测下限低，具有较灵敏的As(III)→As(V)溶出信号，可避免其他杂质的溶出峰干扰。
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公开(公告)号：CN112611791B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011250466.9
申请日：2020-11-10
Applicant: 中南林业科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Au修饰电极及其制备和用于As(III)检测。本发明Au修饰电极包括基底电极碳电极、设置于所述基底电极外表面的巯基化合物、设置于所述巯基化合物外表面的金染液处理的金纳米粒子AuNPs；Au修饰电极的粗糙度Rf为1～3；修饰电极表面富含S、N配体，能稳定负载Au界面和富集砷。本发明Au修饰电极制备通过CV电化学氧化聚合、吸附金纳米粒子、金染液处理得到。应用本发明Au修饰电极电化学ASV方法检测As(III),活性好，检测下限低，具有较灵敏的As(III)→As(V)溶出信号，可避免其他杂质的溶出峰干扰。
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公开(公告)号：CN114460158A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210096989.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 中南林业科技大学
Abstract: 本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au(111)晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到PyA/CE；PyA/CE选择性通过Au(100)和Au(110)晶面吸附纳米金，保留其Au(111)晶面，得到AuNPs/PyA/CE；Au(111)晶面可诱导扩繁纳米金沿Au(111)晶面生长，生成多晶金修饰电极(Au(111)‑D/PyA/CE)。应用Au(111)‑D/PyA/CE阳极溶出伏安法检测As(III)时分析灵敏度高、稳定性好、抗干扰性强。
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公开(公告)号：CN112595697B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011248656.7
申请日：2020-11-10
Applicant: 中南林业科技大学
IPC: G01N21/64 , C07D213/72 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及一种用于水稻中砷含量的测定方法。包括如下具体步骤：(1)样品前处理(2)样品测试：迅速将待测样品放置到荧光探针分子显色剂中，静置显色；在紫外灯下观察显色情况，并与标准卡颜色进行对比确定污染程度；和或者在荧光显微镜下观察砷污染程度，以及不同位置的砷含量分布情况；所述荧光探针分子为NAHPL。本发明的测定方法可通过可视化定性定量测试砷元素，提前预警水稻砷超标，指导农作物生产。该方法具有较强的抗干扰性，不受外界酸碱环境以及金属阳离子影响。检测方法便捷，高效、检出限低。
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