一种Au修饰电极及其制备和在As(III)检测中的应用

    公开(公告)号:CN112611791B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202011250466.9

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明涉及一种Au修饰电极及其制备和用于As(III)检测。本发明Au修饰电极包括基底电极碳电极、设置于所述基底电极外表面的巯基化合物、设置于所述巯基化合物外表面的金染液处理的金纳米粒子AuNPs;Au修饰电极的粗糙度Rf为1~3;修饰电极表面富含S、N配体,能稳定负载Au界面和富集砷。本发明Au修饰电极制备通过CV电化学氧化聚合、吸附金纳米粒子、金染液处理得到。应用本发明Au修饰电极电化学ASV方法检测As(III),活性好,检测下限低,具有较灵敏的As(III)→As(V)溶出信号,可避免其他杂质的溶出峰干扰。

    一种水稻中砷含量的测定方法

    公开(公告)号:CN112595697B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202011248656.7

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明涉及一种用于水稻中砷含量的测定方法。包括如下具体步骤:(1)样品前处理(2)样品测试:迅速将待测样品放置到荧光探针分子显色剂中,静置显色;在紫外灯下观察显色情况,并与标准卡颜色进行对比确定污染程度;和或者在荧光显微镜下观察砷污染程度,以及不同位置的砷含量分布情况;所述荧光探针分子为NAHPL。本发明的测定方法可通过可视化定性定量测试砷元素,提前预警水稻砷超标,指导农作物生产。该方法具有较强的抗干扰性,不受外界酸碱环境以及金属阳离子影响。检测方法便捷,高效、检出限低。

    一种Au修饰电极及其制备和在As(III)检测中的应用

    公开(公告)号:CN112611791A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011250466.9

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明涉及一种Au修饰电极及其制备和用于As(III)检测。本发明Au修饰电极包括基底电极碳电极、设置于所述基底电极外表面的巯基化合物、设置于所述巯基化合物外表面的金染液处理的金纳米粒子AuNPs;Au修饰电极的粗糙度Rf为1~3;修饰电极表面富含S、N配体,能稳定负载Au界面和富集砷。本发明Au修饰电极制备通过CV电化学氧化聚合、吸附金纳米粒子、金染液处理得到。应用本发明Au修饰电极电化学ASV方法检测As(III),活性好,检测下限低,具有较灵敏的As(III)→As(V)溶出信号,可避免其他杂质的溶出峰干扰。

    一种水稻中砷含量的测定方法

    公开(公告)号:CN112595697A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011248656.7

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明涉及一种用于水稻中砷含量的测定方法。包括如下具体步骤:(1)样品前处理(2)样品测试:迅速将待测样品放置到荧光探针分子显色剂中,静置显色;在紫外灯下观察显色情况,并与标准卡颜色进行对比确定污染程度;和或者在荧光显微镜下观察砷污染程度,以及不同位置的砷含量分布情况;所述荧光探针分子为NAHPL。本发明的测定方法可通过可视化定性定量测试砷元素,提前预警水稻砷超标,指导农作物生产。该方法具有较强的抗干扰性,不受外界酸碱环境以及金属阳离子影响。检测方法便捷,高效、检出限低。

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