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公开(公告)号：CN119403249A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411474520.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 中南民族大学 , 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: H10F30/292 , H10F77/12 , H10F71/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种半导体X射线探测器的制备方法，通过采用自由电子密度逐级增加的PNN型双内建电场构型，增强了内建电场的强度，同时扩大了内建电场输运电子的能力，在没有外加电源的情形下，通过X射线的康普顿效应及光生伏打效应实现自体供能，完成X射线的探测。该探测器内建电场足够强，对X射线能量的吸收和载流子的输运优于传统X射线探测器，探测灵敏；由于不带电源，该探测器具备无功耗、故障率低且重量轻、体积小、便于携带的技术效果。本发明还提供一种存储有该方法程序的非暂态可读记录媒体及包含该媒体的系统，通过处理电路可以调用程序，执行上述方法。
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公开(公告)号：CN106601884B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610946967.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 中南民族大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。
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公开(公告)号：CN106601884A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610946967.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 中南民族大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0087 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/28
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。
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公开(公告)号：CN206210826U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201621171331.2
申请日：2016-10-26
Applicant: 中南民族大学
Abstract: 本实用新型公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。
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