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公开(公告)号：CN109354023B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201811188965.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国化学赛鼎宁波工程有限公司 , 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的一种双层冷却夹套的甲硅烷热分解炉及生产工艺，其特征在于所述的热分解炉由钟罩、底板、硅棒、夹套盖板、外冷却夹套和内冷却夹套构成。本发明的一种双层冷却夹套的甲硅烷热分解炉及生产工艺通过在硅棒外设置双层冷却夹套，利用双层夹套之间的冷却空隙中的冷气通过在内层夹套上部开孔，将更多的冷量提供给夹套内上部，实现夹套内上下温度的均匀性，保证硅棒生长的均匀性；采用向下喷射原料气的原料气进口管强化炉内流动，有利于消除局部SiH4浓度过高的现象。
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公开(公告)号：CN109354023A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811188965.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 中国化学赛鼎宁波工程有限公司 , 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明的一种双层冷却夹套的甲硅烷热分解炉及生产工艺，其特征在于所述的热分解炉由钟罩、底板、硅棒、夹套盖板、外冷却夹套和内冷却夹套构成。本发明的一种双层冷却夹套的甲硅烷热分解炉及生产工艺通过在硅棒外设置双层冷却夹套，利用双层夹套之间的冷却空隙中的冷气通过在内层夹套上部开孔，将更多的冷量提供给夹套内上部，实现夹套内上下温度的均匀性，保证硅棒生长的均匀性；采用向下喷射原料气的原料气进口管强化炉内流动，有利于消除局部SiH4浓度过高的现象。
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公开(公告)号：CN119707535A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510003967.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C04B41/89 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , C04B41/90
Abstract: 本发明公开了一种改性硅碳负极材料及其制备方法和应用，属于负极材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：制备多孔碳化硅；在氩气环境中，置于多弧离子镀炉室内，溅射改性剂，得到改性多孔碳化硅；在氩气环境中，置于流化床反应器中，通入硅源气体，进行沉积反应；通入碳源气体进行沉碳反应，冷却至室温，洗涤烘干，得到改性硅碳负极材料。本发明提供了一种改性硅碳负极材料及其制备方法和应用，该改性硅碳负极材料具有均匀的孔隙结构，有助于缓冲硅在充放电过程中的体积变化，保持电极结构的完整性，减少材料的粉化和脱落。
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公开(公告)号：CN116675230A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310582589.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及区熔级多晶硅技术领域，具体公开了一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，包括化学气象沉积炉、底板、通气柱节、侧围通气柱和通气底槽，每个通气柱节分别设置于化学气象沉积炉的内部，且多个通气柱节由下至上依次连通，底部的通气柱节贯穿底板与化学气象沉积炉，每根侧围通气柱分别与底板固定连接，且每根侧围通气柱分别贯穿底板与化学气象沉积炉，通气底槽与通气柱节和多根侧围通气柱连通。可以防止低温气体由固定点位通入，导致局部温度过低，导致硅棒发生裂痕的情况，并且可以使硅烷和氢气在化学气象沉积炉的内部均匀分布，可以提高硅棒生长的浸润性，使得硅棒均匀沉积，提高硅棒的生长品质。
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公开(公告)号：CN114655926A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210258894.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B3/50 , C01B3/56 , B01D53/047 , B01D46/58 , B01D46/56
Abstract: 本发明提供一种煤化工制氢的变压吸附式氢气净化器，涉及氢气净化技术领域，包括套筒；所述套筒整体为圆柱形状，且底部的中间位置开设有通孔，套筒的内部为空心状，套筒的内部下方位置固定连接有限位件，限位件中间内部为六边形空槽，限位件的六边形空槽壁面位置分别开设有一个通孔，限位件底部通管插接在套筒通孔内。调整压筒的高度，确定套筒下端内部储备氢气的密度，下一步通过伸缩推动件的延伸，使得压筒整体在套筒内部向下方位置进行移动，对定量的煤制取氢气进行压缩过滤，进而可以对氢气的部分进量进行纯度检测。解决了在对煤制取氢气进行净化的时候无法准确应对净化的计量，导致无法抽检氢气整体的纯度的问题，便于工作人员连续监控氢气纯度，并获取不同纯度氢气，以满足诸如区熔级多晶硅、硅料冷氢化以及燃料电池等对于氢源纯度的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113387360A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110573715.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法，涉及区熔级多晶硅领域，包括U型硅芯表面除去表面杂质；置于热裂解炉反应器内部，用氮气置换空气；用氢气置换氮气；持续通入氢气，对反应器内硅芯加载电流，使硅芯表面氧化层还原，调控其浸润性并构筑“超亲硅”表面；调节电流控制硅芯达到反应温度，通入高纯硅烷和高纯氢气的混合气，硅烷在硅芯表面高温裂解，产物硅在“超亲硅”硅芯表面均匀成核、“层状生长”，最终得到致密的多晶硅棒。本发明通过表界面调控，降低成核势垒，可有效抑制硅沉积过程中的“岛状生长”与硅枝晶问题，从而获得满足区熔级多晶硅力学性能的产品，设计合理，操作方便，实用性强。
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公开(公告)号：CN119133399A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411257051.2
申请日：2024-09-09
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种低膨胀率的硅碳负极材料及其制备方法与应用，涉及硅碳负极材料技术领域，先将无定形硅和乙炔黑混合于丙三醇溶液，然后加入氧化锡，经超声分散后得到氧化锡‑无定形硅‑乙炔黑混合物，然后在混合物中加入聚乙烯吡咯烷酮溶液，机械搅拌均匀，并在电热恒温干燥箱中恒温进行水热反应，蒸发丙三醇溶剂，研磨得到硅/碳复合材料；在硅/碳复合材料中加入甲壳素混合均匀后进行降温，然后加入碳酸乙烯酯逐步凝固，得到硅碳负极前驱体材料，然后通过化学气相沉积法进行碳包覆处理，得到硅碳负极材料。因此，本申请采用上述的一种硅碳负极材料及其制备方法与应用，解决了现有技术中的负极材料体积膨胀率较大，循环能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN116621180A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310605793.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及区熔级多晶硅技术领域，具体公开了一种制备低内应力区熔用电子级多晶硅浸润性调控的系统，包括化学气相沉积炉、底板、石墨夹头、进料喷口、气体混合罐和调配控制组件，底板设置于化学气相沉积炉的内部，每个石墨夹头分别与底板固定连接，每个进料喷口分别与化学气相沉积炉固定连接，且每个进料喷口的输出端设置于化学气相沉积炉的内部，气体混合罐设置于化学气相沉积炉的一侧，且气体混合罐的输出端与多个进料喷口连通，调配控制组件设置于气体混合罐的一侧。对硅烷和氢气的配比调制，可以提高多晶硅的浸润性，使其均匀的进行沉积，抑制硅枝晶的生长，通过吹扫混合气体可以有效的降低其硅棒内部的热应力。
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公开(公告)号：CN115947344A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211706763.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B33/027
Abstract: 本发明公开了一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法。硅烷热解的分解炉由钟罩、硅棒、冷却夹套、石墨电极、进出口构成，本发明提供了制备多晶硅棒的最佳热通量、压力、进口流量、硅烷比率、冷却夹套的温度和硅烷原料的预热温度，以保证硅棒在炉内的均匀生长、硅烷原料得到有效利用，有效抑制硅烷均相反应，减少硅粉的产生。
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公开(公告)号：CN119683624A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411861753.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 河南硅烷科技发展股份有限公司
IPC: C01B32/342 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , C01B32/348 , C01B32/324 , C01B33/035 , C01B35/10
Abstract: 本发明涉及硅碳负极技术领域，特别是涉及一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法，包括以下步骤：生物质碳材料的前处理；多孔碳材料的制备；硅源气相沉积在多孔碳材料上得到硅/多孔碳材料；将氧化硼和硅/多孔碳材料按照1‑5:80‑200的质量比放入球磨罐中，球磨1‑3h后得到硅碳负极前驱体材料。本发明采用上述步骤的一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法，利用生物质碳材料制备多孔碳材料，在多孔碳材料上沉积硅元素并掺杂硼元素，得到的硅碳负极材料具有优秀的容量和容量保持率，电化学稳定性高。
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