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公开(公告)号：CN106093004B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610392384.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种超疏水的分子富集浓缩芯片及其制备方法和应用，所述的制备方法包括以下步骤：将清洗干净的硅片进行增粘处理，并将光刻胶均匀涂胶到硅片上，接着进行烘烤；再将烘烤后的硅片与光刻板上的图案进行预对位及自动对位操作，对位完成后进行曝光处理，然后进行显影处理，随后对硅片进行深硅刻蚀处理，再通过磁控溅射将晶体膜Au喷射在硅柱阵列结构的硅片上得到模板材料；将清洗干净的石墨作为负极，模板材料作为正极，置于电沉积液中电沉积反应得到具有纳米银硅柱阵列结构的芯片，取出后用清水清洗干净，再用纯氩气吹干。制备的超疏水的分子富集浓缩芯片具有超灵敏，快响应，低溶剂损耗率的优点。
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公开(公告)号：CN105300957B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510737960.0
申请日：2015-11-02
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种炸药共晶结构鉴定方法，先测定共晶炸药样品及单质炸药样品的拉曼谱图，得到相应的指纹图谱特征峰；再采用B3LYP混合泛函方法，利用DFT密度泛函理论分别计算炸药分子的振动频率，然后对炸药分子的指纹图谱特征峰进行指认，对其振动模式进行归属；最后将共晶炸药样品与两种单质炸药样品的拉曼谱图进行对比，根据两种单质炸药样品的指纹图谱特征峰的震动峰位移，对共晶炸药样品的振动模式进行归属，并通过拉曼特征位移，分析共晶结构形成的原因。本发明利用单质炸药、单质炸药两两简单混合、以及单质炸药两两反应后形成的共晶的拉曼光谱不一致，产生不同的拉曼峰位变化来对炸药共晶进行快速分析与鉴定。
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公开(公告)号：CN106248553A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610740980.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开了一种基于气体渗透法对塑料粘接炸药中界面结构的表征方法，包括以下步骤：步骤A：采用气体分子为探针，在一定压力和温度条件下，测试粘结剂的气体渗透系数和至少一个炸药含量不为零的PBX的气体渗透系数；步骤B：采用改进的HIM模型，拟合步骤A中测得的粘结剂的气体渗透系数和PBX的气体渗透系数，计算得到PBX中界面空穴厚度。本方法对PBX界面结构表征技术简单易行，可以定量表征纳米尺度下PBX的界面结构，对于研究温度、应力加载条件下PBX界面结构的演变规律具有重要作用，也为考察不同键合剂对PBX界面结构的影响规律提供了有效途径。
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公开(公告)号：CN106093004A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610392384.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种超疏水的分子富集浓缩芯片及其制备方法和应用，所述的制备方法包括以下步骤：将清洗干净的硅片进行增粘处理，并将光刻胶均匀涂胶到硅片上，接着进行烘烤；再将烘烤后的硅片与光刻板上的图案进行预对位及自动对位操作，对位完成后进行曝光处理，然后进行显影处理，随后对硅片进行深硅刻蚀处理，再通过磁控溅射将晶体膜Au喷射在硅柱阵列结构的硅片上得到模板材料；将清洗干净的石墨作为负极，模板材料作为正极，置于电沉积液中电沉积反应得到具有纳米银硅柱阵列结构的芯片，取出后用清水清洗干净，再用纯氩气吹干。制备的超疏水的分子富集浓缩芯片具有超灵敏，快响应，低溶剂损耗率的优点。
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公开(公告)号：CN103626405A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310631863.4
申请日：2013-11-28
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种单层荧光共轭聚合物膜及其制备方法，在芴的碳-9，碳-9’上引入长链脂肪烃基，在1，4-对二碘苯的碳-2，碳-5上引入长链烷氧基，并将两类单体共聚，形成聚合物，同时，聚合物被固载在基质材料表面，形成单层荧光共轭聚合物膜材料。所述的单层芴类共轭聚合物膜材料对1，3，5-三硝基甲苯、2，4-二硝基甲苯和1，3，5-三硝基苯酚具有良好的检测灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106390768B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201611035659.6
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种沸石咪唑酯骨架/聚酰胺复合膜的制备方法，包括以下步骤：将甲酸钠、2‑氨基苯并咪唑和2‑甲基咪唑溶解在去离子水，得到混合溶液；将锌盐溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中得到锌盐溶液；然后将混合溶液与锌盐溶液混合反应，经离心、清洗、烘干后得到NH2‑ZIF‑8纳米材料；基膜浸泡于有机相溶液中，然后倒掉基膜上的有机相溶液，自然晾干后，再将基膜浸泡于水相溶液中，接着倒掉基膜上的水相溶液，并用去离子水将基膜表面清洗干净，最后在室温下晾干后即得到了NH2‑ZIF‑8/聚酰胺复合膜。制备的NH2‑ZIF‑8/聚酰胺复合膜用于CO2、N2、H2、CH4、NOx等气体的分离，改善膜的渗透性和选择性。
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公开(公告)号：CN103743717B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310643929.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 为解决现有技术拉曼光谱法对炸药CL-20晶型定量分析存在的拉曼光谱振动频率较弱，拉曼峰峰形复杂且峰位重叠和谱图分析较为困难等问题，本发明提出一种炸药CL-20晶型定量分析拉曼特征区域确定方法，根据波数范围将炸药CL-20的α-，β-，γ-，ε-四种晶型纯品的拉曼谱图进行区域划分，采用主成份分析法对各区域的拉曼谱图进行处理，通过主成份分类三维散点图判断出定量分析拉曼特征区域。本发明炸药CL-20晶型定量分析拉曼特征区域确定方法的有益技术效果能够获得具有代表性且峰形简单、清晰的拉曼谱图，使得采用拉曼光谱法对炸药CL-20进行晶型定量分析简单、可行，且测定结果准确、可靠。
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公开(公告)号：CN103743717A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310643929.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 为解决现有技术拉曼光谱法对炸药CL-20晶型定量分析存在的拉曼光谱振动频率较弱，拉曼峰峰形复杂且峰位重叠和谱图分析较为困难等问题，本发明提出一种炸药CL-20晶型定量分析拉曼特征区域确定方法，根据波数范围将炸药CL-20的α-，β-，γ-，ε-四种晶型纯品的拉曼谱图进行区域划分，采用主成份分析法对各区域的拉曼谱图进行处理，通过主成份分类三维散点图判断出定量分析拉曼特征区域。本发明炸药CL-20晶型定量分析拉曼特征区域确定方法的有益技术效果能够获得具有代表性且峰形简单、清晰的拉曼谱图，使得采用拉曼光谱法对炸药CL-20进行晶型定量分析简单、可行，且测定结果准确、可靠。
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公开(公告)号：CN106248553B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610740980.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开了一种基于气体渗透法对塑料粘接炸药中界面结构的表征方法，包括以下步骤：步骤A：采用气体分子为探针，在一定压力和温度条件下，测试粘结剂的气体渗透系数和至少一个炸药含量不为零的PBX的气体渗透系数；步骤B：采用改进的HIM模型，拟合步骤A中测得的粘结剂的气体渗透系数和PBX的气体渗透系数，计算得到PBX中界面空穴厚度。本方法对PBX界面结构表征技术简单易行，可以定量表征纳米尺度下PBX的界面结构，对于研究温度、应力加载条件下PBX界面结构的演变规律具有重要作用，也为考察不同键合剂对PBX界面结构的影响规律提供了有效途径。
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公开(公告)号：CN103526291B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310516138.2
申请日：2013-10-28
Applicant: 中国工程物理研究院化工材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种ZnO-Ag表面增强拉曼散射基底以及该基底用于对有机污染物的检测，该基底的制备方法包括以下步骤：步骤一：将ITO导电玻璃用丙酮、酒精、去离子水逐一超声清洗并晾干；步骤二：在硝酸锌溶液中加入有机添加剂，形成第一混合液，将第一混合液搅拌30分钟后，向第一混合液中滴加质量分数为25%的氨水溶液，形成第二混合液，将步骤一处理好的ITO导电玻璃浸泡在第二混合液中，水浴恒温后，放入烘箱烘烤60至100分钟，在ITO导电玻璃表面得到均匀的白色ZnO层；步骤三：在步骤二制备好的ZnO纳米层上沉积Ag纳米颗粒，得到ZnO-Ag表面增强拉曼散射基底。本发明的制备方法简单，制备出的基底灵敏度高、稳定性好、可重复使用。
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