-
公开(公告)号：CN112735865B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202011511739.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: H01G17/00
Abstract: 本发明公开了一种片式阻容器及其制备方法，制备时将陶瓷介质瓷粉与烧结助剂按照常规的流延料制备方法制备得到生瓷膜片，经过丝网印刷、叠层与等静压，经过切割、排胶与烧结得到内埋MLCC结构电容的基板；经过表电极、背电极、电阻体、包封玻璃及一次裂片后，制备成条状，将电容引出端电极裸露在外面；端面金属化、二次裂片及电镀：经过端面金属化、二次裂片及电镀之后，得到所述片式阻容器。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
-
公开(公告)号：CN113072376A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110388803.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01G4/12 , C04B35/47 , C04B41/90
Abstract: 一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法，组分按质量百分比为：Bi2O3 40％～70％、Pb3O4 20％～50％、CuO 5％～20％、B2O3 10％～15％、Al2O3 5％～15％、NiO 0.1％～5％、MnO2 0.1％～5％。所得晶界层陶瓷基片介电常数为30000±3000，介电损耗0.3％～0.8％，绝缘电阻≥1011Ω，容量温度变化率≤±15％(‑55℃～125℃)，介电常数允许偏差＜±10％，解决了现有氧化剂及其涂覆方法制备的电容器绝缘电阻低、电容量波动范围大等问题。决定了晶界层单层陶瓷电容器的主要性能，适用于批量生产，推动了高性能、小型化单层陶瓷电容器的发展。
-
公开(公告)号：CN112735865A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011511739.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: H01G17/00
Abstract: 本发明公开了一种片式阻容器及其制备方法，制备时将陶瓷介质瓷粉与烧结助剂按照常规的流延料制备方法制备得到生瓷膜片，经过丝网印刷、叠层与等静压，经过切割、排胶与烧结得到内埋MLCC结构电容的基板；经过表电极、背电极、电阻体、包封玻璃及一次裂片后，制备成条状，将电容引出端电极裸露在外面；端面金属化、二次裂片及电镀：经过端面金属化、二次裂片及电镀之后，得到所述片式阻容器。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112723876B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202011507636.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01C7/00 , H01C17/065
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介质瓷粉及其制备方法和应用，陶瓷介质瓷粉，由主材料和改性添加剂组成，主材料为BaTiO3，所述改性添加剂的原料包括Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3；所述Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3的添加量分别为BaTiO3的重量的0.3％～2％、0.3％～1.0％、0.1％～0.5％以及0.1％～0.3％。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
-
公开(公告)号：CN112723876A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011507636.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01C7/00 , H01C17/065
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介质瓷粉及其制备方法和应用，陶瓷介质瓷粉，由主材料和改性添加剂组成，主材料为BaTiO3，所述改性添加剂的原料包括Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3；所述Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3的添加量分别为BaTiO3的重量的0.3％～2％、0.3％～1.0％、0.1％～0.5％以及0.1％～0.3％。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
-
公开(公告)号：CN108766690A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810661589.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: H01C7/00 , H01C17/065
CPC classification number: H01C7/003 , H01C17/065
Abstract: 一种脉冲电阻及脉冲电阻调阻方法，涉及电子产品技术领域。其包括：步骤S1，将第一电阻体、第二电阻体的长度和宽度均加长，将第一电极、第二电极的宽度加宽；步骤S2，根据设计阳图对脉冲电阻进行网版制作；步骤S3，将制作好的网版采用中间参数进行印刷，将第一电阻体、第二电阻体进行850℃烧成；步骤S4，对烧成后的第一电阻体、第二电阻体基片进行印刷第一玻璃层和第二玻璃层，并对第一玻璃层、第二玻璃层进行600℃烧成；步骤S5，根据脉冲电阻的阻值偏负程度和阻值精度，设计U型激光刻槽切割参数；步骤S6，根据脉冲电阻的阻值设置激光调阻参数，并进行调阻。采用该方法制得的脉冲电阻，散热能力强。
-
公开(公告)号：CN207027298U
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201720902152.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: B25B11/00
Abstract: 本实用新型公开了一种用于装夹方管熔断器的夹具，具体涉及一种夹具，包括夹具本体，所述夹具本体设有用于容纳固定方管熔断器的固定槽，所述固定槽与方管熔断器的直径、长度均适配；所述夹具本体还设有用于夹紧方管熔断器的夹紧装置；所述夹紧装置包括将方管熔断器抵紧的弹性夹片，所述弹性夹片设置于固定槽与方管熔断器端部对应一侧。其中，方管熔断器嵌入固定槽中，同时方管熔断器的端部通过弹性夹片抵紧固定，以避免其在印刷过程中发生移动，从而大大降低了因印刷问题而产生的废品率。
-
公开(公告)号：CN206725966U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720484137.8
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本实用新型提供了一种阳图对位装置及智能阳图对位装置，涉及阳图对位领域。本实用新型提供了一种阳图对位装置，应用于阳图与网版的对位，包括承载体、固定装置和对位装置，固定装置设置在承载体上，用于固定网版，对位装置设置在承载体上，并且对位装置位于固定装置的内部，对位装置用于阳图与网版的对位。本实用新型还提供了一种智能阳图对位装置，其采用了上述的阳图对位装置。本实用新型提供的阳图对位装置及智能阳图对位装置便于阳图与网版的对位，并能提高阳图与网版的对位精度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.034 seconds)
