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公开(公告)号：CN119551993A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411832516.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/64
Abstract: 一种芯片电容陶瓷基片堆叠烧结过程中粘片的改善方法，属于电子元器件技术领域。所述改善方法为：采用氧化锆粉末、氧化铝粉末、玻璃粉末和淀粉中的一种或多种，按照设定比例配制并充分混合均匀，配制成隔沾粉；使用隔沾粉涂履工具蘸取隔沾粉介质在陶瓷生坯片表面来回涂履，使陶瓷生坯片表面吸附一层均匀隔沾粉；将使表面吸附一层均匀隔沾粉的陶瓷生坯片按工艺设计要求进行多片堆叠；将完成多片堆叠的陶瓷生坯片放在高温烧结炉按设定烧结工艺进行烧结；将高温烧结后的陶瓷基片进行分离，即得到芯片电容用高性能陶瓷基片。解决了堆叠烧结中存在粘片、分离困难、陶瓷基片表面起伏不平、质量一致性差等问题。广泛应用于电子元器件陶瓷基片制作技术中。
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公开(公告)号：CN114276152A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210075118.5
申请日：2022-01-22
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/632 , C04B35/638
Abstract: 一种低温共烧陶瓷材料流延用粘合剂及其制备方法，属于电子元器件领域。所述粘合剂包括：甲基丙烯酸乙酯，丙烯酸甲酯，溶剂，增塑剂，改性剂；所述溶剂包括二甲苯、乙醇、异丙醇三者的混合溶剂；所述增塑剂包括邻苯二甲酸酯类和癸二酸二丁酯中的至少一种；所述改性剂包括分散剂、消泡剂中的至少一种。所述制备方法包括材料制备、逐步加料、分级高转速混合搅拌等步骤。解决了现有陶瓷流延成型技术中粘结剂的排胶温度过高，接近于很多玻璃的软化点，造成大量的碳残留在材料内部结构中，严重影响低温共烧陶瓷性能的问题。本发明技术方案广泛应用于电子陶瓷元件、高密度集成电路等产品的LTCC多层低温共烧陶瓷成型技术领域。
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公开(公告)号：CN113307541A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110617260.3
申请日：2021-06-03
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 一种碳氢树脂陶瓷粘结片及其批量化生产工艺，所述碳氢树脂陶瓷粘结片的组成成分包括：无机填料、硅烷偶联剂、碳氢树脂、固化剂、溶剂。所术批量化生产工艺，包括：将无机填料使用硅烷偶联剂进行表面改性处理；将表面改性后的瓷粉与固化剂、碳氢树脂、溶剂等材料进行混料并行星球磨；将行星球磨后的混合液，经过流延成型制备成生瓷带；将生瓷带在真空高温烘箱中半固化脱模，制备粘结片。解决了现有陶瓷填充碳氢树脂型粘结片厚度均匀性差、生产周期长、不适用于批量化生产的问题。广泛应用于航天电子装备、通讯、北斗系统、无线局域网和物联网等现代微波电子通讯领域。
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公开(公告)号：CN112723876A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011507636.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01C7/00 , H01C17/065
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介质瓷粉及其制备方法和应用，陶瓷介质瓷粉，由主材料和改性添加剂组成，主材料为BaTiO3，所述改性添加剂的原料包括Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3；所述Nb2O5、Co2O3、SiO2以及MnCO3的添加量分别为BaTiO3的重量的0.3％～2％、0.3％～1.0％、0.1％～0.5％以及0.1％～0.3％。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板，采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻，最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器，可显著缩小产品厚度尺寸近50％，且击穿电压可靠性指标同比提升67％以上，有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求，为集成电路组装密度的进一步提高提供助益，且适用于微组装工艺。
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公开(公告)号：CN107316744B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710570663.0
申请日：2017-07-13
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法，涉及一种电容器技术领域。此片式多层金电极芯片电容器，利用片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到：用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；在生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；采用薄膜溅射工艺制备得到端电极。此片式多层金电极芯片电容器等效串联电阻显著低，避免了Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境下的银迁移以及Ni/Cu电极的高温氧化问题，极大提升产品的稳定性，解决了端电极与内电极之间的相互扩散降低性能指标的问题，进一步提高了产品的可靠性，且适合金丝或金带焊接的微组装工艺要求，可缩小安装空间，易于实现规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116514538A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310363265.7
申请日：2023-04-07
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/49
Abstract: 本发明涉及陶瓷介质材料技术领域，特别涉及一种MLCC用低温高Q低损耗介质材料的制备方法，通过将高纯度ZnO、MgO、TiO2按照配比进行一次称量球磨混合，通过煅烧得到预烧料，再向预烧料中加入助烧剂进行二次球磨细化反应物颗粒尺寸，将二次球磨后的陶瓷粉进行造粒，压制成圆柱状生坯，最后生坯排胶烧结而成。与现有技术相比，本发明制得的MLCC电子陶瓷材料具有良好的电性能参数，能满足MLCC技术使用需求，并具有较低烧结温度能够满足与匹配的低电阻电极材料Cu等使用要求，制备工艺采用原材料价格低廉、烧结温度低、对环境无污染，为电子元器件向高频化、集成化、高密度、高速度、高可靠性发展提供了有效的选择方案。
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公开(公告)号：CN114380579A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210075120.2
申请日：2022-01-22
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其生瓷带制备方法，属于电子元器件领域。所述低温共烧陶瓷材料，包括：15％～50％的钾硼硅玻璃、15％～55％的氧化铝、40％～80％的氧化硅及3％～20％的氧化硼；所述钾硼硅玻璃的主原料包括氧化钾、氧化硼、氧化硅；所述氧化硅的粒径D50为1.5μm～2.5μm，所述氧化铝的粒径D50为3μm～6μm。所述生瓷带制备方法包括配料、一次球磨、高温熔炼、二次球磨、流延配料、丝网印刷、低温烧结等步骤。解决了现有LTCC材料在15GHZ高频下相对介电常数高，介电损耗高的问题。广泛应用于5G高频产品中。
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公开(公告)号：CN113096961A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110388797.7
申请日：2021-04-12
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
Abstract: 一种多层瓷介电容器及其端面金属化方法，包括多层陶瓷介质、每层陶瓷介质上内部电极、P型电极引出端；P型电极引出端上电极及下电极分别位于多层瓷介电容器厚度方向的两侧面；采用蘸浆端涂工艺进行引出端电极制备，解决了依赖于高精度设备和工装夹具的问题；采用薄膜溅射工艺进行引出端电极制备，提高了端电极的致密性，解决了端涂工艺制备样品推球试验不合格问题。采用P型电极引出端设计有效地减小了电流路径，提高谐振频率。采用金作为端电极材料，解决了Ag/Pd电极在高温高湿环境下的银迁移、Ni/Cu电极在高温环境下氧化的问题。该金属化方法广泛应用于传统MLCC以及具有P型电极引出端结构的电阻、电感等片式元件端电极的制备。
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公开(公告)号：CN107117946B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710305568.8
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , B24B35/00
Abstract: 本发明公开了99.6％Al2O3陶瓷基片减薄方法及由该方法制得的陶瓷基片以及包含该陶瓷基片的电子元器件。本发明方法具有加工效率高、厚度精度高、精度重复性好、加工表面质量高等优点，本发明方法可实现陶瓷基片大批量自动化生产，且对于实际生产具有重要的实用价值。同时，本发明所提供的的具有陶瓷基片精度和均匀性好，且表面粗糙度低等优点，适于作为高精密薄膜元器件的基板或者应用于其他电子元器件中。
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公开(公告)号：CN107226681B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710457775.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC: H01C7/04 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种低电阻率抗老化NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，由配方原料：yLaMnO3‑(1‑y)Co1.45Mn1.55‑xNixO4，x值≤0.7，y≤0.3制成。其制备方法包括(1)配料、烘干、预烧、混料、造粒、排胶和烧结工艺、涂银等步骤，本发明所研制的NTC材料配方具有低电阻率，老化性能优异，经过150℃下200h的老化，R(阻值)与B(材料常数)的变化率均小于1％，采用该材料制备的热敏元器件具有高精度、长寿命、高可靠等优点。
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