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公开(公告)号：CN114200504B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111517466.5
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明公开了用于模拟β辐射源的电子束发生器及测试方法，电子束发生器包括电子光学系统，所述电子光学系统包括电子枪、正极、一级磁透镜和二级磁透镜；所述电子枪用于在尖端发射电子，所述电子枪与电压范围为0‑60kV的高压电源连接；所述正极设置在电子枪后端；用于加速在尖端发射的电子；所述一级磁透镜设置在正极后端，用于汇聚加速后的电子；所述二级磁透镜设置在一级磁透镜后端，用于将过焦点再次发散的电子束变成平行电子束。本发明所述电子束发生器不仅能够模拟β辐射源，且能够可产生能量密度不同的加速电子面光源，能够提高束流测量的准确性。
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公开(公告)号：CN114203329A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518689.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法，GaN基肖特基二极管，包括n型GaN薄膜、金属层和石墨烯，所述n型GaN薄膜置于金属层和石墨烯之间，所述金属层和石墨烯分别作为GaN基肖特基二极管的底电极和顶电极。本发明所述GaN基肖特基二极管中的n型GaN薄膜采用外延生长技术获得，具有超薄的优点，且本发明的GaN基肖特基二极管中采用石墨烯作为电极，使得制备的GaN基肖特基二极管不仅具有厚度薄的优点。
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公开(公告)号：CN114196995A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111517520.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C25D3/12 , C25D5/48 , C25D5/54 , C25D21/12 , C30B25/18 , C30B29/02 , C23C26/00 , C23F1/18 , G21G4/04
Abstract: 本发明公开了一种超薄β辐射源的转移制备方法及β辐射源和应用，转移制备方法以PMMA/石墨烯薄膜作为阴极，Pt片作为阳极，采用电沉积方式在石墨烯表面沉积β辐射源形成膜层，电沉积所采用的沉积液包括以下组分：β辐射源、硼酸和氯化铵。本发明以PMMA/石墨烯薄膜作为阴极进行电沉积制备β辐射源，可将β辐射源均匀沉积至厚度为纳米级的石墨烯上，使制备得到β辐射源厚度约为1μm的超薄石墨烯/β辐射源。避免了β辐射源由于自屏蔽相应的原料浪费，且便于组装为超薄核电池，应用于微型元器件中。
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公开(公告)号：CN113866818A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111199580.8
申请日：2021-10-14
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种堆外探测器中子灵敏度校准装置及方法，该装置包括线中子源、贮源容器、屏蔽体、慢化体、探测器定位孔和校准孔道；线中子源用于产生快中子；屏蔽体用于该装置在工作状态时屏蔽线中子源；慢化体用于将线中子源产生的快中子慢化成热中子；校准孔道作为热中子形成的热中子场所在的空间，用于反射热中子提高热中子注量率；堆外探测器通过探测器定位孔放置于该校准装置的热中子场中，且探测器根据检定人员通过控制系统发出的指令可沿探测器孔道上下移动。本发明装置操作简便，是目前国内唯一堆外探测器中子灵敏度校准装置，可以产生符合要求的热中子场用于中子灵敏度的校准，为反应堆的安全运行提供了可靠的计量保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730408A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411580739.4
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明属于核科学与光学技术领域，涉及一种多层膜结构的选择性发射极及其制备方法。多层膜结构的选择性发射极包括：在镀膜基板上依次交替设有的高折射率难熔膜层和低折射率难熔膜层，高折射率难熔膜层和低折射率难熔膜层共为2～3层，高折射率难熔膜层的厚度不大于500nm，低折射率难熔膜层的厚度不大于100nm。制备方法为采用真空镀膜方法在镀膜基板上依次交替沉积高折射率难熔膜层与低折射率难熔膜层。本发明的选择性发射极，在1473K环境下长期工作性能基本不变，且具有优良的光谱的选择性发射功能，光谱中红外光伏器件匹配的波段占比大于59％，制备方法简易可控，适用于多种红外光伏器件所匹配的选择性发射极。
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公开(公告)号：CN114203330B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111518716.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
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公开(公告)号：CN114203326B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111517496.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜及其制备方法、应用，其制备方法包括以下步骤：S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜。通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍‑63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。
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公开(公告)号：CN116500669A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310664851.5
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种可移动式自动定位现场校准测试系统，所述测试系统包括脉冲辐照装置、三维移动平台、校准装置、传感装置和控制装置；脉冲辐照装置、校准装置、传感装置和控制装置均安装在所述三维移动平台上；控制装置与脉冲辐照装置、三维移动平台、校准装置、传感装置均电连接；本发明根据报警探测仪器所在位置，自动控制平台移动至最佳探测位置处，同时根据校准装置发出的靶信号位置影像得到脉冲辐照装置的空间位置偏差值，根据该空间位置偏差值自动控制平台对脉冲辐照装置进行多方向位移的高精度调节，从而使得脉冲辐照装置的发射窗口与被校仪器对齐。本发明提出的测试系统无需人工干预，能够快速准确自动实现固定式辐射报警仪的校准。
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公开(公告)号：CN114203327A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518663.9
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种p‑i‑n结及制备方法、二极管和β核电池，p‑i‑n结由下到上依次为GaN缓冲层、GaN的n型掺杂层、掺入层i层和GaN的p型掺杂层，所述掺入层i层为由不同带隙的半导体材料薄层周期性地交替生长而成的量子阱结构，所述不同带隙的半导体材料包括GaN，还至少包括一种比GaN更宽带隙的半导体材料。本发明一方面通过增大耗尽区的宽度来增加电子空穴对的收集空间，减少扩散运动所带来的影响，从而可以产生更多的载流子，获得更大电流，另一方面引入了更宽带隙的半导体，有利降低由载流子扩散引起的反向饱和电流获得更高的开路电压，进而获得更高的能量转换效率。
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