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公开(公告)号：CN119729920A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411582141.9
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本申请实施例公开了一种小型热光电系统模拟热源包括了壳体、支撑体、辐射器和加热组件，本申请实施例提供的小型热光电系统模拟热源的支撑体内限定出容置槽，通过支撑体和壳体的设置再结合发热器件设置在辐射器的下方，辐射器的下侧面、容置槽的槽底、容置槽的槽壁可以围合形成相对封闭的容置空间，电加热组件的发热器件悬设在该容置空间内，采用这样的结构设置，减少了发热器件与其他部件材料的接触，可降低高温阶段模拟电源各部件之间的互相影响，有利于避免不必要的传导漏热，使得更多的热能能够供给到辐射器，从而可使模拟热源小型化的同时仍然具有高能量密度，有效满足相关小型热光伏电源系统开发的需求。
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公开(公告)号：CN119698221A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411751702.3
申请日：2024-12-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明提供一种热光电转换装置及热光电转换系统。该热光电转换装置包括电热源、发射件和光伏器件，其中，电热源包括基体和钨金属件，基体为多面体且其中至少有两个面为嵌设有钨金属件的加热面，钨金属件用于向外释放热能，发射件的数量与加热面的数量相同并一一对应设置于加热面的外侧，发射件用于将钨金属件释放的热能转换为光能并向外发射，光伏器件设置于发射件的外侧并用于将发射件发射的光能转换为电能。这样，可以有效提高电热源可以达到的最高温度。电热源输出能量更高，且电热源的体积相对较小，更为接近真实的热源，模拟的效果更好，模拟实验得出的数据更准确。
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公开(公告)号：CN119495462A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410663574.0
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔SiC的肖特基结式β核电池及其制备方法，属于核电池技术领域；本发明的肖特基结式β核电池包括依次设置的下电极、高掺杂n型SiC衬底层、低掺杂n型SiC外延层、石墨烯上电极，所述高掺杂n型SiC衬底层的表面刻蚀有多孔纳米结构，肖特基结为三维结构；本发明的肖特基结式β核电池具有辐射面积大，入射粒子能量损失小，制作简单，能量转换效率高的特点。
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公开(公告)号：CN119490683A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411580738.X
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种自支撑聚苯胺薄膜的制备方法，将硅纳米粒子乙醇溶液喷涂在聚苯胺薄膜上，使得所述硅纳米粒子乙醇溶液中硅纳米粒子表面的羟基和所述聚苯胺薄膜中的对氨基苯甲酸中的羧基发生酯化反应形成改性粒子，使聚苯胺长链一端与改性粒子表面形成稳定化学键连接，并紧密嵌入到聚苯胺的导电网络中，同时硅纳米粒子覆盖层可有效隔绝酸性、碱性溶液对聚苯胺掺杂过程的破坏，提高薄膜导电性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN119291756A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411249091.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明涉及堆外探测器中子灵敏度校准技术领域，提供了堆外探测器中子灵敏度校准用镉套快速拆装装置及方法，装置包括：第一导轨；吊篮位移支架，其连接有用于驱动其沿纵向移动的纵向位移机构；第一导轨中部断开形成容纳口，吊篮位移支架底部设有第二导轨，当吊篮位移支架位于容纳口时，第二导轨与第一导轨共同形成横向导轨；用于装载堆外探测器的无镉套吊篮；用于装载堆外探测器的有镉套吊篮，有镉套吊篮和无镉套吊篮均能滑动地设置于横向导轨上；以及用于驱动有镉套吊篮和无镉套吊篮沿横向移动的驱动杆。本发明减少了校准过程中的工作量，提高了校准工作效率，避免了长期直接操作镉套带来的中毒风险。
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公开(公告)号：CN118584528A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410663568.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种用于63Ni电镀源表面发射率测量的法拉第筒，属于放射源表面发射率测量技术领域，解决现有技术中缺少针对63Ni电镀源的法拉第筒测量设备的技术问题；本发明包括设在真空腔室内的支撑筒，以及固定在支撑筒上的双层法拉第套筒、电镀源安装架和二次电子抑制装置，所述双层法拉第套筒包括内层的法拉第筒收集极和外层的法拉第筒屏蔽壳，所述法拉第筒收集极底部布满锯齿结构，所述电镀源安装架设在支撑筒顶部并向下延伸到法拉第筒收集极内部，所述二次电子抑制装置套接在电镀源安装架外；本发明实现了对于直径为1～80mm高活度63Ni电镀源表面发射率的稳定测量工作，具有测量快速、稳定好，操作简单，使用方便的特点。
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公开(公告)号：CN114203330A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518716.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
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公开(公告)号：CN114203328A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518664.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了基于ZnO纳米线阵列的三维MIS结构及其制备方法及β核电池，制备方法包括以下步骤：S1、水热生长ZnO纳米线阵列：采用由硝酸锌和六亚甲基四胺组成的生长溶液，通过水热反应在目标基底上形成ZnO纳米线阵列；S2、采用ALD法在步骤S1制备的ZnO纳米线阵列表面沉积绝缘层；S3、采用ALD法在步骤S2制备的绝缘层表面沉积辐射源层。通过本发明所述制备方法制备的三维MIS结构不仅能够提高辐射源与换能器件的接触面积，进而提高辐射源的利用率，且辐射源可作为肖特基结的金属材料，从而简化了电池结构。
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公开(公告)号：CN114188064A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111518719.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种PIN结β核电池及其制备方法和电池组，制备方法包括以下步骤：S1、在蓝宝石衬底上，通过金属有机化学气相沉积生长GaN外延片，获得蓝宝石基底的p‑i‑n型GaN薄膜；S2、采用激光剥离去除蓝宝石衬底获得p‑i‑n型GaN薄膜；S3、将步骤S2获得的p‑i‑n型GaN薄膜制备成GaN基p‑i‑n二极管；S4、将步骤S3获得的GaN基p‑i‑n二极管与β辐射源薄膜组装形成PIN结β核电池。通过本发明所述方法制备的GaN基p‑i‑n二极管的整体厚度可降至10～100μm，能够降低PIN结β核电池的厚度。
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公开(公告)号：CN114188062A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111537071.1
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/04
Abstract: 本发明公开了大功率堆叠β核电池、双端二氧化钛β核电池及制备方法，大功率堆叠β核电池，由若干换能单元逐级堆叠形成，所述若干换能单元包括双端TiO2纳米管阵列薄膜，所述双端TiO2纳米管阵列薄膜的一端设置有辐射源薄膜；所述双端TiO2纳米管阵列薄膜包括钛片，所述钛片的两端均通过阳极氧化法生长形成TiO2纳米管阵列薄膜。本发明由阳极氧化法制备的双端TiO2纳米管阵列薄膜结合超薄辐射源得到超薄β核电池器件极大的降低了器件重复单元的厚度；利用本发明得到的TiO2基堆叠β核电池厚度可控，功率密度大幅提高，应用范围广泛。
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