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发明公开
一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法审中-实审

公开(公告)号：CN119644083A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411740966.9

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 何玉娟 , 章晓文 , 雷志锋 , 张战刚 , 彭超 , 马腾 , 张鸿 , 恩云飞 , 杨银堂

IPC: G01R31/26 , G01R31/265

Abstract: 本发明公开提供了一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，包括综合效应试验装置，将样品放入综合效应试验装置内，对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度；通过实验计算出样品的寿命时间，本发明在大气中子辐射环境中，对纳米FinFET器件进行经时击穿试验测试，以评估纳米FinFET器件在地面和飞行高度上的综合应力影响，无需单独进行两次试验进行评估，更加方便、快捷。

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