公开(公告)号：CN114291959A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202210225886.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 中国电子工程设计院有限公司

Inventor： 郑伟 ,  程星华 ,  杨光明 ,  李锦生 ,  刘澈 ,  王鹏

IPC: C02F9/10 ,  C02F103/04

Abstract: 本发明公开一种有效去除总有机碳和弱离子化杂质的超纯水制备方法，包括：对原水进行预处理，得到过滤水，预处理包括至少一次过滤处理；对过滤水进行浅除盐操作，得到一次纯水，浅除盐操作包括对过滤水进行至少一次反渗透处理；对一次纯水进行深除盐操作，得到二次纯水，深除盐操作包括使一次纯水依次经过连续电除盐系统（31）、光催化真空紫外氧化器（32）、弱酸盐脱除塔（33）和氮气真空混合式膜脱气装置（34）进行处理；对二次纯水进行抛光处理，得到超纯水。上述方案能更有效地减少水中总有机碳和弱离子化杂质，从而使所制备的超纯水稳定满足新版国际标准ASTM D5127‑13（2018）《电子和半导体工业用超纯水的标准指南》中E‑1.1及以上要求。

公开(公告)号：CN114291959B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210225886.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 中国电子工程设计院有限公司

Inventor： 郑伟 ,  程星华 ,  杨光明 ,  李锦生 ,  刘澈 ,  王鹏

IPC: C02F9/10 ,  C02F103/04

Abstract: 本发明公开一种有效去除总有机碳和弱离子化杂质的超纯水制备方法，包括：对原水进行预处理，得到过滤水，预处理包括至少一次过滤处理；对过滤水进行浅除盐操作，得到一次纯水，浅除盐操作包括对过滤水进行至少一次反渗透处理；对一次纯水进行深除盐操作，得到二次纯水，深除盐操作包括使一次纯水依次经过连续电除盐系统（31）、光催化真空紫外氧化器（32）、弱酸盐脱除塔（33）和氮气真空混合式膜脱气装置（34）进行处理；对二次纯水进行抛光处理，得到超纯水。上述方案能更有效地减少水中总有机碳和弱离子化杂质，从而使所制备的超纯水稳定满足新版国际标准ASTM D5127‑13（2018）《电子和半导体工业用超纯水的标准指南》中E‑1.1及以上要求。

公开(公告)号：CN216918894U

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202220505715.2

申请日：2022-03-09

Applicant: 中国电子工程设计院有限公司

Inventor： 郑伟 ,  程星华 ,  杨光明 ,  李锦生 ,  刘澈 ,  王鹏

IPC: C02F9/08 ,  C02F101/30

Abstract: 本实用新型公开一种有效去除水中低分子有机物和弱电离杂质的除盐系统，包括：预处理系统(10)，预处理系统(10)对原水进行预处理，得到过滤水，预处理系统(10)包括过滤装置；浅除盐系统(20)，浅除盐系统(20)对过滤水进行浅除盐操作，得到一次纯水，浅除盐系统(20)包括反渗透处理装置；深除盐系统(30)，深除盐系统(30)对一次纯水进行深除盐操作，得到二次纯水；抛光系统(40)，抛光系统(40)与氮气真空混合式膜脱气装置(34)连通，抛光系统(40)对二次纯水进行抛光处理。上述方案能更有效地减少水中低分子有机物和弱电离杂质，使制备的超纯水满足新版国际标准ASTM D5127‑13(2018)《电子和半导体工业用超纯水的标准指南》中E‑1.1及以上要求。