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公开(公告)号：CN119363075A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411932654.8
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司信息科学研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本公开实施例提供了一种正交信号生成电路及电子设备，包括：单转差模块、正交分频模块和输出模块；用于将输入的第一信号转换后输出为四路目标正交信号。本公开实施例提供的正交信号生成电路，该电路可实现高一致性的超宽频带正交信号输出，可以为正交变频收发机提供高质量的本振信号；收发机可以利用该本振信号，抑制镜像信号的干扰和信号辐射的杂散。该电路还可以直接生成预设占空比的四路正交信号，降低混频器的镜像电流，并且有足够的驱动能力能够提供给混频器足够的栅极开启电压。该正交信号生成电路还具有面积小、功耗低等优势，解决了相关技术中正交信号生成电路存在的问题。
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公开(公告)号：CN119363075B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411932654.8
申请日：2024-12-26
Applicant: 中国电子科技集团公司信息科学研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本公开实施例提供了一种正交信号生成电路及电子设备，包括：单转差模块、正交分频模块和输出模块；用于将输入的第一信号转换后输出为四路目标正交信号。本公开实施例提供的正交信号生成电路，该电路可实现高一致性的超宽频带正交信号输出，可以为正交变频收发机提供高质量的本振信号；收发机可以利用该本振信号，抑制镜像信号的干扰和信号辐射的杂散。该电路还可以直接生成预设占空比的四路正交信号，降低混频器的镜像电流，并且有足够的驱动能力能够提供给混频器足够的栅极开启电压。该正交信号生成电路还具有面积小、功耗低等优势，解决了相关技术中正交信号生成电路存在的问题。
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公开(公告)号：CN117525014A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311522980.7
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸铜‑碳纳米管电热同传TSV结构及制备方法，以环形铜作为电信号传输层，以碳纳米管作为中心填充支撑结构，能够实现良好的层间散热功能，进一步实现具有电热同传功能的大尺寸TSV结构。对TSV传热能力进行极大提升，从而使集成系统的热管理问题得到改善。此外，碳纳米管填充同时为TSV结构的热‑机械可靠性的提升提供了帮助。所提出的制备方法是一种具有低成本、低工艺温度、低工艺复杂度的可行的实施方式。
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公开(公告)号：CN114421112A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116631979A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310840455.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
IPC: H01L23/522 , H10N97/00
Abstract: 本发明涉及三维结构电容技术领域，具体涉及一种阵列电容单元、阵列电容组件及其制备方法和应用，该阵列电容单元以及基于该阵列电容单元的阵列电容组件结合了TSV技术构建三维电容，此类阵列电容单元、组件通过利用垂直方向的空间，有效减小了平面上的占用面积；同时，上述的阵列电容单元可进行任意方向的拓扑，从而形成具有特定电容值的阵列电容组件。
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公开(公告)号：CN114421112B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210059307.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络，包括完全相同的三个片上混合型差分正交耦合器，即片上混合型差分正交耦合器A、片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C；所述片上混合型差分正交耦合器B和片上混合型差分正交耦合器C均由片上混合型差分正交耦合器A平移得到，并且所述片上混合型差分正交耦合器B与片上混合型差分正交耦合器C呈轴对称分布。本发明的高集成度片上超宽带差分正交信号生成网络中采用级联混合型差分正交耦合器的方式，使用相对较小的芯片面积实现适用于超宽带差分信号处理电路的正交耦合器，集成度高，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114257212A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111572960.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京理工大学重庆微电子中心 , 北京理工大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种双调幅电路及可变增益移相器，该双调幅电路通过第一可调电流源和第二可调电流源调节输入级的电流，通过第三可调电流源、第四可调电流源调节中间级的电流，能够实现两种角度的幅度调节，增大电路的幅度调制范围，提高调制精度。本发明的可变增益移相器，基于有源矢量合成结构，通过采用上述的双调幅电路，用一个模块替代传统相控阵系统中的移相器和衰减器两个模块，实现幅度和相位的高精度调制，显著减少相控阵系统的元器件个数，能够有效解决相控阵芯片面积大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN104953975A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510406727.4
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种桥式差分无源衰减器，属于射频集成电路领域。桥式差分无源衰减器主体电路包括跨接在差分输入端正端与差分输出端正端的第一N型管、跨接在差分输入端正端与差分输出端负端的第二N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端正端的第三N型管、跨接在差分输入端负端与差分输出端负端的第四N型管，通过调节第一至第四N型管的源级、漏极和栅极电压来改变其导通电阻的大小，完成信号衰减的功能。源跟随器电路的输出信号作为差分输入端与差分输出端的直流偏置，使第一至第四N型管的导通电阻与阈值电压无关，减小了由于温度变化、生产工艺的偏差等因素引起的衰减器衰减量的变化。
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公开(公告)号：CN119210353A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211565580.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明属于射频集成电路和混频器技术领域，涉及一种采用二阶交调校准的CMOS零中频混频器。所述混频器改进吉尔伯特单元的结构，包括吉尔伯特单元、一对PMOS管及校准电路；一对PMOS管用于降低闪烁失真，所述校准电路位于吉尔伯特单元负载及输出端，通过调制负载电阻大小校准二阶交调，将多种影响二阶交调失真的因素通过调制负载电阻进行等价替换，将一侧负载电阻使用一个k‑bit电阻调制模块来替代，k位于3到10之间。所述混频器解决了多因素导致双平衡混频器电路失配问题并有效降低了二阶交调失真；降低了闪烁噪声、提高射频端与本振端的隔离度、减小本振泄漏以及直流失调，同时也简化了电路操作难度，有效提升了电路性能。
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