公开(公告)号：CN115622531A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211161781.3

申请日：2022-09-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所

Inventor： 白晓园 ,  马宁 ,  廖翱 ,  周俊 ,  李玲玉 ,  任泽梅 ,  张童童 ,  兰伯章 ,  张安 ,  卢子焱 ,  刘云刚 ,  范艺萱 ,  易雪雅 ,  张坤 ,  宋艺林

IPC: H03H9/56 ,  H03H9/58

Abstract: 本发明提供了一种FBAR陷波器的宽带POC集成结构，包括FBAR陷波器芯片与宽带匹配电路结构，所述宽带匹配电路结构包括一介质基板，介质基板表面设有一用于粘接FBAR器件的金属图形区域、两个射频接口、至少一个接地焊盘以及至少两个二维平面螺旋形式的匹配电感；所述FBAR陷波器芯片安装在金属图形区域，其射频端口分别对应与射频接口连接，其接地端口与接地焊盘连接；所述两个射频接口均分别通过匹配电感接至接地焊盘。本发明有效解决了阻带抑制与通带驻波相互矛盾的问题，还优化了插损驻波特性，大幅提高了通带带宽，实现了小型化、低插损、低驻波、3.5倍频宽通带的FBAR陷波性能。