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公开(公告)号：CN115101911A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202211022289.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明提供了一种超宽带高线性小型化双向耦合电路芯片。包括耦合基片以及设在所述耦合基片上的主传输线、耦合传输线、接地焊盘、匹配枝节、耦合电阻和50欧姆接地电阻；主传输线与耦合传输线为物理上正交的结构设置，两者通过耦合电阻连接；主传输线的中部切去了250um×10um微带区域构成匹配枝节；耦合传输线通过50欧姆接地电阻连接有接地焊盘。本发明基于电阻耦合的方式实现超宽带、高线性、小型化双向耦合电路，实现了高精度耦合参数提取，提高了电路集成度。
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公开(公告)号：CN114824721A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210448779.8
申请日：2022-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供一种超宽带小型化功分器，包括：两个相同的互感耦合线圈；连接两个互感耦合线圈的输入端口的第一级电阻网络；连接两个互感耦合线圈的中间端口的第二级RC网络和调谐电容；连接两个互感耦合线圈的输出端口的第三级RC网络；设置在第二级RC网络两端的接地柱。本发明能够实现极宽的工作频带，并具有紧凑的电路结构和极小的芯片尺寸。该超宽带小型化功分器可作为单独的功分器芯片应用或作为电路组成部分应用于集成电路中。
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公开(公告)号：CN116260441A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310082375.6
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H03K17/51 , H03K17/00 , H03K19/0175 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片，包括设置于砷化镓PHEMT半导体电路层上的开关矩阵电路，所述开关矩阵电路包括m个输入端、m个开关结构、垂直过渡结构、n个功分器、n个输出端，所述垂直过渡结构设置为共面波导的结构形式，所述输入端电连接所述开关结构的信号输入端，所述开关结构的信号输出端电连接所述垂直过渡结构和所述功分器的信号输入端，所述垂直过渡结构的信号输出端电连接所述功分器的信号输入端，所述功分器的信号输出端电连接所述输出端。采用砷化镓pHEMT工艺实现高集成开关矩阵芯片，该开关矩阵芯片集成多个开关和功分器，并集成高隔离垂直过渡结构，可实现高隔离、低损耗功能。
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公开(公告)号：CN115622531A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211161781.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供了一种FBAR陷波器的宽带POC集成结构，包括FBAR陷波器芯片与宽带匹配电路结构，所述宽带匹配电路结构包括一介质基板，介质基板表面设有一用于粘接FBAR器件的金属图形区域、两个射频接口、至少一个接地焊盘以及至少两个二维平面螺旋形式的匹配电感；所述FBAR陷波器芯片安装在金属图形区域，其射频端口分别对应与射频接口连接，其接地端口与接地焊盘连接；所述两个射频接口均分别通过匹配电感接至接地焊盘。本发明有效解决了阻带抑制与通带驻波相互矛盾的问题，还优化了插损驻波特性，大幅提高了通带带宽，实现了小型化、低插损、低驻波、3.5倍频宽通带的FBAR陷波性能。
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公开(公告)号：CN115101911B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211022289.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明提供了一种超宽带高线性小型化双向耦合电路芯片。包括耦合基片以及设在所述耦合基片上的主传输线、耦合传输线、接地焊盘、匹配枝节、耦合电阻和50欧姆接地电阻；主传输线与耦合传输线为物理上正交的结构设置，两者通过耦合电阻连接；主传输线的中部切去了250um×10um微带区域构成匹配枝节；耦合传输线通过50欧姆接地电阻连接有接地焊盘。本发明基于电阻耦合的方式实现超宽带、高线性、小型化双向耦合电路，实现了高精度耦合参数提取，提高了电路集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115396048B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210809025.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供了一种无源宽带正交信号校准电路和系统，包括：正交校准单元，所述正交校准单元设有I+输入端、I‑输入端、Q+输入端、Q‑输入端、I+输出端、I‑输出端、Q+输出端和Q‑输出端；所述正交校准单元包括第一正交耦合器、第二正交耦合器、第三正交耦合器和第四正交耦合器；上述任一正交耦合器均包括输入端、耦合端、直通端和隔离端；若干个所述正交校准单元相互级联。本发明提出一种无源宽带正交信号校准电路，能够在无校准反馈环路或电路重构的情况下，同时减小整个工作频段内正交信号的幅度、相位失配。该正交校准电路采用无源结构，不产生额外功耗，对集成电路制造工艺节点无要求，无截止频率的限制，适合用于毫米波/微波系统。
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公开(公告)号：CN116190944B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211411482.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明公开了一种有源双向谐振腔移相器，包括端口P1‑P4、晶体管M1‑M4、电流源晶体管M5和M6、中心抽头电感L1和L2、耦合传输线DTL1‑DTL4，其中晶体管M1‑M4的栅极分别连接端口P1‑P4，中心抽头电感L1和L2相互缠绕，形成耦合线圈TF1，耦合传输线DTL1、DTL2和耦合线圈TF1形成发射耦合谐振腔，耦合传输线DTL3、DTL4和耦合线圈TF1形成接收耦合谐振腔，通过数字信号能够控制耦合传输线DTL1‑DTL4的对地电容，从而改变耦合谐振腔的谐振特性，实现数控移相。本发明最大限度地复用了电路单元，使接收通道和发射通道共用一套硬件资源，极大缩小了版图面积，从而降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN115407261A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210808702.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供了一种有源片上和差器与和差波束网络，包括：信号输入转换单元，用于将输入射频信号A、B转换为差分信号A+，A‑，B+，B‑；有源和差运算单元，与信号输入转换单元相连，用于将信号输入转换单元输出的电压信号A+，A‑，B+，B‑转换为电流信号，并进行电流功分、求差、求和；信号输出转换单元，与有源和差运算单元相连，用于将电流信号转换为电压信号，并将(A+B)、‑(A+B)、(B‑A)、‑(B‑A)转换为单端信号A+B，B‑A；所述信号输入转换单元和信号输出转换单元还用于为有源和差运算单元提供直流偏置点。在原理和物理结构上保证了其具有非常理想的幅度、相位一致性；和差器不会引入插入损耗；和差器具有相对较宽的带宽；在版图上的面积开销非常小。
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公开(公告)号：CN115396048A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210809025.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
Abstract: 本发明提供了一种无源宽带正交信号校准电路和系统，包括：正交校准单元，所述正交校准单元设有I+输入端、I‑输入端、Q+输入端、Q‑输入端、I+输出端、I‑输出端、Q+输出端和Q‑输出端；所述正交校准单元包括第一正交耦合器、第二正交耦合器、第三正交耦合器和第四正交耦合器；上述任一正交耦合器均包括输入端、耦合端、直通端和隔离端；若干个所述正交校准单元相互级联。本发明提出一种无源宽带正交信号校准电路，能够在无校准反馈环路或电路重构的情况下，同时减小整个工作频段内正交信号的幅度、相位失配。该正交校准电路采用无源结构，不产生额外功耗，对集成电路制造工艺节点无要求，无截止频率的限制，适合用于毫米波/微波系统。
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公开(公告)号：CN114725068A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210176472.7
申请日：2022-02-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/538 , H01L25/18 , H01F17/00
Abstract: 本发明公开了一种保持元件高Q值的低剖面三维集成射频模组，包括底层芯片和设置在底层芯片上方的高精度转接基片，所述底层芯片和高精度转接基片通过互连凸点集成在一起；所述底层芯片正面上设有滤波电路、第一信号焊盘和第一接地焊盘，所述底层芯片背面设有金属地，所述第一接地焊盘与金属地相连；所述高精度转接基片背面上设有第二信号焊盘和第二接地焊盘，所述第二信号焊盘通过互连凸点与第一信号焊盘对应互连，所述第二接地焊盘通过互连凸点与第一接地焊盘对应互连；所述高精度转接基片正面固定设有放大类芯片和混频类芯片。本发明保证了宽带射频芯片射频接地需求。
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