基于合成器的环内混频式锁相环

    公开(公告)号:CN110719099B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201911138488.3

    申请日:2019-11-19

    Abstract: 本申请涉及一种基于合成器的环内混频式锁相环。以解决现有复杂环内混频式锁相环频率预置问题,并综合提升其基础参数指标。本申请频率预置模式形成电路,用于根据第一参考信号形成第一工作电压;环内混频电压形成电路,用于根据合成器输出的外部反馈信号,形成第二工作电压;合成器,当环内混频式锁相环工作在第一工作电压、第二工作电压时,分别对应工作于频率预置模式、环内混频模式;通过频率预置模式与环内混频模式两个工作模式的切换,合成器锁定振荡信号频率等于或接近于目标频率;其中,环内混频式锁相环首先工作于频率预置模式。

    一种低杂散DDS扩频装置及方法

    公开(公告)号:CN115208384B

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211120866.7

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明提供了一种低杂散DDS扩频装置及方法,包括:频率发生器、M路功分器、DDS电路、M‑1个混频分频电路、混频电路,频率发生器输出端与M路功分器连接,M路功分器的M路输出端分别和M‑1级混频分频电路、混频电路的LO输入端连接,DDS电路的输出端连接至第一级混频分频电路的IF输入端,每一级混频分频电路的输出端依次连接到下一级混频分频电路的IF输入端,第M‑1级混频分频电路的输出端接至混频电路的IF输入端,混频电路输出端输出最终的扩频输出信号。本发明能够将DDS频率扩展到更高频段,同时利用分频器的特性优化DDS杂散,使扩展后的DDS电路具有高频段、低杂散同时兼具固有的细布进、捷变频等优点。

    一种超低相位噪声放大电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118353386A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410308507.7

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本发明提供了一种超低相位噪声放大电路,包括N个非门与跨接电阻,所述N个非门的输入端之间并联,N个非门的输出端之间并联,用于降低相位噪声;所述跨接电阻的第一端与N个非门并联后的输入端连接,跨接电阻的第二端与N个非门并联后的输出端连接,用于完成自偏置。本发明提出的超低相位噪声放大电路具有相位噪声低、工作频率范围宽、应用简单且适用范围广、工作电压低、输出功率高、成本低及自主可控等特点。

    全相参基准信号产生电路、组合电路及控制方法

    公开(公告)号:CN115694475B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211715277.3

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种全相参基准信号产生电路、组合电路及控制方法,该电路包括依次环路连接的锁相环芯片、环路滤波器、电压‑频率器件和交叉选择模块构成的锁相环,由锁相环的射频通道输出端和参考通道输出端作为第一信号输出端和第二信号输出端,由设置于所述电压‑频率器件与所述交叉模块之间的分路器引出第三信号输出端。本发明通过交叉选择可按需选取电压‑频率器件、基准信号与参考信号输入端、射频信号输入端的对应连接关系,由此,选取第一信号输出端、第二信号输出端或第三信号输出端输出一个或多个全相参考信号,解决了目前基准信号产生电路的工作频率范围不宽、无法实现多路同时输出、成本高、功耗大、输出频率灵活性不高的技术问题。

    一种应用于锁相环的多段式VCO频率校准方法

    公开(公告)号:CN113285712B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202110448664.4

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种应用于锁相环的多段式VCO频率校准方法,包括步骤:S1,校准开始;S2,开始后,控制单元的控制器判断锁相环是否锁定;如果未锁定,返回步骤S1;如果锁定并且此时的校准次数k>1,则进入步骤S3;如果锁定并且此时k=1,进入步骤S4;S3,将已锁定的频率值记录在控制单元的存储器中,该频率值为校准后的频段n的最高频率Fmax_n;S4,对校准次数k计数减1,并且赋值到k,覆盖上一个k值,即k=k‑1等;本发明能够保证不同批次间多段式VCO、全温(高温、低温、常温)状态下同批次多段式VCO频率分段均能完全覆盖宽带频率范围,并且提高频率校准精度等。

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