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公开(公告)号:CN119630272A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411758102.X
申请日:2024-12-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用X射线辐照产生氧空位的忆阻器制作方法,包括:取一阻变层;在阻变层的顶面和底面分别沉积形成顶面绝缘层和底面绝缘层;在顶面绝缘层刻蚀形成顶面方孔阵列,在底面绝缘层刻蚀形成底面方孔阵列在顶面方孔中分别形成顶电极,在底面方孔中分别形成底电极;采用X射线照射阻变层,在阻变层的预定区域内生成所需的氧空位浓度梯度。本发明中,采用X射线辐照有效控制氧空位浓度分布,相比传统的气体离子注入方法具有工艺简单、空位生成控制精准、能量消耗低的优势,特别适用于高辐射环境和要求高性能的非易失性存储器应用。
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公开(公告)号:CN119354888A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411485626.6
申请日:2024-10-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明属于微系统集成技术领域,尤其涉及一种三维集成气体传感架构,包括光电转接板,具有第一光面和第二光面,第一光面上倒装设置有光源模块、滤波器模块和光电探测器模块;硅基转接板,位于光电转接板下方,具有第一硅基面和第二硅基面,第一硅基面上倒装设置有放大器模块、模数转换器模块和逻辑处理模块,且模数转换器模块位于放大器模块和逻辑处理模块之间,光电探测器模块与放大器模块电连接,光电转接板的第二光面与硅基转接板的第一硅基面通过第一焊球组连接;印制电路板,硅基转接板的第二硅基面通过第二焊球组连接于印制电路板上;外壳,封装于印制电路板上。本发明体积紧凑且功耗低,可以实现多种气体的远程实时监测。
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公开(公告)号:CN117936476A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202311754232.1
申请日:2023-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L23/38 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本申请提供一种用于2.5D以及3D封装的散热结构,包括:基板;热电制冷芯片,其部分嵌入所述基板,使得其吸热面与所述基板接触,散热面远离所述基板;芯片堆叠结构,其设置于所述基板背离所述热电制冷芯片的一侧,且所述芯片堆叠结构与所述热电制冷芯片之间通过散热通道连通。本申请由于热电制冷芯片无机械移动部件、高可控性、长寿命的特点,使高密度堆叠芯片运行的故障率显著降低,从而提供了芯片散热结构更高的可靠性。
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