公开(公告)号：CN117936476A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311754232.1

申请日：2023-12-19

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张德 ,  崔伟 ,  张正元 ,  张培健 ,  徐学良 ,  陆科 ,  陈容 ,  魏佳男

IPC: H01L23/38 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 本申请提供一种用于2.5D以及3D封装的散热结构，包括：基板；热电制冷芯片，其部分嵌入所述基板，使得其吸热面与所述基板接触，散热面远离所述基板；芯片堆叠结构，其设置于所述基板背离所述热电制冷芯片的一侧，且所述芯片堆叠结构与所述热电制冷芯片之间通过散热通道连通。本申请由于热电制冷芯片无机械移动部件、高可控性、长寿命的特点，使高密度堆叠芯片运行的故障率显著降低，从而提供了芯片散热结构更高的可靠性。

公开(公告)号：CN102664148B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210153851.0

申请日：2012-05-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 王大平 ,  梁涛 ,  周世远 ,  张正元 ,  曹阳

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规腐蚀方法的一次腐蚀多个硅片，只能适合本发明的单片逐一腐蚀，因此本发明方法在原材料成本控制上优于常规腐蚀方法。本发明方法通过采用固定支架的培养皿，有效解决了常规方法的操作不便问题；通过采用单独放置硅片的带提手的工夹具，有效解决了常规腐蚀方法的过腐蚀问题。本发明方法在腐蚀NiCrSi膜后，硅片表面由硫酸铈造成的点子缺陷小于20个/视场，其加工的表面镜检合格率能达90%以上。

公开(公告)号：CN102358616A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110351674.2

申请日：2011-11-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 兰贵明 ,  张正元 ,  梅勇

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种玻璃管与MEMS芯片气密性烧结装置，它包括主体机座、加热炉体、升降调节件和升降压力调节手柄，截止阀和抽气连接件等。本发明的装置中，采用两个MEMS芯片与玻璃管烧结在一起，玻璃管与抽真空设备相连抽真空，让玻璃管与通过玻璃粉将两个MEMS芯片烧结在一起，形成真空微腔，解决了传统装置中的玻璃浆料烧结产生的有机气体释放于真空微腔中无法排除的问题，其真空度可达5×10-6Pa，并提高了高精度谐振型压力传感器产品的合格率。本发明适用于微机电系统制造中的谐振型压力传感器的封装工艺以及集成电路制造领域。

公开(公告)号：CN101673715A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910190948.7

申请日：2009-09-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 李荣强 ,  崔伟 ,  张正元

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种浅结互补双极晶体管的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片；2)在所述SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅发射极的纵向NPN管与纵向PNP管兼容的互补双极工艺，制作所述浅结互补双极晶体管。本发明方法提高了互补双极晶体管的耐压(BV CEO ＞5.0V)和厄利电压，同时也兼顾了其特征频率。本发明实现了大幅降低隔离结的漏电流，其浅结互补双极晶体管的漏电流小于10 -12 A。它广泛应用于高速互补双极工艺制造领域。

公开(公告)号：CN1632913A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410097520.5

申请日：2004-11-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 徐世六 ,  张正元 ,  刘玉奎 ,  杨国渝 ,  税国华

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明涉及一种在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法。该方法是首先将两硅片制作成硅薄膜厚度符合要求的硅薄膜—二氧化硅—硅键合片，其次将所述的硅薄膜—二氧化硅—硅键合片与具有图形氧化层的绝缘硅基衬底制作成硅—二氧化硅—硅薄膜—绝缘硅基衬底键合片，最后用腐蚀方法除去所述硅—二氧化硅—硅薄膜—绝缘硅基衬底键合片的硅薄膜表面上的硅—二氧化硅层，完成在带图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜。该方法用于微电子机械系统(MEMS)可动部件制造中。

公开(公告)号：CN119096725A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202480001303.7

申请日：2024-07-12

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 殷万军 ,  刘玉奎 ,  王志宽 ,  肖添 ,  陈姜龙 ,  张正元

IPC: H10N97/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开低噪声非线性校准工艺设计与镜像孪生集成电容器制造方法，方法步骤为：1)模拟集成电路的P型阱上方生长场氧化层；2)在N阱上方的场氧化层上淀积多晶电容器下极板多晶膜层并实施匹配注入掺杂；3)电容器介质层生长；4)淀积多晶电容器上极板多晶膜层以及保护膜层和结构制作；低噪声低失配非线性校准工艺设计与镜像孪生集成电容器包括衬底、N型埋层，P型埋层，外延层，N型阱、P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶薄膜层、二氧化硅介质层，氮氧化硅介质层，低介电系数填充膜层和金属互连膜层以及钝化层。本发明降低了寄生电容衬底噪声和串扰噪声的影响，实现了集成电容器的低噪声特性。

公开(公告)号：CN115295627A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211028299.2

申请日：2022-08-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 谭开洲 ,  肖添 ,  李孝权 ,  徐学良 ,  王颖 ,  江永清 ,  王育新 ,  李光波 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  吴健 ,  李儒章 ,  王志宽 ,  邱盛 ,  张培健 ,  张正元 ,  刘玉奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电阻场板结构构成π型组合电阻场板结构，在施加电压时，各个紧耦合的第二电阻场板结构形成向四周开放式发散的均匀的三维电场分布，优化了终端区对有源区中空间耗尽区电荷的引导束缚效果，进而提高了整个功率半导体器件的耐压性能，且形成的三维电场存在缝隙缺口，能适当地保持电力线连续，不至于让电场过度集中，提高了终端区及整个高压功率半导体器件的结构稳定性。

公开(公告)号：CN106960822A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710204738.3

申请日：2017-03-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张俊安 ,  臧剑栋 ,  张培健 ,  袁浚 ,  吴雪 ,  张正元 ,  徐世六 ,  李广军

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/576 ,  H01L23/5256

Abstract: 本发明公开了基于熔丝修调技术的集成电路自毁电路，接收模块，用于接收自毁命令和自毁密码；密码校验模块，用于完成自自毁密码校验防止误触发自毁；熔丝触发电路，用于在密码校验通过后向触发自毁控制模块发出触发信号；触发自毁控制模块，用于在接到熔丝触发电路输入的触发信号后，永久性熔断内部的熔丝电路中的熔丝；同时触发自毁控制模块产生一个伪随机码控制信号，该伪随机码控制信号用于控制数据流正常连接或交叉连接。本发明由于采用了熔丝修调技术，不改变集成电路的外部状态，更具安全性和隐蔽性；由于采用了伪随机码使得自毁后的集成电路功能异常的规律不容易被发现，更具迷惑性。

公开(公告)号：CN104677528B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510111170.1

申请日：2015-03-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张正元 ,  胡刚毅 ,  李勇建 ,  梅勇 ,  张志红 ,  李小刚

IPC: G01L1/14 ,  G01L9/12

Abstract: 本发明公开了一种电容式压力传感器，包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容，还包括导电单晶硅基底和设置在导电单晶硅可动电极板和导电单晶硅基底之间的导电支承结构，所述导电单晶硅可动电极板、导电单晶硅基底和导电支承结构中间形成密闭腔室，所述金属固定电极设置在密闭腔室内部的导电单晶硅基底上；所述导电单晶硅基底包括多个彼此绝缘的导电单晶硅块，所述多个导电单晶硅块中各块均不同时与导电单晶硅可动电极板和金属固定电极连通，但至少各有一块分别与导电单晶硅可动电极板和金属固定电极连通。本发明的电容式压力传感器电容变化值高，电路简化，结构杨氏模量高，测量结果精确且不易受外界环境影响。

公开(公告)号：CN101719482A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910191568.5

申请日：2009-11-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张正元 ,  梅勇 ,  冯志成 ,  李建根 ,  李小刚 ,  徐勇

IPC: H01L21/8222 ,  G01L1/18

Abstract: 本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同时也腐蚀出了压敏电阻下面的深槽，使压敏电阻成功地制作在可动的硅薄膜上，解决了压力传感器与电路加工工艺兼容的技术难题，实现了压力传感器与电路的单片集成。本发明方法适用于小型化、高可靠的压力传感器加工领域。