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公开(公告)号：CN102086019A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010527220.1
申请日：2010-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释放过程中，采用特制腐蚀液和利用负性光刻胶作为多晶硅悬梁结构的支柱，有效地避免了湿法释放悬梁结构过程中的衬底粘附问题，且避免了对信号处理电路造成影响。本发明方法解决了多晶硅悬梁结构制作工艺与BiCMOS电路加工工艺兼容的技术难题，实现了多晶硅悬梁结构与BiCMOS信号处理电路的单片集成。本发明方法可广泛应用于电容式加速度计、陀螺仪等MEMS传感器的单片集成制造领域。
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公开(公告)号：CN104677528A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510111170.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种电容式压力传感器，包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容，还包括导电单晶硅基底和设置在导电单晶硅可动电极板和导电单晶硅基底之间的导电支承结构，所述导电单晶硅可动电极板、导电单晶硅基底和导电支承结构中间形成密闭腔室，所述金属固定电极设置在密闭腔室内部的导电单晶硅基底上；所述导电单晶硅基底包括多个彼此绝缘的导电单晶硅块，所述多个导电单晶硅块中各块均不同时与导电单晶硅可动电极板和金属固定电极连通，但至少各有一块分别与导电单晶硅可动电极板和金属固定电极连通。本发明的电容式压力传感器电容变化值高，电路简化，结构杨氏模量高，测量结果精确且不易受外界环境影响。
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公开(公告)号：CN102086019B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010527220.1
申请日：2010-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释放过程中，采用特制腐蚀液和利用负性光刻胶作为多晶硅悬梁结构的支柱，有效地避免了湿法释放悬梁结构过程中的衬底粘附问题，且避免了对信号处理电路造成影响。本发明方法解决了多晶硅悬梁结构制作工艺与BiCMOS电路加工工艺兼容的技术难题，实现了多晶硅悬梁结构与BiCMOS信号处理电路的单片集成。本发明方法可广泛应用于电容式加速度计、陀螺仪等MEMS传感器的单片集成制造领域。
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公开(公告)号：CN104677528B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510111170.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种电容式压力传感器，包括由导电单晶硅可动电极板和金属固定电极构成的平板电容，还包括导电单晶硅基底和设置在导电单晶硅可动电极板和导电单晶硅基底之间的导电支承结构，所述导电单晶硅可动电极板、导电单晶硅基底和导电支承结构中间形成密闭腔室，所述金属固定电极设置在密闭腔室内部的导电单晶硅基底上；所述导电单晶硅基底包括多个彼此绝缘的导电单晶硅块，所述多个导电单晶硅块中各块均不同时与导电单晶硅可动电极板和金属固定电极连通，但至少各有一块分别与导电单晶硅可动电极板和金属固定电极连通。本发明的电容式压力传感器电容变化值高，电路简化，结构杨氏模量高，测量结果精确且不易受外界环境影响。
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公开(公告)号：CN101719482A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910191568.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/8222 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种单片集成压力传感器的制造方法。本发明方法克服了电阻式压力传感器与放大处理电路加工工艺兼容的问题，将电阻式压力传感器加工工艺与放大处理电路的加工工艺结合起来，利用专用的夹具保护了正面的集成电路和压敏电阻，同时也腐蚀出了压敏电阻下面的深槽，使压敏电阻成功地制作在可动的硅薄膜上，解决了压力传感器与电路加工工艺兼容的技术难题，实现了压力传感器与电路的单片集成。本发明方法适用于小型化、高可靠的压力传感器加工领域。
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