公开(公告)号：CN119092406A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411218153.3

申请日：2024-09-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 刘青 ,  钟怡 ,  刘建 ,  黄东 ,  税国华 ,  杨赉 ,  阚玲 ,  甘和红 ,  陈非

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明公开了一种Si Ge异质结工艺集成自对准双极晶体管的方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在第二集电极区中形成Si Ge异质结内基区；形成第一外基区和第二外基区；在第一集电极区形成第一发射极窗口，在第二集电极区形成第二发射极窗口，沿第一发射极窗口和第二发射极窗口分别形成选择性注入区；在第一发射极窗口和第二发射极窗口分别形成多晶硅发射极区。本发明中，在整体工艺复杂度和工艺技术难度没有明显增加的前提下，以同一个工艺流程实现Si Ge异质结双极晶体管和硅基纵向结构双极晶体管的集成，工艺成本降低，加工效率提高，并有效提升工艺整体器件特性。

公开(公告)号：CN119108351A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411235998.3

申请日：2024-09-04

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司

Inventor： 林成鹏 ,  刘青 ,  刘建 ,  甘和红 ,  税国华 ,  阚玲 ,  杨法明 ,  李光波 ,  龚榜华 ,  陆泽灼 ,  殷万军 ,  张金龙

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开一种基于标准双极器件的BiCMOS集成方法，步骤为：1)在衬底上形成A个埋层区和多个隔离区。2)形成场区。3)形成第一基区和第二基区。4)利用掩膜图形刻蚀第一栅氧层，再次氧化生长第二栅氧层和第三栅氧层，形成厚薄栅氧。5)形成MOS管的栅氧多晶。6)形成第一发射区，第一基极重接触区，第一CMOS源漏区，第二DMOS源漏。7)形成第二发射区，第二基极重接触，第二CMOS源漏区，第三DMOS源漏区。8)形成第一介质层。9)利用掩膜版刻蚀出CT孔。进行金属淀积，利用掩膜图形刻蚀出金属端头，形成BJT,CMOS，DMOS器件。本发明在不增加光刻层的情况下，实现了互补双极工艺，丰富了器件可选择种类，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域。