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公开(公告)号：CN119092406A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411218153.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明公开了一种Si Ge异质结工艺集成自对准双极晶体管的方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在第二集电极区中形成Si Ge异质结内基区；形成第一外基区和第二外基区；在第一集电极区形成第一发射极窗口，在第二集电极区形成第二发射极窗口，沿第一发射极窗口和第二发射极窗口分别形成选择性注入区；在第一发射极窗口和第二发射极窗口分别形成多晶硅发射极区。本发明中，在整体工艺复杂度和工艺技术难度没有明显增加的前提下，以同一个工艺流程实现Si Ge异质结双极晶体管和硅基纵向结构双极晶体管的集成，工艺成本降低，加工效率提高，并有效提升工艺整体器件特性。
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公开(公告)号：CN108493231B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810149685.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/73
Abstract: 本发明公开了一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的衬底PNP双极结型晶体管的基础上，在整个集电区边缘加上第一层金属，使集电极第一层金属边缘覆盖于整个集电区之上，尺寸超出集电区结深的一到五倍，而发射极第一层金属边缘同样覆盖于发射区之上，尺寸超出发射区结深的一到五倍，集电极、发射极、基极的电极均由第二层金属引出；理论分析在器件处于反向CE/EB/CB耐压工作状态下，耐压结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo/BVceo/BVebo耐压急剧变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了衬底PNP管中增益和耐压的折中实现问题。
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公开(公告)号：CN106252415A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610621150.3
申请日：2016-08-02
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法，所述元胞采用方形元胞，其特征在于：包括P型衬底、P型埋层、P型外延层、N型重掺杂区、n型漂移区、P型体沟道区、N型重掺源区、介质层、多晶栅极区、金属前介质层、场板金属、P型重掺杂区、源端金属、漏端金属。所述制备流程为：n+硅片制备，埋层注入推结，生长n-外延，场氧生长，穿通区扩散，栅氧化层生长，多晶刻蚀，N漂移区注入推结，p型体沟道区注入推结，N+重掺杂源区注入退火，接触孔刻蚀，p+重掺杂区注入退火，金属淀积，刻蚀，合金、钝化、退火。
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公开(公告)号：CN111933694B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202010582154.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/808 , H01L21/28 , H01L21/337
Abstract: 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。
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公开(公告)号：CN107946356B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201710118997.4
申请日：2017-03-02
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/735 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种横向高压功率双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的横向功率双极结型集体管的基础上，在所有集电区与发射区之间加入了N型环状注入，以及通过优化第一层所有金属的布局，使集电极第一层金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍，而发射极金属通过通孔以及第二次金属引出。理论分析在器件处于反向耐压工作状态下，所有集电结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，耐压急剧变大，而N环的加入可以大大的减小器件集电极与发射极之间的漏电流。通过仿真以及实际流片结果得出本发明的横向高压功率双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高40％以上、漏电能力提升一个量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093936B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111145870.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。
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公开(公告)号：CN110993582B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201911049928.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了适用于多层金属布线的金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和集成电路制造方法；金属薄膜电阻包括平坦化的IMD金属间介质层(201)、有效薄膜电阻区和2个电阻端头。集成电路包括集成电路基底、金属淀积次顶层、金属薄膜电阻和金属淀积顶层。制造方法主要步骤为：1)确定集成电路基底。2)形成金属淀积次顶层。3)形成金属薄膜电阻。4)形成金属淀积顶层。本发明能兼容到任何工艺中，具有工艺简单，兼容性好，稳定性高，且不用考虑主工艺的线宽等一系列优点。
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公开(公告)号：CN107170805B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710261249.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/732
Abstract: 本发明公开了一种纵向高压双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的纵向双极结型集体管的基础上，在紧贴集电极一侧的基区边缘加上第一层金属，使基极第一层金属边缘覆盖于基区之上，尺寸超出基区结深的一到五倍，而发射极金属通过远离集电极一侧引出。理论分析在器件处于反向耐压工作状态下，紧贴集电极一侧的基区CB结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo耐压急剧变大，从而使得相应的BVceo变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了纵向NPN管中增益和BVceo耐压的折中实现问题。本发明的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大，且增益基本维持不变的情况下，BVcbo提高20％以上、BVceo提高10％以上。
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公开(公告)号：CN108417615A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810149761.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/73
Abstract: 本发明公开了一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的衬底PNP双极结型晶体管的基础上，在紧贴基极一侧的集电区边缘加上第一层金属，使集电极第一层金属边缘覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的一到五倍，而发射极第一层金属边缘同样覆盖于发射区之上，尺寸超出发射区结深的一到五倍。理论分析在器件处于反向CE/EB/CB耐压工作状态下，耐压结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo/BVceo/BVebo耐压急剧变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了衬底PNP管中增益和耐压的折中实现问题。
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公开(公告)号：CN105703756A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610171548.1
申请日：2016-03-24
Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC: H03K17/74 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H03K17/74 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开了一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关，由N沟道的具有超低导通压降的NEXFET、驱动控制模块和电容组成，NEXFET为核心部分，C+接电容正端，C-接电容负端，G接NEXFET栅级，D-接NEXFET阳极，D+接NEXFET阴级，该电路具有旁路开关能力。其基本工作原理类似于肖特基二极管，电容和驱动控制模块用于NEXFET的驱动控制，而功率NEXFET器件作为光伏电池元胞的旁路开关，当光伏电池元胞中出现热点时，电流就会经旁路开关流过而不会阻断，在一切都正常的情况下旁路开关不会起作用的。本发明旁路二极管具有极低的导通压降，反向漏电流更小，功耗更低，温度特性更好，寿命更长和特性更稳定。
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