-
公开(公告)号：CN106502298A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611181651.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明提供了一种电流产生技术。更具体地，本发明提供了应用于低压相位内插器中电流产生电路。其特征在于：包括相位量化DAC电路，电流转换器；相位量化DAC电路输出电压用于控制电流转换器，电流转换器产生的电流来控制后续的相位混合器。通过本发明所提出的应用于相位内插器中电流产生电路能够极大提高相位内插器的线性度，具有重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN104113333B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410380613.2
申请日：2014-08-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种能够合成高速频率的直接数字频率合成器。包括相位累加模块，时钟分频模块，相位分路模块，相幅转换模块，第一交织采样模块，数模转换模块，第二交织采样模块。时钟分频模块将系统时钟进行分频后输出；相位累加模块在时钟控制下将频率控制字进行线性相位相加输出；相位分路模块将相位值分为多路相位值输出给相幅转换模块；相幅转换模块将多路相位值转换为对应的幅度值；第一交织采样模块以分频时钟为采样时钟将幅度值交织采样输出数字信号；数模转换模块将数字信号转换模拟信号再经第二交织采样模块交织采样输出与系统时钟频率相同的信号。此结构以低速的实际采样时钟，获得高速的采样频率，提高输出信号的频率且降低了系统功耗。
-
公开(公告)号：CN104270152A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410539911.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明涉及一种可用于控制电荷耦合流水线模数转换器内部共模电荷的电路装置。包括两个输出共模可调电荷传输电路（BBD）、一个共模检测调整电路、一个关断电压复制电路。本发明的目标是对现有电荷传输技术引起的共模电荷问题进行抑制，通过2种调整方式达到精确调整共模电荷的目的。第一种调整方式通过调整共源共栅放大器输入管的衬底电压来改变共源共栅放大器的大信号特性，从而改变整个BBD的关断点电压。第二种方式通过改变并联管M4的栅极电压来改变共源共栅放大器的大信号特性，从而改变整个BBD的关断点电压。这两种方式分别用来应对前述两种共模电荷误差。
-
公开(公告)号：CN102280998B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201110153579.1
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明涉及一种基于Dickson结构的抗辐照电荷泵电路，包括振荡器电路、电荷泵核心电路和电压调制电路。本发明由以下部分组成：1.利用高压NMOS和高压PMOS组合做传输管、并且PMOS管配有衬底电位调节器的Dickson结构电荷泵核心电路。2.利用低压管设计的振荡器电路。3.采用高压管做隔离、低压管做控制的高低电压调制电路。该电路设计抗总剂量能力达到150KRad(Si)以上，在抗辐照加固的同时，对电荷泵本身的性能影响很小。该设计解决了由辐照所产生的总剂量效应(TID)造成MOS管阈值电压变化所引起的电荷泵性能变化以及可能存在的失效影响。
-
公开(公告)号：CN106340323B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610693862.6
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G11C17/16
Abstract: 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行该字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。采用本发明的编程方法，能够有效地避免反熔丝被误编程，提升芯片的编程成功率，通过优化编程算法，提高编程后反熔丝PROM电路的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106502298B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201611181651.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种电流产生技术。更具体地，本发明提供了应用于低压相位内插器中电流产生电路。其特征在于：包括相位量化DAC电路，电流转换器；相位量化DAC电路输出电压用于控制电流转换器，电流转换器产生的电流来控制后续的相位混合器。通过本发明所提出的应用于相位内插器中电流产生电路能够极大提高相位内插器的线性度，具有重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN103580691B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310554172.9
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明涉及一种流水线ADC子级电路，尤其是一种对失调误差和电容失配误差动态补偿的流水线ADC子级电路，属于集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述对失调误差和电容失配误差动态补偿的流水线ADC子级电路，包括与输入信号Vi连接的第一通路以及第二通路；第一通路对输入信号Vi进行采样保持后得到第一差分信号Vip以及第二差分信号Vin；第二通路包括伪随机序列调制的子ADC电路、子DAC电路、余量增益电路、伪随机译码电路及伪随机序列产生电路。本发明结构紧凑，能对失调误差和电容失配误差进行动态补偿，适应范围广，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN103578567B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310578583.1
申请日：2013-11-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G11C29/44
Abstract: 本发明提供了一种基于三模冗余抗辐照具有自刷新功能的寄存器，在寄存器的两级锁存结构中，第二级锁存结构中增加了一个表决器，表决器的输入端有一个连接本寄存器的输出端，另两个输入端数据来自三模冗余结构的另两个具有自刷新功能的寄存器的输出。工作时，当三路数据输出通路中的一路受到单粒子冲击发生翻转后，其余两路立刻重新给错误的寄存器更正存储值；从而避免长期工作在辐照环境下，由辐射累积导致出现两路寄存器都发生翻转的问题。
-
公开(公告)号：CN102280998A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110153579.1
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明涉及一种基于Dickson结构的抗辐照电荷泵电路，包括振荡器电路、电荷泵核心电路和电压调制电路。本发明由以下部分组成：1.利用高压NMOS和高压PMOS组合做传输管、并且PMOS管配有衬底电位调节器的Dickson结构电荷泵核心电路。2.利用低压管设计的振荡器电路。3.采用高压管做隔离、低压管做控制的高低电压调制电路。该电路设计抗总剂量能力达到150KRad(Si)以上，在抗辐照加固的同时，对电荷泵本身的性能影响很小。该设计解决了由辐照所产生的总剂量效应(TID)造成MOS管阈值电压变化所引起的电荷泵性能变化以及可能存在的失效影响。
-
公开(公告)号：CN111125000A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911271599.1
申请日：2019-12-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G06F15/78
Abstract: 本发明公开一种MTM反熔丝FPGA的编程方法，属于可编程反熔丝技术领域。对于每一个反熔丝的编程，先施加正向编程脉冲，然后再施加反向编程脉冲；其中，对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电；对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之后，给编程中的反熔丝热弛豫时间；编程阶段完成后，进行编程后电流校验；电流校验成功，对该反熔丝再施加N组强化编程脉冲，N>5。本发明能够解决MTM反熔丝FPGA编程过程中误编程问题，增加编程后反熔丝中形成的导电细丝的均匀性和稳定性，提升编程成功率，提高编程后MTM反熔丝FPGA的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.049 seconds)
