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公开(公告)号：CN109980599B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910320045.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，属于集成电路技术领域。所述适用于常规CMOS工艺的过温保护结构通过常规CMOS工艺中普通的PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管构成，可集成于电路内部，从而输出控制信号控制电路的工作状态。本发明使用PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管产生正温系数的电压；使用寄生PNP管得到负温系数电压，将正温系数电压和负温系数电压比较得到控制信号。当电路持续工作导致温度超过指定温度时，过温保护结构将电路关闭，等到温度降低后才打开。本发明结构简单，易于推广，可以有效支持基于常规CMOS工艺的电路的过温保护功能。
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公开(公告)号：CN105679367B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610024321.4
申请日：2016-01-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程器，包括对PROM电路基本的空检、读出、编程及校验功能，还增加了对MTM反熔丝PROM的冗余反熔丝单元的测试功能。此编程器正常模式下的功能可以满足使用者对PROM电路的基本操作，而测试模式下的功能可以在不影响PROM正常反熔丝阵列条件下，提前对PROM进行预编程筛选，剔除有缺陷的电路，提高MTM反熔丝PROM的编程成功率及编程后数据可靠性。
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公开(公告)号：CN106340323A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610693862.6
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G11C17/16
Abstract: 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行该字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。采用本发明的编程方法，能够有效地避免反熔丝被误编程，提升芯片的编程成功率，通过优化编程算法，提高编程后反熔丝PROM电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN105806877A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610353673.4
申请日：2016-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G01N25/00
CPC classification number: G01N25/00
Abstract: 本发明涉及一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法，以常温贮存数据为基础，选取三个不同的高温点进行加速贮存寿命试验，通过高温点数据和常温数据进行对比，得到高温贮存条件相对常温贮存条件的加速因子，根据加速因子得到高温贮存试验的时间，该方法包括一个常温贮存寿命试验、三个不同高温点的高温加速贮存寿命试验、一个有效的计算评价方法，该方法成功地将高温加速贮存寿命试验数据与常温贮存寿命数据进行比对，并将测试结果进行最小二乘法拟合计算，从而解决了传统长期贮存寿命评价耗费时间长、甚至来不及作完寿命试验，新的产品又设计出来，老产品就要被淘汰了的难题，大大缩短了长期贮存寿命评价时间，节约了评价成本。
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公开(公告)号：CN105718389A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610057041.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G06F13/12
CPC classification number: G06F13/122
Abstract: 本发明涉及一种适用于可编程接口的输入数据装箱方法，包括：多路输入数据通过一一对应的数据输入通道汇总到可配置FIFO单元，可配置FIFO单元完成写入操作；每个数据输入通道对应一个输入数据源。本发明充分利用了并行处理的优势，采用多个独立的数据通道，在统一的并行FIFO完成最终数据的装箱，既降低了对存储单元的需求，同时不影响内核的处理效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104978995A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510316145.7
申请日：2015-06-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子效应的SRAM存储单元。所述SRAM存储单元包括RC滤波电路，所述第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、RC滤波电路、第二电位翻转恢复驱动电路和第二输入输出端口依次串联；所述RC滤波电路包括第一电阻、第二电阻和电容，本发明在原有普通SRAM存储单元的基础上，将原有金属连线改为高阻多晶硅电阻连线，而且利用深亚微米的MIM电容工艺增加了一个由上层金属层形成的MIM电容，电阻和电容在存储单元内部组成一个RC滤波电路，在不增加存储单元面积和功耗的基础上，有效提高了SRAM存储单元的抗单粒子效应的能力。
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公开(公告)号：CN106340323B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610693862.6
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G11C17/16
Abstract: 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行该字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。采用本发明的编程方法，能够有效地避免反熔丝被误编程，提升芯片的编程成功率，通过优化编程算法，提高编程后反熔丝PROM电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN103793583B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410078309.2
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及抗辐照加固技术领域，尤其是一种设备抗辐照加固再设计方法。包括以下步骤：步骤一，对设备进行真实辐照环境下的辐照试验，并判定寄存器各节点是否发生单粒子翻转；步骤二，对设备进行故障仿真，判定只要单粒子发生翻转必定会导致锁存错误的节点；步骤三，对步骤二中所判定的节点确定其临界翻转电流值；步骤四，对步骤二所判定的节点进行选择，选出在真实环境辐照测试中没有发生翻转的节点；步骤五，将步骤四中选择出的节点按其临界翻转电流值进行排序；步骤六，将排序中最小的临界翻转电流值作为设备抗辐照的加固目标。本发明用于设备抗辐照加固技术，大大简化了再设计的难度，节约了设计成本，加快了设计进度。
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公开(公告)号：CN105634475A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510980579.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
CPC classification number: H03L7/07 , H03L7/085 , H03L7/093 , H03L7/1072 , H03L7/18
Abstract: 本发明涉及一种电荷泵环振型锁相环。电荷泵环振型锁相环包括鉴频鉴相器、电荷泵组、自偏置环路滤波器、分频器和快速锁定器。其中鉴频鉴相器、电荷泵组、自偏置环路滤波器和分频器构成第一反馈环路，自偏置环路滤波器、分频器和快速锁定器构成第二反馈环路，两条反馈环路通过自偏置环路滤波器实现嵌套式的连接。本发明中的第一反馈环路为锁相环稳定状态的工作环路，第二反馈环路为快速锁定环路，第二反馈环路的粗调整能力显著提高了锁相环的锁定速度。同时本发明还在多个内部结构中采用自偏置技术以避免使用电阻器件，显著降低了电荷泵环振型锁相环的输出抖动和对制程的工艺依赖性。
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公开(公告)号：CN109980599A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910320045.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，属于集成电路技术领域。所述适用于常规CMOS工艺的过温保护结构通过常规CMOS工艺中普通的PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管构成，可集成于电路内部，从而输出控制信号控制电路的工作状态。本发明使用PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管产生正温系数的电压；使用寄生PNP管得到负温系数电压，将正温系数电压和负温系数电压比较得到控制信号。当电路持续工作导致温度超过指定温度时，过温保护结构将电路关闭，等到温度降低后才打开。本发明结构简单，易于推广，可以有效支持基于常规CMOS工艺的电路的过温保护功能。
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