-
公开(公告)号：CN105806877A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610353673.4
申请日：2016-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: G01N25/00
CPC classification number: G01N25/00
Abstract: 本发明涉及一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法，以常温贮存数据为基础，选取三个不同的高温点进行加速贮存寿命试验，通过高温点数据和常温数据进行对比，得到高温贮存条件相对常温贮存条件的加速因子，根据加速因子得到高温贮存试验的时间，该方法包括一个常温贮存寿命试验、三个不同高温点的高温加速贮存寿命试验、一个有效的计算评价方法，该方法成功地将高温加速贮存寿命试验数据与常温贮存寿命数据进行比对，并将测试结果进行最小二乘法拟合计算，从而解决了传统长期贮存寿命评价耗费时间长、甚至来不及作完寿命试验，新的产品又设计出来，老产品就要被淘汰了的难题，大大缩短了长期贮存寿命评价时间，节约了评价成本。
Search Results
1
records
(took 0.036 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
