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公开(公告)号：CN116190368A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310079855.7
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/057
Abstract: 本发明提供了一种超大功率的X波段内匹配功率管，属于微波技术领域，包括封装管壳、管芯台、高压GaN管芯、输入匹配电路及输出匹配电路，管芯台封装于所述封装管壳内；高压GaN管芯设置于所述管芯台上，高压GaN管芯工作电压为70～100V；输入匹配电路封装于所述封装管壳内，且与高压GaN管芯键合连接；输出匹配电路封装于封装管壳内，且与高压GaN管芯键合连接。本发明通过匹配电路与管芯台结构设计，提高生产便利性，实现输出功率达到千瓦级别的超大功率X波段内匹配功率管，极大的提高了目前X波段GaN功率管的性能水平。
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公开(公告)号：CN112952383A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011425948.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国人民解放军93204部队 , 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京麦特达电子技术开发有限公司
IPC: H01Q3/36
Abstract: 本发明公开了一种相控阵天线脉内多波束的实现方法，包括：计算机发出控制指令，发送的时间按照预设时序进行，且在脉冲截止期间完成。T/R模块接收控制指令后，在脉冲截止期间，用查表法，查出控制指令的控制数据，并全部预先赋值波束控制电路的每个通道的十个数据锁存器内，且赋值完成后，赋值电路处于高阻状态。脉冲信号加到十个数据锁存器的控制端，且当脉冲到来时，十个数据锁存器内的数据在脉冲的控制下依次输出，并控制微波移相器的相位。借此，本发明的相控阵天线脉内多波束的实现方法，减少了波束控制的数据传输量，且采用查表写入数据，提高了速度，并实现了脉冲内部的多个波束的控制。
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公开(公告)号：CN112946586A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011425949.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国人民解放军93204部队 , 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京麦特达电子技术开发有限公司
IPC: G01S7/38
Abstract: 本发明公开了一种C波段制导雷达模拟系统，包括：上位机、控制机箱以及天线机箱。控制机箱与上位机电性连接，且控制机箱用以接收上位机发出的控制指令，并依据控制指令生成微波激励信号。以及天线机箱与控制机箱电性连接，且天线机箱用以接收控制机箱发出的微波激励信号，且将激励信号经多级放大、十路空间合成4kW大功率微波信号并向空间辐射。借此，本发明的C波段制导雷达模拟系统，提高了制导雷达假目标的逼真度，且成本低，可靠性高。
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公开(公告)号：CN117890695A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311676916.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京大学 , 河北博威集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种微波射频芯片及微波射频芯片的测试系统，微波射频芯片通过将电阻组件串联在待测微波射频芯片的栅极，将电容组件并联在待测微波射频芯片的栅极，本发明能够使得电阻组件和电容组件构成的稳定匹配装置可以过滤栅极输入信号中可能存在的纹波电压和交流信号，同时可以有效过滤外部环境各种干扰源引入的自激信号。防止芯片高压测试时出现自激甚至烧毁现象。
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公开(公告)号：CN115333488A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210880328.1
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种超宽带大功率放大器及发射器，其中功率放大器，包括：信号输入端，用于接收输入信号；输入匹配网络，一端与信号输入端连接，另一端与GaN功率放大芯片的栅极连接，用于对GaN功率放大芯片的栅极和信号输入端之间的阻抗进行匹配；输出匹配网络，一端与GaN功率放大芯片的漏极连接，另一端与信号输出端连接，用于超宽频带内的阻抗匹配；输入偏置网络，包括滤波电容，一端与GaN功率放大芯片的栅极连接，另一端与外部的栅极电源连接，用于对栅极电源进行滤波以及旁路处理；输出偏置网络，包括滤波电容，一端与GaN功率放大芯片的漏极连接，另一端与外部的漏极电源连接，用于对漏极电源进行滤波以及旁路处理。该功率放大器的频率可覆盖0.2G～2GHz。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114976824A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210406751.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种宽带稳频的光电振荡器。该光电振荡器包括：包括激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块、振荡反馈模块、PID反馈模块和射频振荡器；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块和振荡反馈模块构成光电振荡环路；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块PID反馈模块和射频振荡器构成锁频锁相环路。本发明能够实现光电振荡器的宽带稳频输出。
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公开(公告)号：CN114976824B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210406751.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种宽带稳频的光电振荡器。该光电振荡器包括：包括激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块、振荡反馈模块、PID反馈模块和射频振荡器；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块和振荡反馈模块构成光电振荡环路；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块PID反馈模块和射频振荡器构成锁频锁相环路。本发明能够实现光电振荡器的宽带稳频输出。
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公开(公告)号：CN113395056B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110656500.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源其峰值电流高于工作时的脉冲电流。本发明提出一种快前沿大电流脉冲调制器，其由电流源单元和开关单元所构成。电流源单元在主开关单元动作前在极短时间内对负载施加一较高幅值的脉冲电流，使负载两端电压快速提升至额定电压，从而获得快前沿脉冲，采用此种方法可以在负载两端获得远小于30ns的脉冲前沿。
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公开(公告)号：CN112952383B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202011425948.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国人民解放军93204部队 , 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京麦特达电子技术开发有限公司
IPC: H01Q3/36
Abstract: 本发明公开了一种相控阵天线脉内多波束的实现方法，包括：计算机发出控制指令，发送的时间按照预设时序进行，且在脉冲截止期间完成。T/R模块接收控制指令后，在脉冲截止期间，用查表法，查出控制指令的控制数据，并全部预先赋值波束控制电路的每个通道的十个数据锁存器内，且赋值完成后，赋值电路处于高阻状态。脉冲信号加到十个数据锁存器的控制端，且当脉冲到来时，十个数据锁存器内的数据在脉冲的控制下依次输出，并控制微波移相器的相位。借此，本发明的相控阵天线脉内多波束的实现方法，减少了波束控制的数据传输量，且采用查表写入数据，提高了速度，并实现了脉冲内部的多个波束的控制。
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公开(公告)号：CN113395056A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110656500.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源其峰值电流高于工作时的脉冲电流。本发明提出一种快前沿大电流脉冲调制器，其由电流源单元和开关单元所构成。电流源单元在主开关单元动作前在极短时间内对负载施加一较高幅值的脉冲电流，使负载两端电压快速提升至额定电压，从而获得快前沿脉冲，采用此种方法可以在负载两端获得远小于30ns的脉冲前沿。
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