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公开(公告)号：CN115842022A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202310004368.4
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法。该器件包括：衬底；位于衬底上表面的N+氮化镓层；位于N+氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台阶结构上表面的第二正极；第一台面结构、第二台面结构、第一正极和第二正极均嵌入钝化层内，第一台面结构的下表面和第二台面结构的下表面相距预设距离，且第一台面结构和第二台面结构从下到上均由N‑氮化镓层、绝缘氮化镓层、P‑氮化镓层和P+氮化镓层构成；钝化层在对应第一正极的位置开设有第一电极窗口，在对应第二正极的位置开设有第二电极窗口。本发明能够降低氮化镓双向TVS器件的实现难度，并降低热烧毁的风险。
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公开(公告)号：CN114976824B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210406751.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种宽带稳频的光电振荡器。该光电振荡器包括：包括激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块、振荡反馈模块、PID反馈模块和射频振荡器；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块和振荡反馈模块构成光电振荡环路；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块PID反馈模块和射频振荡器构成锁频锁相环路。本发明能够实现光电振荡器的宽带稳频输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613159A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310587065.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/86 , H01L21/8252 , H01L21/329 , H03G11/02
Abstract: 本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
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公开(公告)号：CN115312387A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211020575.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/872
Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。
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公开(公告)号：CN118181191A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410197910.7
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种光导开关装配夹具及使用方法，属于电子产品装配技术领域，包括下部主体和上部主体。下部主体包括底座，底座的上端面开设有与光导芯片适配的芯片卡槽，芯片卡槽的底面开设有与下电极的外轮廓适配的下部沉槽；上部主体包括上盖，上盖的下端面开设有用于容纳上电极的上部沉槽；底座和上盖之间设有定位导向机构，定位导向机构用于引导上盖同轴扣合于底座的上端。本发明提供的一种光导开关装配夹具，能够提高光导开关研制过程的成品率、降低制作成本，保证对位精度，消除连接层尖端和空洞，减小芯片与电极的接触电阻。
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公开(公告)号：CN116707470A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310588044.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/02 , H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/86 , H01L21/8252 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接主传输线，阳极端接地；第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管。本发明能够提升整个氮化镓限幅器的功率容量和击穿电压。
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公开(公告)号：CN114976824A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210406751.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种宽带稳频的光电振荡器。该光电振荡器包括：包括激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块、振荡反馈模块、PID反馈模块和射频振荡器；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块和振荡反馈模块构成光电振荡环路；激光模块、声光移频模块、相位调制模块、平衡光电探测模块PID反馈模块和射频振荡器构成锁频锁相环路。本发明能够实现光电振荡器的宽带稳频输出。
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