公开(公告)号：CN118194797A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410159249.0

申请日：2024-02-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 梁家铖 ,  张韶华 ,  傅琦 ,  张宁 ,  王开宇 ,  蔡如恒 ,  王胜福 ,  郭丰强 ,  杨亮 ,  梁毅 ,  汪晓龙 ,  王小唯 ,  尚跃港 ,  陈南庭

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明提供一种肖特基二极管模型的构建方法、装置及电子设备。该方法包括：获取目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性IV曲线和整体电流电势CV曲线；将整体IV曲线和整体CV曲线分别进行去嵌入处理，得到目标肖特基二极管的IV测试值和CV测试值；根据IV测试值和CV测试值得到模型参数；根据模型参数对预先构建的IV模型和CV模型赋值，得到目标肖特基二极管的模型；其中，预先构建的IV模型中包括用于修正反向偏压下电流值的电阻；预先构建的CV模型中包括双曲线函数和指数函数。本发明能够优化目标肖特基二极管在零点漂移与反向偏压下的电流，提高非线性仿真下准确率，进而提高肖特基模型在电路非线性仿真下的准确率以及效率。