-
公开(公告)号：CN113913876A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111050628.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属内部高精度加工成型方法，所述金属内部高精度加工成型方法首先加工出与需要成型的零件的内孔结构相同的芯体，然后对芯体进行电镀，使得芯体外包裹一定厚度的电镀层，再然后通过加工电镀层，加工出需要成型的零件的外部结构，最后通过腐蚀液将芯体腐蚀，但是电镀层不与腐蚀液反应，加工出需要成型的零件的内孔。本发明提供的金属内部高精度加工成型方法只需要电镀设备及加工机床等常规加工设备便能实现不规则内孔类零件的加工成型，无需购买昂贵的3D打印设备。
-
公开(公告)号：CN115412056A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210960733.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种滤波器件和滤波电路。该滤波器件包括：芯片滤波器、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器、第一匹配电感、第二匹配电感和第三匹配电感；芯片滤波器、第一匹配电感、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器和第二匹配电感依次串联连接；第三匹配电感一端连接于第一FBAR谐振器与第二FBAR谐振器之间，另一端接地；芯片滤波器的第一端为输入端，第二端与第一匹配电感连接；第二匹配电感悬空的一端为输出端；第一FBAR谐振器和第二FBAR谐振器的并联谐振频率在芯片滤波器的阻带近端的频率范围内。本发明能够通过设置Q值高的FBAR谐振器，在芯片滤波器的阻带近端产生传输零点、形成陷波，FBAR谐振器的并联谐振频率决定传输零点频率，提高了芯片滤波器的阻带近端抑制度。
-
公开(公告)号：CN113913876B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111050628.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属内部高精度加工成型方法，所述金属内部高精度加工成型方法首先加工出与需要成型的零件的内孔结构相同的芯体，然后对芯体进行电镀，使得芯体外包裹一定厚度的电镀层，再然后通过加工电镀层，加工出需要成型的零件的外部结构，最后通过腐蚀液将芯体腐蚀，但是电镀层不与腐蚀液反应，加工出需要成型的零件的内孔。本发明提供的金属内部高精度加工成型方法只需要电镀设备及加工机床等常规加工设备便能实现不规则内孔类零件的加工成型，无需购买昂贵的3D打印设备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111786655A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010734476.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体振荡器使能电路，包括：电位控制模块和电阻控制模块；电位控制模块适于与使能端连接和使能输出控制端连接，用于当使能端接低电位时，使得使能输出控制端为高电位，或，当使能端悬空时，使得使能输出控制端为低电位；电阻控制模块，适于与使能端和使能输出控制端连接，用于当使能端为低电位时，电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值，或当使能端悬空时，电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值，第一预设阻值大于第二预设阻值。本发明能够使晶体振荡器为待机工作状态时上拉阻值为大阻值，保障晶体振荡器的节能特性，还能使得晶体振荡器为工作状态时上拉阻值为小阻值，保障晶体振荡器的抗干扰特性。
-
公开(公告)号：CN118194797A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410159249.0
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种肖特基二极管模型的构建方法、装置及电子设备。该方法包括：获取目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性IV曲线和整体电流电势CV曲线；将整体IV曲线和整体CV曲线分别进行去嵌入处理，得到目标肖特基二极管的IV测试值和CV测试值；根据IV测试值和CV测试值得到模型参数；根据模型参数对预先构建的IV模型和CV模型赋值，得到目标肖特基二极管的模型；其中，预先构建的IV模型中包括用于修正反向偏压下电流值的电阻；预先构建的CV模型中包括双曲线函数和指数函数。本发明能够优化目标肖特基二极管在零点漂移与反向偏压下的电流，提高非线性仿真下准确率，进而提高肖特基模型在电路非线性仿真下的准确率以及效率。
-
公开(公告)号：CN111786655B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010734476.3
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种晶体振荡器使能电路，包括：电位控制模块和电阻控制模块；电位控制模块适于与使能端连接和使能输出控制端连接，用于当使能端接低电位时，使得使能输出控制端为高电位，或，当使能端悬空时，使得使能输出控制端为低电位；电阻控制模块，适于与使能端和使能输出控制端连接，用于当使能端为低电位时，电阻控制模块对应的阻值为第一预设阻值，或当使能端悬空时，电阻控制模块对应的阻值为第二预设阻值，第一预设阻值大于第二预设阻值。本发明能够使晶体振荡器为待机工作状态时上拉阻值为大阻值，保障晶体振荡器的节能特性，还能使得晶体振荡器为工作状态时上拉阻值为小阻值，保障晶体振荡器的抗干扰特性。
-
公开(公告)号：CN115642426A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211324329.4
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 张俊杰 , 王胜福 , 厉建国 , 杨亮 , 张韶华 , 林立涵 , 张崇典 , 李明武 , 袁珂 , 王茜龙 , 汪晓龙 , 王洋 , 张宁 , 杨志磊 , 候鹏程 , 宋燕 , 陈娜
Abstract: 本申请适用于介质谐振器技术领域，提供了一种介质谐振器用连接插芯，该连接插芯包括：连接部和插接部，连接部和插接部一体成型，其中，插接部为叉状结构，包括第一插指和第二插指；当插接部插入设有内孔的介质谐振器时，第一插指不与介质谐振器电连接，第二插指与介质谐振器电连接。本申请提供了一种适用于变温环境的介质谐振器用连接插芯，可以避免连接插芯受温度影响发生微形变时，致使焊接部位产生虚接，进而影响介质谐振器电性能的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115412055A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210960582.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种滤波器件和滤波电路。该滤波器件包括：芯片滤波器、第一FBAR谐振器、第二FBAR谐振器、第一匹配电感、第二匹配电感和第三匹配电感；第一匹配电感、第二匹配电感、第三匹配电感和芯片滤波器依次串联连接；第一FBAR谐振器一端连接于第一匹配电感与第二匹配电感之间；第二FBAR谐振器一端连接于第二匹配电感与第三匹配电感之间；第一匹配电感悬空一端为输入端；芯片滤波器第一端与第三匹配电感连接第一FBAR谐振器和第二FBAR谐振器的串联谐振频率在芯片滤波器的阻带近端的频率范围内。本发明能够通过设置Q值高的FBAR谐振器，在芯片滤波器阻带近端产生传输零点、形成陷波，FBAR谐振器的串联谐振频率决定传输零点频率，提高了芯片滤波器的阻带近端抑制度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.062 seconds)
