公开(公告)号：CN119007768A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410990952.6

申请日：2024-07-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张梦月 ,  王磊 ,  王鑫 ,  齐贺飞 ,  郭丰强 ,  李博 ,  崔鹏壮 ,  闫维高 ,  孙硕 ,  王蔚然 ,  王飞 ,  陈帅 ,  邓世雄 ,  周全 ,  王立发 ,  王凯

IPC: G11C7/22 ,  G06F12/02

Abstract: 本发明提供一种存储器读写结构、方法及FFT处理器，涉及半导体集成电路技术领域。该方法包括：在上一帧流水线数据以第一顺序写入存储器的情况下，将当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器；在当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器的过程中，当写入所述当前帧流水线数据中的预设位数时，以第一顺序读出当前帧流水线数据；在第一顺序为正序时，第二顺序为倒序；在第一顺序为倒序时，第二顺序为正序。本发明通过控制流水线数据的写入顺序和读出顺序进行正序和倒序循环，并控制当前帧流水线数据写入至预设位数时开始读出，实现了同一个存储器中读写的同步进行，提高了存储器的数据吞吐率，减少了存储器数量，节约了硬件芯片面积。