巴伦结构及混频器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114597620B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202210214047.2

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明提供了一种巴伦结构及混频器,该巴伦结构包括:单共面波导结构、平行板结构、双共面波导结构;平行板结构中上平行板和下平行板平行设置;单共面波导结构中第一信号线与下平行板连接,第一接地线和第二接地线均通过金属柱与上平行板连接;双共面波导结构中第二信号线通过金属柱与上平行板连接,第三信号线与下平行板连接,第三接地线、第五接地线均与第四接地线相连;第一信号线的另一端为巴伦结构的非平衡输入端口,第二信号线的另一端为巴伦结构的第一平衡输出端口,第三信号线的另一端为巴伦结构的第二平衡输出端口。本发明能够解决传统巴伦存在的损耗高、尺寸大、不易集成和相位平衡度不够的技术问题。

    一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116232350A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310175294.0

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括:收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间,漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配,其中,等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。本发明能够将串联电感、GaN功率开关管的等效电容构成LC阻抗匹配电路,实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配。既避免了GaN功率开关管对GaN功率放大器的输出阻抗匹配的影响,又减少了器件数量、减小了GaN射频前端电路的体积。

    微波功率开关电路、装置及控制方法

    公开(公告)号:CN114826242A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210278146.7

    申请日:2022-03-21

    Abstract: 本发明提供一种微波功率开关电路、装置及控制方法。该电路包括射频输入端口、第一匹配元件、第二匹配元件、至少一个射频输出端口和至少一个开关模块;开关模块和射频输出端口一一对应;开关模块包括第一开关支路;第一开关支路包括第一开关管、第二开关管和吸收负载;在同一第一开关支路中,第一开关管与吸收负载串联连接,第二开关管与吸收负载并联连接;当微波功率开关电路工作时,同一开关模块中的第一开关管的开关状态和第二开关管的开关状态相反,以使该开关模块对应的射频输出端口与射频输入端口之间处于导通状态或隔离状态。本发明可以使微波功率开关电路的插损降低,并提高其隔离度。

    巴伦结构及混频器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114597620A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210214047.2

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明提供了一种巴伦结构及混频器,该巴伦结构包括:单共面波导结构、平行板结构、双共面波导结构;平行板结构中上平行板和下平行板平行设置;单共面波导结构中第一信号线与下平行板连接,第一接地线和第二接地线均通过金属柱与上平行板连接;双共面波导结构中第二信号线通过金属柱与上平行板连接,第三信号线与下平行板连接,第三接地线、第五接地线均与第四接地线相连;第一信号线的另一端为巴伦结构的非平衡输入端口,第二信号线的另一端为巴伦结构的第一平衡输出端口,第三信号线的另一端为巴伦结构的第二平衡输出端口。本发明能够解决传统巴伦存在的损耗高、尺寸大、不易集成和相位平衡度不够的技术问题。

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