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公开(公告)号:CN115718518A
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN202211371535.0
申请日:2022-11-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种栅极稳压系统及装置。该系统包括:电源调制模块、档位锁定模块和栅压驱动模块,电源调制模块的第一输入端用于连接外部电源,电源调制模块的第二输入端用于连接外供逻辑电平的第一输出端,电源调制模块的第一输出端用于连接功率放大器,电源调制模块的第二输出端与档位锁定模块的第一输入端连接,档位锁定模块的第二输入端用于连接外供逻辑电平的第二输出端,档位锁定模块的输出端与栅压驱动模块的输入端连接,栅压驱动模块的输出端用于连接功率放大器。本发明在进行对功率放大器的偏置电路的设置时能够兼顾应用范围广和操作简便。
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公开(公告)号:CN119209826A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411379115.6
申请日:2024-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明提供一种容性负载充电电路及电源。该容性负载充电电路包括:第一MOS场效应管、第一二极管及控制装置;第一MOS场效应管的漏极与容性负载充电电路的正输入端连接,源极分别与容性负载充电电路的正输出端及第一二极管的阴极连接,栅极与控制装置连接;第一二极管的阳极分别与容性负载充电电路的负输入端及容性负载充电电路的负输出端连接;控制装置用于获取第一MOS场效应管的漏源电压及工作电流,并根据漏源电压及工作电流控制第一MOS场效应管的栅源电压,使得工作电流不大于预设电流。本发明在负载供电通路中设置第一MOS场效应管,通过自动调整第一MOS场效应管的栅源电压限制充电电流,可有效避免触发DCDC电源的保护机制,可实现负载的快速充电。
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公开(公告)号:CN111128979B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN201911155626.9
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于芯片制备技术领域,提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法,包括:提供两组以上的独立芯片,其中,每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上;提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆;将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体晶圆上;在各独立芯片的焊盘上制备金属凸点;将所述芯片底层晶圆键合在所述金属凸点上;去除所述临时载体晶圆;根据独立芯片的分组对所述芯片底层晶圆进行分割划片,获得两个以上的3D芯片。本发明实现了晶圆级的芯片堆叠制备,并且能够实现批量化制备,提高了生产效率,降低了3D集成芯片的制备成本。
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公开(公告)号:CN111128979A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911155626.9
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于芯片制备技术领域,提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法,包括:提供两组以上的独立芯片,其中,每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上;提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆;将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体晶圆上;在各独立芯片的焊盘上制备金属凸点;将所述芯片底层晶圆键合在所述金属凸点上;去除所述临时载体晶圆;根据独立芯片的分组对所述芯片底层晶圆进行分割划片,获得两个以上的3D芯片。本发明实现了晶圆级的芯片堆叠制备,并且能够实现批量化制备,提高了生产效率,降低了3D集成芯片的制备成本。
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公开(公告)号:CN212012584U
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN202020513045.X
申请日:2020-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/30
Abstract: 本实用新型提供了一种功率放大器栅极驱动器及功率放大器,本实用新型提供的功率放大器栅极驱动器包括:基准电压模块,用于连接供电电源,被配置为输出不随所述供电电源的电压变化的基准电压;电压放大模块,连接所述基准电压模块,被配置为对所述基准电压进行放大,并输出两组以上的放大电压;电压选择模块,连接所述电压放大模块,被配置为从所述两组以上的放大电压中选择一组放大电压作为所述功率放大器的栅压输出。能够提高功率放大器栅极的栅压稳定性。
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