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公开(公告)号：CN118858713A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411028018.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李晓光 , 李军凯 , 吴立丰 , 赵华 , 刘丙凯 , 宋学峰 , 孙磊磊 , 庞克俭 , 杨东旭 , 刘瑞丰 , 何普 , 崔贝贝 , 安加林 , 肖宁 , 霍现荣 , 魏少伟 , 杨建春
Abstract: 本发明提供了一种移动式探针操作摇杆机构，属于半导体射频探针测试技术领域，包括操作面板、摇杆以及磁吸块，摇杆设置于所述操作面板上；摇杆和操作面板构成摇杆开关；磁吸块设置于操作面板连接；磁吸块上设置有磁吸开关，通过磁吸开关产生磁场或消磁，以使操作面板和所述摇杆随所述磁吸块移动至不同的测试位置。本发明提供的移动式探针操作摇杆机构，利用磁吸开关的磁性改变可以将摇杆机构移动到测试板的任意位置，不需要打孔或设置其他的夹持工具，提高了操作的便捷性，从而提高了整体的使用效率。
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公开(公告)号：CN117856810A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410036026.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 肖宁 , 宋学峰 , 王磊 , 周彪 , 戈江娜 , 徐达 , 郭丰强 , 赵晨安 , 李贺斌 , 胡欣媛 , 郭君 , 刘爱平 , 方利 , 王坤 , 刘文豹 , 郭立涛 , 陈南庭 , 崔亮 , 刘晓莉 , 李亚丽 , 刘方罡 , 杨琦
Abstract: 本发明提供一种有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统。该组件包括射频模块、电源模块和集合口模块；射频模块分别与电源模块和集合口模块连接；射频模块设置有射频天线接口，集合口模块设置有射频集合接口，电源模块设置有电源控制接口；射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均为可插拔式接口；射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均指向同一方向。本申请中的射频天线接口、射频集合接口和电源控制接口均为可插拔式接口，方便装配和拆卸，同时这三个接口均指向同一方向，可以将该T/R组件直接与有源相控阵整机结构进行可插拔式装配和拆卸，可以简化有源相控阵T/R组件和有源相控阵整机结构的装配与拆卸过程。
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公开(公告)号：CN116996031A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310894960.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 崔亮 , 王磊 , 曾雁声 , 杨琦 , 戴剑 , 陈南庭 , 宋学峰 , 郝俊祥 , 王海龙 , 兰斌 , 杨楠 , 任健 , 冯晗琛 , 成立鑫 , 张忠山 , 杨旭达 , 吴浩洋
IPC: H03F1/32 , H03F1/42 , H03K19/0175 , H03H11/16 , H03H11/24
Abstract: 本发明提供一种宽带模拟预失真线性化器。该宽带模拟预失真线性化器包括：输入90°耦合器、线性支路、非线性支路、输出90°耦合器以及支路控制模块；输入90°耦合器的第一端作为宽带模拟预失真线性化器的信号输入端，直通端连接线性支路的输入端，耦合端连接非线性支路的输入端；线性支路的输出端连接输出90°耦合器的直通端；非线性支路的输出端连接输出90°耦合器的耦合端；输出90°耦合器的第一端作为宽带模拟预失真线性化器的信号输出端；支路控制模块分别连接线性支路的控制电压端以及非线性支路的控制电压端。本发明能够调节宽带模拟预失真线性化器的工作状态，以适应不同型号的功率放大器。
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公开(公告)号：CN116566425A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310351319.8
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B1/525 , H04B1/44 , H03K17/687 , H03K17/081
Abstract: 本发明提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括：发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明能够将接收支路各晶体管的栅宽设置为靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。增大靠近发射端口、天线端口的顶部晶体管的栅宽，减小关断阻抗，减小顶部晶体管分压时的源漏电势差。减小远离发射端口、天线端口的底部晶体管的栅宽，增大关断阻抗，增加底部晶体管分压时的源漏电势差。使各晶体管的源漏电势差均匀分布，避免了顶部晶体管首先达到击穿，提升了射频开关的发射功率处理能力。
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公开(公告)号：CN116404988A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310224502.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联；第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益，具备高通用性，可以应用于更多系统中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112564640B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011330411.9
申请日：2020-11-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/34
Abstract: 本发明属于电路领域，具体涉及一种负反馈型放大器。该负反馈型放大器包括负反馈电路和放大电路；负反馈电路，包括输入支路和输出支路，输入支路接收输入信号并传输给放大电路的输入端；输出支路接收放大电路的输出信号进行输出并将输出信号耦合到输入支路；放大电路，接收输入支路的信号，并放大后输出。上述负反馈型放大器电路通过耦合得到负反馈信号，用负反馈电路代替了传统并联负反馈型放大器中的并联负反馈电阻，减少了功率损失，可以实现在工作频带内达到比相同反馈系数下的并联电阻方案更低的噪声系数，达到更高的输出三阶交调功率。
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公开(公告)号：CN110993279B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201911182167.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于开关电源技术领域，提供了一种平面变压器及开关电源，所述平面变压器包括：至少两圈初级线圈串联连接组成的初级绕组和两个次级绕组；各初级线圈分别包括至少两层PCB板，且每层PCB板并联连接；各次级绕组分别包括至少一圈次级线圈，且每圈次级线圈包括一层PCB板，每圈次级线圈串联连接。本申请采用PCB板组成的平面变压器优化了变压器结构，能够减小磁元件体积，同时其PCB板间的连接方式能够有效减小变压器漏感，减小电路寄生参数，使应用该平面变压器的开关电源在兆赫兹频率下次级整流管关断时的漏极电压尖峰和振荡得到有效控制，从而解决DC/DC电源的开关频率提高而造成的开关损耗增加的问题。
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公开(公告)号：CN111900521B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010519141.X
申请日：2020-06-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。
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公开(公告)号：CN112564668A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011540745.9
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/19
Abstract: 本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。
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公开(公告)号：CN112018066A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010734470.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构，属于微波器件技术领域，包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组，射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联；接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联；背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面；芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面；垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构，寄生电感小，能够提高在高频时的传输性能，满足高频封装的需求。
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