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公开(公告)号：CN112448258A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910808165.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种激光器，包括：具有能量由低到高的基态、中间态及激发态的介质；用于将介质中的电子从基态激发至所述中间态的激励系统；用于将介质中处于不同空间位置的中间态的电子以固定的位相关系通过受激辐射过程退激至基态，发出相对波长更短的激光的激励激光器。由于使用激励激光器使电子从中间态跃迁，受激辐射产生的光子具有相干性，从而形成激光。本发明通过采用激励系统进行第一次泵浦再结合波长相对较长的激励激光器进行第二次泵浦产生波长相对较短的激光，使短波长激光器的结构简单紧凑且易于实现，并可以降低短波长激光器的成本并实现具有更短波长的激光器。
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公开(公告)号：CN110961171A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811156481.X
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 乔山
Abstract: 本发明提供一种低温样品支架，所述低温样品支架位于真空腔内，至少包括：电动运动机构，制冷装置以及三维移动装置；其中，所述电动运动机构用以通过电驱动使样品相对所述制冷装置运动，所述制冷装置用以实现所述样品的低温温度，所述三维移动装置用以实现所述制冷装置和所述电动运动机构相对于所述真空腔的三维移动。本发明的低温样品支架，通过电驱动使样品相对真空腔运动，并实现样品的低温温度，且电动运动机构与外部室温环境之间的热传导仅包括由合金线构成的导热通道，有效地降低了低温部件与外界室温环境之间传热通道的热导率，因而能够实现更低的样品温度、更低的真空泄露风险和更紧凑、更小的结构。
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公开(公告)号：CN104409129A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410652902.3
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H05H7/04 , G21K1/00 , G21K1/003 , H01F7/02 , H01F7/0278 , H05H13/04 , H05H2007/041
Abstract: 本发明提供一种波荡器，其中，所述波荡器至少包括：M个沿电子束传输方向依次排列的永磁铁周期，每个所述永磁铁周期包括四排永磁铁结构，每排所述永磁铁结构包括N排永磁铁组，每排所述永磁铁组包括K个永磁铁单元，其中，M、N、K均为大于等于1的自然数；四排所述永磁铁结构两两配对后相对设置于电子束传输方向的两侧，并能通过相对位移形成至少一种复合磁场，以使电子束通过所述复合磁场时产生椭圆偏振光、圆偏振光或0°～360°任意极化角度方向的线偏振光，并使电子速度方向偏离所述波荡器轴线方向。本发明既能产生线偏振光，又能产生椭圆及圆偏振光，且能使电子速度方向永远不沿波荡器轴线方向，从而大大降低同步辐射光束线的热负载。
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公开(公告)号：CN118330873A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410424914.4
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紫外光微纳聚焦系统，包括：真空法兰，用于与紫外光源实现真空环境下的对接；椭球反射镜，用于将紫外光源发出的紫外光聚焦在焦点处；所述椭球反射镜的像距小于100毫米；反射镜几何位置调整机构，用于支撑所述椭球反射镜，并调整所述椭球反射镜的空间几何位置。本发明可以在不使用波带片和椭球聚焦管的情况下实现对紫外光的微纳聚焦。
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公开(公告)号：CN113572008A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110841111.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S3/09 , H01S3/0915 , H01S3/094 , H01S3/0955 , H01S3/0959 , H01S3/20 , H01S3/22 , H01S3/227 , H01S3/23
Abstract: 本发明提供一种光源及其并联式光源与串联式光源，所述光源包括介质、第一激励装置及第二激励装置，其中，第一激励装置用于进行第一次泵浦以使介质中类氦原子的电子从基态泵浦至第一种激发态，第二激励装置用于进行第二次泵浦以使介质中类氦原子的电子从第一种激发态退激至基态。本发明通过两次泵浦过程可以产生波长低至10纳米以下的脉冲相干光，使短波长光源的结构简单紧凑且易于实现，且可以降低成本。此外，除了脉冲相干光源，通过调整第二激励装置的种类，本发明还可实现连续相干光源、脉冲非相干光源以及连续非相干光源的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109470732B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810517125.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 乔山
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明提供一种电子光学系统，所述电子光学系统至少包括：磁场和非轴对称透镜群，其中，所述磁场用于分离初始入射电子和出射电子的运动轨道并实现电子运动方向的偏转，使得所述初始入射电子偏转第一设定角度，并使得所述出射电子偏转第二预定角度；所述非轴对称透镜群用于补偿磁场电子光学特性在垂直及平行磁场方向的非对称性，减小像差，并与磁场相配合，使电子束在像平面上在沿垂直磁场方向和平行磁场的两个方向上同时成像。同时，非轴对称电透镜可以实现电子束偏转功能，使电子光学系统的调试更为简单。
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公开(公告)号：CN109470731B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710800610.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 乔山
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明提供一种图像型电子自旋分析器，包括：电子光学系统、散射靶和二维图像型电子探测器；所述电子光学系统包括非轴对称透镜群和磁场，非轴对称透镜群与磁场相配合使入射电子与出射电子的运动轨道相分离以增加自旋分析器各部件几何配置的自由度，将入射电子偏转并成像至与所述反射靶相对应的特定平面处，并将由所述散射靶散射后的电子成像在所述二维图像型电子探测器上形成二维电子强度图像，从而实现电子自旋的多通道测量；非轴对称透镜的引入可以补偿磁场电子光学特性在垂直及平行磁场方向的非对称性、减小光学系统的像差、并使电子光学系统的调试更为简单。
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公开(公告)号：CN109470732A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201810517125.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 乔山
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明提供一种电子光学系统，所述电子光学系统至少包括：磁场和非轴对称透镜群，其中，所述磁场用于分离初始入射电子和出射电子的运动轨道并实现电子运动方向的偏转，使得所述初始入射电子偏转第一设定角度，并使得所述出射电子偏转第二预定角度；所述非轴对称透镜群用于补偿磁场电子光学特性在垂直及平行磁场方向的非对称性，减小像差，并与磁场相配合，使电子束在像平面上在沿垂直磁场方向和平行磁场的两个方向上同时成像。同时，非轴对称电透镜可以实现电子束偏转功能，使电子光学系统的调试更为简单。
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公开(公告)号：CN109470731A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710800610.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 乔山
IPC: G01N24/00
Abstract: 本发明提供一种图像型电子自旋分析器，包括：电子光学系统、散射靶和二维图像型电子探测器；所述电子光学系统包括非轴对称透镜群和磁场，非轴对称透镜群与磁场相配合使入射电子与出射电子的运动轨道相分离以增加自旋分析器各部件几何配置的自由度，将入射电子偏转并成像至与所述反射靶相对应的特定平面处，并将由所述散射靶散射后的电子成像在所述二维图像型电子探测器上形成二维电子强度图像，从而实现电子自旋的多通道测量；非轴对称透镜的引入可以补偿磁场电子光学特性在垂直及平行磁场方向的非对称性、减小光学系统的像差、并使电子光学系统的调试更为简单。
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公开(公告)号：CN104345331B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310313572.0
申请日：2013-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01T1/32
CPC classification number: H01J37/29 , H01J37/147 , H01J37/244 , H01J37/252 , H01J2237/24557 , H01J2237/2544
Abstract: 本发明提供一种图像型电子自旋分析器。所述图像型电子自旋分析器至少包括：散射靶、二维图像型电子探测器、以及电子弯转单元；其中，电子弯转单元用于使入射电子聚焦后弯转第一角度后、以最优入射角聚焦入射至散射靶以及使散射靶散射出的出射电子聚焦后弯转第二角度后、以最优出射角聚焦出射至二维图像型电子探测器，且入射电子的运动轨道与出射电子的运动轨道分离，第一角度及第二角度中至少一者不为00；从而可以分别实现电子自旋分析器初始平面处电子图像到靶平面的第一次二维成像及从靶平面到二维图像型电子探测器平面的第二次二维成像，进而实现电子自旋的多通道测量；而且电子弯转单元的引进可以增加自旋分析器各个组件的几何配置的自由度。
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