-
公开(公告)号:CN108807119A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810319094.7
申请日:2018-04-11
Applicant: 伊玛曲公司
IPC: H01J37/14 , H01J37/147 , H05H7/04 , G21K1/08
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J29/66 , H01J29/76 , H01J35/14 , H01J37/08 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/266 , H01J37/3174 , H01J2237/1526 , H01J2237/2806 , H01J2237/31749 , G21K1/08 , H01J37/147 , H05H7/04
Abstract: 本发明提供一种包括磁体的粒子束装置,所述装置包括:粒子束源,所述粒子束源被配置成发射电子束和离子束;多个轭,所述轭布置成基本上矩形的形状;线圈组,所述线圈组包括多个线圈,其中所述多个线圈的绕组均匀地分布在所述多个轭上并且缠绕在所述多个轭上,其中所述线圈组被配置成产生偶极场与四极场,其中所述磁体被配置成使电子束和离子束偏转和聚焦。
-
公开(公告)号:CN104377104B
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201410392945.2
申请日:2014-08-12
IPC: H01J37/26
CPC classification number: H01J37/261 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/26 , H01J37/263 , H01J2237/006 , H01J2237/2605 , H01J2237/262
Abstract: 本发明公开了使用环境透射电子显微镜的方法以及环境透射电子显微镜。环境透射电子显微镜遭受气体诱发的分辨率劣化。已发现该劣化并不是样品上的电流密度的函数,而是电子束的总电流的函数。发明人得出结论,劣化是由于ETEM的样品室中的气体的电离而引起的,并且提出使用样品室中的电场来移除电离气体,从而减小气体诱发的分辨率劣化。电场不需要是强场,并且能通过例如使样品114相对于样品室138偏置而引起。经由电压源144施加的100 V的偏置电压足以实现气体诱发的分辨率劣化的显著改善。极化并不是重要的。备选地,能通过例如将电偏置导线或纱网154离轴地放置在样品室中来使用垂直于光轴104的电场。
-
公开(公告)号:CN104956461B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201480006842.6
申请日:2014-01-10
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/28 , H01J37/22 , H01J37/24 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/28 , G01T1/20 , H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/3178
Abstract: 本发明的目的在于,在同时向样本照射多个带电粒子束的情况下,提取出因某特定的带电粒子束产生的信号,例如在FIB‑SEM装置中分离因离子束照射而产生的二次电子信号和因电子束照射而产生的二次电子信号,涉及高速地调制带电粒子束的照射条件,检测与调制周期同步的信号。另外,涉及对来自发光特性不同的2种以上的荧光体的发光进行分光而检测各自的信号强度,根据设定只向样本照射第一带电粒子束时的第一信号强度和只向样本照射第二带电粒子束时的第二信号强度的比率的机构的比率来处理信号。根据本发明,在同时向样本照射多个带电粒子束的情况下,也能够只提取出因希望的带电粒子束产生的信号。例如在FIB‑SEM装置中,能够在使用了二次电子的FIB加工中进行SEM观察。
-
公开(公告)号:CN103858211B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201280048943.0
申请日:2012-09-27
Applicant: 株式会社PARAM
Inventor: 安田洋
IPC: H01L21/027 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/147 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/3007 , H01J37/3026 , H01J37/3177 , H01J2237/0437 , H01J2237/31762 , H01J2237/31764 , H01J2237/31774
Abstract: 本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群,通过位映像信号打开/关闭待光刻的元件的网格,修整希望的波束形状,将波束偏向于需要位置,波束状态稳定后,打开全体遮光器,通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开/关闭信号和向量扫描信号,在波束稳定后,解除全体遮光器,并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时,修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。
-
公开(公告)号:CN105531793A
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201480047309.4
申请日:2014-05-16
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/295 , G01N23/04 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/10 , G01N23/20058 , G01N2223/418 , H01J37/04 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/1472 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/295 , H01J2237/21 , H01J2237/2614
Abstract: 本发明提供一种电子显微镜,其特征在于,在通过关闭透射电子显微镜的物镜(5),使电子束的交叉(11、13)与限制视场光阑(65)一致,并使第一成像透镜(61)的焦距变化,来进行试样的像观察模式与试样的衍射图案观察模式的切换的无透镜傅科法中,在第一成像透镜(61)的后段配置偏转器(81),在确定成像光学系统的条件后能够固定照射光学系统(4)的条件。由此,在不安装磁屏蔽透镜的通常的通用型透射电子显微镜中,也能够对操作者没有负担地实施无透镜傅科法。
-
公开(公告)号:CN104979156A
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201510410785.4
申请日:2015-07-14
Applicant: 东莞帕萨电子装备有限公司
Inventor: 钱锋
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/147 , H01J37/1471 , H01J37/3171
Abstract: 本发明属于束流调节装置技术领域,尤其涉及一种束流调节装置,包括铁芯和两个第一线圈,铁芯包括上铁芯段和下铁芯段,上铁芯段和下铁芯段的前后两端分别通过前铁芯段和后铁芯段连接,上铁芯段、下铁芯段、前铁芯段和后铁芯段之间形成贯通孔,两个第一线圈分别嵌入上铁芯段和下铁芯段,前铁芯段和后铁芯段上分别套设有一个第二线圈。相对于现有技术,本发明通过在前铁芯段和后铁芯段上分别套设一个第二线圈,通过调节这两个第二线圈的电流方向和大小,可以修正二级磁铁极头之间的鼓形磁场,使极头之间的磁场变成完全均匀的线性磁场,从而使束流通过时带状束流的截面形状始终保持直线,进而有利于束流的后期传输和控制,也有利于保证注入样品的均匀性。
-
公开(公告)号:CN104952681A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510104494.2
申请日:2015-03-10
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor: 八木田贵典
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/147 , H01J37/05 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/057
Abstract: 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法。本发明的最终能量过滤器(400)具备入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)。最终能量过滤器(400)具备FEF电源部(414),该FEF电源部构成为分别单独向入口侧单透镜(304)、中间电极部(401)及出口侧单透镜(308)施加电压。FEF电源部(414)分别向上游辅助电极部(402)、偏转电极部(306)及下游辅助电极部(404)施加电压,以使上游辅助电极部(402)与偏转电极部(306)之间的第1区域中的离子束的能量范围和偏转电极部(306)与下游辅助电极部(404)之间的第2区域中的离子束的能量范围成为相同程度。
-
公开(公告)号:CN1645548B
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN200510002635.6
申请日:2005-01-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 长野修
IPC: H01J37/147 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/147 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/1536 , H01J2237/28 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供一种带电粒子束装置,其具备:生成带电粒子束的带电粒子束发生器;生成使上述带电粒子束在外部的基板上成像的透镜场的投影光学系统;围着上述带电粒子束的光轴地配置的偏转器,该偏转器生成对应于上述带电粒子束应入射上述基板的角度其强度在上述光轴方向上变化地形成的偏转场,该偏转场与上述透镜场重叠且使上述带电粒子束偏向并控制朝向上述基板照射的位置。
-
公开(公告)号:CN100583373C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200480014193.0
申请日:2004-05-21
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J37/32623 , H01J37/32678 , H01J2237/1508
Abstract: 提供一种离子注入系统以及为此的束线组件,其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场,且该离子束导件被供能,以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场。该磁场及电场相互作用,以为在该离子束导件内的离子束保含功能提供一电子-回旋共振条件。
-
公开(公告)号:CN101606217A
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200880004331.5
申请日:2008-03-28
Applicant: 三井造船株式会社
Inventor: 辻康之
IPC: H01J37/317 , C23C14/48 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J2237/24542
Abstract: 本发明的离子注入装置(10)包括:离子源(22),产生离子束;离子束整形部(20),将产生的离子束整形为带状离子束;射束输送部(30),在使带状离子束的厚度方向上的厚度变薄并使其收敛后,使带状离子束照射到处理基板(62)上;处理部(60),将带状离子束照射到处理基板(62)上;透镜单元(40),对带状离子束的电流密度分布进行调整,在该电流密度分布中带状离子束的射束厚度方向的电流密度的和值是以射束宽度方向的分布来表示的,其中,所述透镜单元(40)按照在离子束的收敛位置(52)附近区域调整对离子束的电流密度分布进行调整的方式设置。根据该构成,将带状离子束的一部分在带状离子束的内面稍微弯曲,从而能够精度良好地调整电流密度分布。
-
-
-
-
-
-
-
-
-