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公开(公告)号：CN103335725B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310251707.5
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种校正光敏元辐射通量非均匀性的数据处理方法，该方法利用矩阵运算的方法，根据安装探测器的实际杜瓦组件的几何尺寸精确计算光敏元辐射通量矩阵后对测试得到的探测器响应率进行校正，主要步骤包括：1，计算探测器的对角线长度；2，测量杜瓦组件的几何参数；3，计算最大黑体扩展源直径；4，生成最大黑体扩展源位置矩阵；5，生成杜瓦窗口矩阵；6，生成探测器视场范围矩阵；7，计算探测器对角线上光敏元的辐照度向量；8，计算整个探测器上的光敏元辐射通量矩阵；9，校正探测器光敏元响应率。本发明的优点为：计算结果准确，计算速度快。
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公开(公告)号：CN103149236B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310039532.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种低温下材料线膨胀系数的测量方法及装置，它涉及材料热物理性能的测试与表征领域，该方法通过专用变温杜瓦实现液氮温度至300K温度区间内，标准材料和待测材料组成的叠状双层结构样品上温度的控制，利用三维坐标测量系统对各个温度点下双层结构的表面进行坐标扫描，获得需测量温度点处双层结构中心处的最大挠度形变值，结合双金属效应的挠度理论计算公式，由标准已知的材料参数推导出待测材料相应温度时的线膨胀系数。本发明方法原理简单、样品制备容易，测试量直观、易于测量，测试装置搭建不繁琐，具有很强的可操作性和实用性。
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公开(公告)号：CN103310108B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310251793.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器盲元筛选方法。本发明用于筛选面阵红外焦平面探测器中特定形状的盲元，并对其数量、连续盲元团簇的质心、连续盲元数等信息进行统计。本发明的方法步骤包括：1，生成待筛选的特定形状的盲元矩阵，2，求解探测器原始盲元数据中的连续盲元信息，3，寻找包围连续盲元团簇的最小盲元团簇矩阵，4，求解最小盲元团簇矩阵的信息，5，循环判断连续盲元团簇矩阵中是否包含待筛选的特定形状的盲元，6，统计保存筛选结果。本发明的优点是实现了特定形状的盲元筛选的自动化，提高了盲元筛选的效率，并且本发明使用的方法计算过程简单、运算速度快。
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公开(公告)号：CN103335725A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310251707.5
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种校正光敏元辐射通量非均匀性的数据处理方法，该方法利用矩阵运算的方法，根据安装探测器的实际杜瓦组件的几何尺寸精确计算光敏元辐射通量矩阵后对测试得到的探测器响应率进行校正，主要步骤包括：1，测量杜瓦组件的几何参数；2，计算探测器的对角线长度；3，计算最大黑体扩展源直径；4，生成最大黑体扩展源位置矩阵；5，生成杜瓦窗口矩阵；6，生成探测器视场范围矩阵；7，计算探测器对角线上光敏元的辐照度向量；8，计算整个探测器上的光敏元辐射通量矩阵；9，校正探测器光敏元响应率。本发明的优点为：计算结果准确，计算速度快。
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公开(公告)号：CN104035017A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258872.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体接触的非线性传输线模型及参数的拟合方法，它涉及到半导体器件结构性能的检测和表征领域，其步骤包括：1.建立非线性传输线模型；2.测量半导体薄膜材料上平行双矩形电极的I-V曲线；3.利用关系式R＝dV/dI获得R-V曲线；4.利用非线性传输线模型计算测试结构的理论R-V曲线；5.利用模拟退火遗传算法拟合金属半导体接触的物理参数。本发明的优点为：建立了非线性传输线模型和相应的数值算法，可以定量的提取金属半导体接触相关物理参数，为精确表征和分析非线性金属半导体接触提供了新的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103374319A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310149381.5
申请日：2013-04-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C09J163/00 , C09J11/04
Abstract: 本发明公开了一种改性低温结构胶及其制备方法，它涉及高分子材料技术领域。本发明的改性低温结构胶，其特征在于由如下组分及重量分数组成：环氧树脂50-180份，固化剂10-30份，硅烷偶联剂2-8份，无机纳米粒子2-15份；其制备方法为在适量丙酮溶剂中，利用硅烷偶联剂对无机纳米粒子首先进行分散和表面改性，然后加入到环氧树脂中，经适当机械搅拌后脱除丙酮溶剂，然后再加入相应比例的固化剂即可得改性低温结构胶。本发明中的改性低温结构胶在保持良好的流动性、填充性和粘接强度等优点时，突入优点是具有更好的热导性能和较小的热收缩率，且制备工艺简单，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN103310108A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251793.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器盲元筛选方法。本发明用于筛选面阵红外焦平面探测器中特定形状的盲元，并对其数量、连续盲元团簇的质心、连续盲元数等信息进行统计。本发明的方法步骤包括：1，生成待筛选的特定形状的盲元矩阵；2，求解探测器原始盲元数据中的连续盲元信息；3，寻找包围连续盲元团簇的最小盲元团簇矩阵；4，求解最小盲元团簇矩阵的信息；5，循环判断连续盲元团簇矩阵中是否包含待筛选的特定形状的盲元；6，统计保存筛选结果。本发明的优点是实现了特定形状的盲元筛选的自动化，提高了盲元筛选的效率，并且本发明使用的方法计算过程简单、运算速度快。
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公开(公告)号：CN103308008B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310251775.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明公开了一种低温状态下元件平面度的测量装置及测量方法，测量装置包括激光器、汇聚光学系统、成像光学系统、光电探测器、高精度三维位移平台、专用杜瓦、杜瓦支架、光学避震平台及数据处理装置；被测元件安放于专用杜瓦中；激光器发出的光束通过汇聚光学系统垂直入射于被测元件表面，成像光学系统和光电探测器对激光光斑成像，利用激光三角法测量被测元件表面测量点的微位移；数据处理系统利用质心算法计算激光光斑的位置，控制高精度三维位移平台实现二维扫描测量并计算被测元件表面平面度。本发明的优点在于：测量装置利用激光三角法位移测量原理实现非接触测量，原理简单易于实现，且工作距离可调，使得该装置具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN103308008A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251775.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明公开了一种低温状态下元件平面度的测量装置及测量方法，测量装置包括激光器、汇聚光学系统、成像光学系统、光电探测器、高精度三维位移平台、专用杜瓦、杜瓦支架、光学避震平台及数据处理装置；被测元件安放于专用杜瓦中；激光器发出的光束通过汇聚光学系统垂直入射于被测元件表面，成像光学系统和光电探测器对激光光斑成像，利用激光三角法测量被测元件表面测量点的微位移；数据处理系统利用质心算法计算激光光斑的位置，控制高精度三维位移平台实现二维扫描测量并计算被测元件表面平面度。本发明的优点在于：测量装置利用激光三角法位移测量原理实现非接触测量，原理简单易于实现，且工作距离可调，使得该装置具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN103149236A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310039532.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种低温下材料线膨胀系数的测量方法及装置，它涉及材料热物理性能的测试与表征领域，该方法通过专用变温杜瓦实现液氮温度至300K温度区间内，标准材料和待测材料组成的叠状双层结构样品上温度的控制，利用三维坐标测量系统对各个温度点下双层结构的表面进行坐标扫描，获得需测量温度点处双层结构中心处的最大挠度形变值，结合双金属效应的挠度理论计算公式，由标准已知的材料参数推导出待测材料相应温度时的线膨胀系数。本发明方法原理简单、样品制备容易，测试量直观、易于测量，测试装置搭建不繁琐，具有很强的可操作性和实用性。
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