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公开(公告)号：CN119861520A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510082706.5
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及光学器件技术领域，具体公开一种静电驱动MEMS法布里‑珀罗滤波器的制备方法，采用SOI晶圆作为第一基底，利用其顶层硅作为MEMS法布里‑珀罗滤波器的驱动结构，可以精确调整悬臂的厚度以及其机械特性，同时该SOI晶圆的二氧化硅绝缘层也可以作为停刻层，避免过度刻蚀的情况，进一步提高了该滤波器的制造良率。刻蚀键合层和SOI晶圆二氧化硅绝缘层时，采用高级氧化物刻蚀和反应离子刻蚀相结合的刻蚀方法，综合了各向同性和各向异性，克服单一工艺的局限性，本发明通过将驱动结构和固定结构进行错位键合，在图案化键合金属的时候留出一定线性偏移的错位量，采用金锡共晶键合，解决顶部和底部电极引出的问题，降低了加工的成本和不确定性。
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公开(公告)号：CN118888635A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410927171.2
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0288 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种界面电场可调的阻挡杂质带甚长波红外探测器外延方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，衬底温度设置为570～590℃，Ga源温度为650～670℃；同时打开硅电子束的挡板和镓源的挡板，进行吸收层的外延；生长吸收层后，同时关闭Ga挡板、关闭衬底挡板、改变衬底温度在560～660℃范围内，进行阻挡层的外延，实现不同的界面宽度。在外延高掺阻挡层时，基于不同衬底温度，可以实现界面浓度渐变梯度，从而实现界面宽度可调。分子束外延的温度整体偏低，因此可以降低长时间外延导致大的扩散宽度影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113241386A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110409635.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅掺镓阻挡杂质带中长波红外探测器及制备方法。器件的结构器件自下而上依次为衬底，负电极接触层，吸收层，阻挡层，介质层，正电极接触区位于阻挡层左侧并嵌于其中，正电极位于正电极接触区上方，负电极沿着“V”型孔侧壁深及衬底。制备步骤是利用分子束外延法生长负电极接触层、吸收层和阻挡层，离子注入工艺制备正电极接触区，通过光刻、刻蚀和电子束蒸镀工艺制备正负电极，最后刻蚀光敏区氮化硅完成器件制备。利用硅掺镓作为中长波红外吸收层，本征硅作为阻挡层抑制暗电流，实现对中长波红外的高性能探测。本发明的特点是构造能级位置相对较深的镓杂质能级，制作工艺简单、工作温度高的中长波红外探测器。
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公开(公告)号：CN118888636B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410927375.6
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F30/21 , H10F77/1223 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10‑10Torr，将衬底加热至940‑960℃后，保持28‑32min，然后将衬底温度降低至550‑570℃，设置Ga源温度为680‑700℃，调节硅源的电子束流为#imgabs0#打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；在吸收层外延结束后，衬底温度升高80‑100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900‑1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10‑10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。本发明通过控制生长束流、生长温度、阻挡层的生长方式，实现阻挡杂质带的结构。
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公开(公告)号：CN118888636A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410927375.6
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0288 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10‑10Torr，将衬底加热至940‑960℃后，保持28‑32min，然后将衬底温度降低至550‑570℃，设置Ga源温度为680‑700℃，调节硅源的电子束流为#imgabs0#打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；在吸收层外延结束后，衬底温度升高80‑100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900‑1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10‑10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。本发明通过控制生长束流、生长温度、阻挡层的生长方式，实现阻挡杂质带的结构。
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公开(公告)号：CN119758643A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510082813.8
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及光学MEMS微纳器件技术领域，具体公开一种具有双增透结构的MEMS法布里‑珀罗滤波器，其包括依次设置的微结构、驱动结构、上布拉格反射镜、下布拉格反射镜、补偿结构和衬底；所述下布拉格反射镜具有第一低折射率薄膜层，所述补偿结构与所述第一低折射率薄膜层的材质相同；所述补偿结构和第一低折射率薄膜层的厚度相同；所述微结构和补偿结构构成双增透结构。该补偿结构提高下布拉格反射镜的反射率，同时补偿下布拉格反射镜的应力，使得平整度增加，增加法布里‑珀罗腔内光能的利用率；两者共同作用使整个MEMS法布里‑珀罗滤波器透射光谱的透射率得到提升，滤波质量得到大幅提升。
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公开(公告)号：CN215377427U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120778463.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种硅掺镓阻挡杂质带中长波红外探测器。器件的结构器件自下而上依次为衬底，负电极接触层，吸收层，阻挡层，介质层，正电极接触区位于阻挡层左侧并嵌于其中，正电极位于正电极接触区上方，负电极沿着“V”型孔侧壁深及衬底。制备步骤是利用分子束外延法生长负电极接触层、吸收层和阻挡层，离子注入工艺制备正电极接触区，通过光刻、刻蚀和电子束蒸镀工艺制备正负电极，最后刻蚀光敏区氮化硅完成器件制备。利用硅掺镓作为中长波红外吸收层，本征硅作为阻挡层抑制暗电流，实现对中长波红外的高性能探测。本专利的特点是构造能级位置相对较深的镓杂质能级，制作工艺简单、工作温度高的中长波红外探测器。
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