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公开(公告)号：CN118888636B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410927375.6
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F71/00 , H10F30/21 , H10F77/1223 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10‑10Torr，将衬底加热至940‑960℃后，保持28‑32min，然后将衬底温度降低至550‑570℃，设置Ga源温度为680‑700℃，调节硅源的电子束流为#imgabs0#打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；在吸收层外延结束后，衬底温度升高80‑100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900‑1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10‑10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。本发明通过控制生长束流、生长温度、阻挡层的生长方式，实现阻挡杂质带的结构。
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公开(公告)号：CN119789772A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411874405.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹光电探测技术领域，提供一种室温太赫兹霍尔整流器及其制备方法。本发明的室温太赫兹霍尔整流器包括基底层、吸收层和仿氧化介质保护层，基底层和吸收层层叠设置；吸收层包括分散设置的钽镍碲层和端金属电极层；端金属电极层的个数为4个；4个端金属电极层按横向和纵向对称分布；钽镍碲层位于4个端金属电极形成的区域的中心。本发明利用钽镍碲的铁电极化表面态相关联的可在室温以上持续存在的非线性霍尔效应，构建了一种无需使用半导体结和偏置电压的、不受热电压阈值和转变时间限制的电流整流器，本发明的整流器具有零阈值电压、快速响应、宽带频率探测的优点，并能实现对微弱电磁波信号的高效收集。
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公开(公告)号：CN113964235B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111127775.1
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/075
Abstract: 本发明公开了一种原子层厚度调控二维材料PtSSe掺杂特性的方法。本方法通过机械剥离减薄二维材料PtSSe，随着原子层厚度的减薄，二维原子层材料的掺杂类型从p型转变成i型，继而转变成n型，载流子浓度从1012cm‑2变化到1011cm‑2。可控掺杂关键点是制备不同厚度的二维材料，随着二维材料厚度的变化，材料中发生应力变化，使得二维材料PtSSe点缺陷种类发生变化，实现二维材料掺杂。而且，二维材料PtSSe的厚度仅改变0.8nm，掺杂浓度发生明显变化，实现了二维材料原子层厚度的掺杂。本发明的优点在于简单、无损伤、单原子层可控地实现了二维原子层半导体材料掺杂类型和掺杂浓度的连续变化。
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公开(公告)号：CN116344638A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310121241.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/0203 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种复眼结构柔性红外探测器及其制备方法和应用。在本发明中，层叠设置的二维半导体层和零维半导体层构成低维半导体异质结，利用低维半导体异质结的大杨氏模量和应力下的高稳定性，进而提高了柔性探测器的稳定性能；通过和曲面微透镜的有效耦合，得到了高稳定性、宽谱探测、大线性动态范围和动目标探测灵敏的复眼结构柔性红外探测器。
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公开(公告)号：CN116207166A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310150843.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/112 , H01L31/18 , G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种集成式可配置超高圆偏振消光比光电探测器及制备方法。该器件包括金属反射层、电介质层、电极层以及二维材料层；电极层包括对称设置的分别与源极和漏极集成的互为相反手性的Z型金属光学天线阵列；该器件工作在零偏压状态，光响应来自于源、漏电极与二维材料构成的肖特基结诱导的光伏效应、热电子注入、光热电效应等；通过移动入射光斑配置源、漏电极处两组光学天线阵列接收入射光的强度比，可以在任一特定旋向的旋光照射下，使源、漏极产生大小相等、方向相反的光电流，从而使净输出光电流为零，且噪声下降1到2个量级；而在另一旋向的旋光照射下，稳定输出光电流。本发明在一定的波长范围内都具有超高的圆偏振光分辨能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115911159A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310062812.8
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0392 , H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法，属于红外探测技术领域。本发明提供的基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器包括红外探测器基体、源电极和漏电极和封装层；所述红外探测器基体包括依次层叠的聚酰亚胺衬底、栅电极层、栅氧化层和黑磷层；所述源电极和漏电极位于所述黑磷层表面；所述封装层位于所述红外探测器基体的黑磷层一侧、覆盖所述红外探测器基体且裸露出所述源电极和漏电极。在本发明中，聚酰亚胺衬底柔性高，热导率低，在红外光照射下衬底的温度升高，产生热效应增强了光子的散射，从而降低了载流子的迁移率，由此产生的负光电导降低了黑磷晶体管在开态时的电流，显著提高了红外探测器的光响应率。
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公开(公告)号：CN111272217B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010052428.6
申请日：2020-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用分形结构提取紫外至长波红外激光光斑的方法。该方法利用光的波动性对波长进行分辨：同一波长的电磁波对不同尺度的结构的反射及透射不同，不同波长的电磁波对某一特定尺度的结构的反射及透射也不同。该方法还利用了分形结构的自相似性，来构造分别适用于超宽光谱的结构，并将电磁波对不同尺度的结构的反射的不同转化为了空间位置的不同。通过测量不同位置的反射特征，并结合分形结构的自相似性理论，对数据进行分析，得到激光光斑大小信息、激光波长信息。通过对多个水平方向的测量，可以得到激光的光斑形状。本专利的优点是结构简单，可以提取波长从70nm到14μm范围内的激光波长和光斑尺寸信息。
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公开(公告)号：CN113517371A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110392526.9
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0272 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种黑体灵敏的室温低维碲红外光电探测器及制备方法。其器件结构自下而上依次为是衬底、低维的纳米半导体，覆盖在器件两端的金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的碲(Te)纳米线或者纳米片转移到具有氧化物层的硅衬底上，运用激光直写或者电子束光刻的方法，结合热蒸发工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构，成为低维纳米光电探测器。器件首先需要在源极和漏极间施加一小电压，通过黑体光源光照下的电流信号变化，进而实现黑体探测。该黑体灵敏探测器具有室温工作、黑体灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。
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公开(公告)号：CN112129787A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010966408.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜及制备方法。利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，实现了高效、可靠地制备高质量的TEM样品。利用PPC的物理特性，在微区转移平台的辅助下，可以定点地对目标样品进行微区精准操作。这种全新的方法无须使用强酸强碱进行腐蚀，转移过程中不会对材料和碳膜造成损伤。该工艺适用于不同类型的材料，包括薄膜材料、二维材料、纳米线等。本发明的优点在于精准定点转移、无水接触、样品损伤小、有机残留少、适用面广、成本低、效率快、成功率高。
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公开(公告)号：CN105514157A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610019754.0
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/205 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/0684 , H01L29/122 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。
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