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公开(公告)号：CN104882455A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510296105.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及微透镜阵列的制备方法。背照式紫外焦平面探测器由以下几个部分组成：紫外光敏元阵列芯片、读出电路、混成互连铟柱、微透镜阵列。微透镜阵列在紫外光敏元阵列芯片的宝石片衬底上采用光刻胶光刻、高温成型、等离子体刻蚀等步骤加工形成。本发明的优点是：集成微透镜阵列之后，紫外光敏元的面积可以大幅度减少，从而使紫外光敏元具有高的零偏压动态电阻R0和小的结电容，从而有利于减小读出电路的噪声以及提高紫外探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN102201484B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110117457.7
申请日：2011-05-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。
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公开(公告)号：CN101335308B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810041159.2
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及的探测器具有p-i-n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探测等优点。
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公开(公告)号：CN101075647A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710041610.6
申请日：2007-06-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器，它利用复合探测材料AlGaN/PZT的双波段吸收特性，同时实现紫外光和红外光的探测。入射光束先经过AlGaN PIN结构，能量较高的紫外光被吸收，转化为紫外光电流；能量较低的红外光透过蓝宝石衬底，被PZT铁电薄膜吸收，形成的光电流通过铟柱倒焊接出。本发明的双波段探测器充分利用了不同材料的探测优势，实现了两个波段的同时探测；同时，此探测器工作于室温，简便易用。
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公开(公告)号：CN113054057A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110263201.0
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法。该工艺方法包括以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液，对洁净的氮化镓及氮化镓三元合金进行第一次钝化；第一次钝化清洗后外延生长二氧化硅或氮化硅薄膜进行第二次钝化；器件成型后以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液进行第三次钝化。使用本发明的钝化工艺有效降低氮化镓及氮化镓三元合金器件的表面漏电流和暗电流，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101976697A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010284488.7
申请日：2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开一种具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一AlGaN吸收层，该吸收层生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，对电极部分进行电隔离；一底电极，该底电极生长在介电绝缘层及其开孔处；一热释电薄膜层，该热释电薄膜层生长在底电极上；一金属上电极，该金属上电极与下电极交叉成十字或丁字形状等，上下电极重合面积位于介电绝缘层开孔处，为热释电薄膜层功能区。本发明的器件结构利用AlGaN薄膜作为紫外吸收层，利用紫外光吸收-热传递-热释电响应的过程避免了高铝组分AlGaN欧姆接触制备的困难，实现了热释电器件的紫外响应，突破了热释电器件响应波段的限制。
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公开(公告)号：CN101527308B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN101777424A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101878.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
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公开(公告)号：CN101752087A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010101879.0
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF有机聚合物薄膜电容器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一金属底电极，该金属底电极生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，将部分金属底电极包裹起来；一有机聚合物薄膜，该有机聚合物薄膜生长在介电绝缘层开孔处，面积略大于开孔面积；一金属上电极，该金属上电极生长在有机聚合物薄膜上；一包裹电极，该包裹电极生长在金属上电极上，将有机聚合物薄膜与金属上电极包裹起来。本发明的器件结构利用介电层隔离上下电极，并利用上电极作为PVDF薄膜光刻掩膜，最终利用包裹电极将PVDF有机聚合物薄膜侧面保护起来，方便后续传统工艺的实施，使其可与其他器件集成制备，不受传统工艺的限制。
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公开(公告)号：CN100524842C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710041610.6
申请日：2007-06-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器，它利用复合探测材料AlGaN/PZT的双波段吸收特性，同时实现紫外光和红外光的探测。入射光束先经过AlGaN PIN结构，能量较高的紫外光被吸收，转化为紫外光电流；能量较低的红外光透过蓝宝石衬底，被PZT铁电薄膜吸收，形成的光电流通过铟柱倒焊接出。本发明的双波段探测器充分利用了不同材料的探测优势，实现了两个波段的同时探测；同时，此探测器工作于室温，简便易用。
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