公开(公告)号：CN114551642A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210123432.6

申请日：2022-02-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 魏彦锋 ,  孙权志 ,  李珣 ,  林春 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/02 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。

公开(公告)号：CN114551642B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202210123432.6

申请日：2022-02-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 魏彦锋 ,  孙权志 ,  李珣 ,  林春 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/02 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。