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公开(公告)号：CN114551642A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210123432.6
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
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公开(公告)号：CN113299671B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110265605.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器，通过在红外单色焦平面探测器衬底上原位集成超表面相控阵列，使宽谱段的红外光在透过超表面相控阵列后发生折射，折射角与光的波长一一对应，然后入射到红外单色焦平面探测器对应的亚像元位置，第一亚像元、第二亚像元、第三亚像元分别接收到不同信号，超像素单元输出单元信号，利用图像合成方法得到彩色图像。该探测器具有信号串扰小、结构简单、集成度高，利用超表面相控阵列和红外单色焦平面探测器生成红外彩色图像的优点。
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公开(公告)号：CN108807567A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810959729.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/022408
Abstract: 本发明公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。
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公开(公告)号：CN103852174B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410020965.7
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明公开了一种具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路，该电路通过采用具有记忆功能的背景抑制电路模块，首先将2×2排列的四个像元背景电流的平均电流进行复制记忆，然后将这个电流作为四个像元的背景电流从光电流中减去，最后通过使用高增益共享式负反馈运放的SBDI前置输入级电路模块积分得到一个电压信号，并通过采样保持电路模块将该信号采样到采样电容上，最后通过单位增益输出级模块将模拟信号输出。该电路实现了对不同像元背景电流的记忆，并在信号处理之前减去了背景电流，有效延长了积分时间，增加了对比度，提高了输出信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN104889573A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510295613.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K26/364
Abstract: 本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法，它包括以下步骤：1、利用作图软件绘制切割路径，保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上，调节样品位置和水平，使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数：波长：532nm/1064nm；脉宽：10ps～20fs；输出功率：10～200mW；扫描速度：200～2000mm/s；重复频率：500～1500Hz；重复次数：10～100次。4、样品切割。使用本发明进行碲镉汞薄膜切割能够获得宽度较窄、机械损伤小、边缘光滑、内部干净的切割槽，且操作简单，提高了工艺可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102820308B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210273991.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/498 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种双波段线列红外焦平面探测器集成结构，它由拼接基板、波段一子模块、波段二子模块、集成薄膜引线等部件构成，其中位于之间的偶数子模块的引出线，通过集成引线偶数子模块连接端穿越基板背面引线穿越凹槽和基板上的穿越通槽实现的。整个探测器为模块化、装配式设计，具有可生产性。
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公开(公告)号：CN102252759A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110063617.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有数字输出的红外焦平面读出集成电路，它属于集成电路设计技术领域。集成电路技术特征在于：该读出集成电路配置了模数转换电路，探测器光电流通过DI输入级电路积分得到一个电压信号，并通过列放大器将该信号送到采样保持电路，模数转换器将采样信号进行模数转换，并将转换结果按一定次序输出，实现了红外焦平面读出电路和模数转换器的单片集成，提高了红外成像系统的集成度，降低了系统批量生产成本，同时优化的模数转换器结构和读出方式具有更低的功耗和更小的面积，优化的读出结构具有更高的读出速度。
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公开(公告)号：CN101894847B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010182364.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音和提高响应率的优点，而且还能通过将微透镜列阵与前视光场耦合界面迁移到红外镜面窗口位置，以减小受衍射极限限制的光敏元尺寸。这解决了微凸镜列阵型红外焦平面探测器受红外衍射极限严重限制的缺点。同时，折射率合适的低温环氧胶、二氧化硅和硫化锌等多种材料，都能方便地制作浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的红外镜面窗口。因而本发明具有结构合理和可制作性好的特点。
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公开(公告)号：CN101719505B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198961.7
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN101740502B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910198967.4
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。
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