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公开(公告)号：CN114006263B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202111268114.0
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种硅基集成的外腔窄线宽激光器，包括：硅衬底，上表面为外延生长区；增益芯片，通过异质外延或异质键合于外延生长区的一端；多模干涉波导结构，外延生长于外延生长区内，输入端与增益芯片的反馈光端面相对；反射结构，设于外延生长区的一端，与多模干涉波导结构的输出端耦合。该激光器不仅可以实现单模选择，由于多模干涉波导结构3的端面形成的外腔结构，还可以实现线宽压窄。
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公开(公告)号：CN115733558A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211395099.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/61 , H04B10/50 , H04B10/556 , H04B10/63
Abstract: 本公开提供了一种激光通信方法、激光通信接收端、发射端和激光通信系统，应用于接收端的方法包括：利用第一望远镜接收发射端发射的目标光信号；利用第一偏振分束器处理目标光信号，得到第一偏振光和第二偏振光；针对第一偏振光和第二偏振光中的任一偏振光，利用第一光分波器处理偏振光，得到多个波长不同的第一分信号；针对每两个波长相同的第一分信号，利用平衡探测装置处理两个第一分信号，得到传输子信号，其中，传输信号包括多个不同波长的传输子信号；利用数字信号处理器处理多个传输子信号，得到传输信号。
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公开(公告)号：CN114006263A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111268114.0
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种硅基集成的外腔窄线宽激光器，包括：硅衬底，上表面为外延生长区；增益芯片，通过异质外延或异质键合于外延生长区的一端；多模干涉波导结构，外延生长于外延生长区内，输入端与增益芯片的反馈光端面相对；反射结构，设于外延生长区的一端，与多模干涉波导结构的输出端耦合。该激光器不仅可以实现单模选择，由于多模干涉波导结构3的端面形成的外腔结构，还可以实现线宽压窄。
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公开(公告)号：CN105895591A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610456769.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/13 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/13
Abstract: 本发明提供了一种用于芯片定位贴片的热沉部件及贴片方法，所述热沉部件包括一热沉基板，该热沉基板上有多个凹槽，分别用于贴装多个芯片，所述凹槽的形状及尺寸与需要贴装的激光器芯片的形状及尺寸相匹配，采用该热沉部件及贴片方法高了芯片贴片的定位精度和贴片效率。
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公开(公告)号：CN103557936A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310529170.4
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种激光功率监测组件及应用其的激光发射模块、光放大器。该激光功率监测组件包括：纳米线光栅，具有一定厚度，其前表面具有光栅结构，激光以入射角α由其背面入射，在光栅结构作用下，部分入射激光由该纳米线光栅厚度方向引出；以及光探测器，其光敏面正对纳米线光栅的厚度方向设置，用于探测由纳米线光栅厚度方向出射激光的功率。本发明通过加入纳米线光栅，将预设比例的入射激光引入偏离入射方向的侧面，由放置于侧面的光探测器来侦测激光功率，由该激光功率可以得出整个入射激光的功率，金属纳米线光栅和光探测器均不会阻挡入射激光，方便了光探测器的布局。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709811A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210208573.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器，包括在光路上依次设置的半导体激光器(a)、准直透镜(b)、偏振棱镜(c)、第一1/4波片(d)、F-P标准具(e)、第二1/4波片(f)、前腔面反射镜(g)、隔离器(h)、聚焦透镜(i)和光纤(j)。本发明提供的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器，能够有效压窄光源线宽，且通过互注入实现该外腔半导体激光器的频率自锁定。
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公开(公告)号：CN102135652A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110103766.9
申请日：2011-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/44
Abstract: 一种多层光纤收集装置，包括：一圆形底座；一中轴，该中轴垂直固定在圆形底座一面的中心；多个圆形同轴托盘，该多个圆形同轴托盘通过轴承均匀装配在中轴上，每个圆形同轴托盘均可围绕中轴独立的旋转；多个光纤绕盘，该多个光纤绕盘的断面为T形，该多个光纤绕盘等角度的固定在圆形同轴托盘上，便于光纤的缠绕。
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公开(公告)号：CN101202418A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610165108.1
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，包括：一热沉；一第一信号电极蒸镀在热沉的一侧，用来给电吸收调制激光器提供工作时DFB激光器所需要的偏置电流；一第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，用来给电吸收调制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压和高频调制信号；一薄膜电阻制作在热沉上，位于第二信号电极的一侧，并与第二信号电极连接；一地电极蒸镀在热沉表面，形状概似一倒T型结构，该地电极与薄膜电阻连接；一旁路电容制作在地电极上，靠近第一信号电极，该旁路电容的作用是将DFB激光器和EA调制器之间存在的耦合电信号导入到地。
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公开(公告)号：CN115987396A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211588871.0
申请日：2022-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 珠海光库科技股份有限公司
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04Q11/00 , G02B6/43 , G02B6/42
Abstract: 本公开提供一种基于光子引线键合的可编程集成光芯片，包括：基板；多功能器件单元，包括多种功能器件，所述多种功能器件集成于所述基板上并可通过可擦除的光子引线键合连接；电控模块，通过金丝引线能够与任意的功能器件进行连接，以实现光芯片的不同功能。所述多功能器件单元包括：激光器模块、调制器模块、放大器模块、探测器模块、光路由模块、光滤波模块、矩阵算法模块、波导模块，共同集成于所述基板上并通过可擦除的光子引线键合连接。
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公开(公告)号：CN115047571A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210735681.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光探测器芯片镀膜结构，包括：光探测器芯片，折射率梯度区和增透膜；光探测器芯片包括光敏面；折射率梯度区形成于光敏面上，折射率梯度区包括沿预设方向折射率依次增大的多层膜，预设方向为自折射率梯度区至光探测器芯片的延伸方向；增透膜设置于折射率梯度区上。本发明实施例提供的光探测器芯片镀膜结构，通过设置折射率梯度区，即沿预设方向折射率依次增大的多层膜结构，能够将外部光束耦合至光探测器中，同时使得耦合至光探测器芯片光敏面的光束近似平行，耦合效率较高。
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