公开(公告)号：CN108091646A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711453233.7

申请日：2017-12-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 闫建昌 ,  刘春岩 ,  郭亚楠 ,  崔志勇 ,  王兵

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/48

Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。

公开(公告)号：CN108091646B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201711453233.7

申请日：2017-12-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 闫建昌 ,  刘春岩 ,  郭亚楠 ,  崔志勇 ,  王兵

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/48

Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。