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公开(公告)号：CN108091646A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711453233.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。
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公开(公告)号：CN103486474A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310447405.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统，包括：多路投影系统，用于提供室内投影式照明系统的投射光线；控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信；多路反射系统，用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述系统通过设置多组投影光路和多个反射面来放大光斑和调整光斑形状。同时，在投影系统中的增加了散热部件，可更大程度的降低系统热量。本发明既节省了传统照明设备中灯具透镜和反射器所占用的空间，又为提供了更大的照明灵活性。
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公开(公告)号：CN102903815A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210380553.5
申请日：2012-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入层上；一N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层生长在下衬底上；一P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。
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公开(公告)号：CN102214740A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110136242.X
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层上生长N型掺杂的氮化镓层；在该N型掺杂的氮化镓层上生长氮化铝镓铟多量子阱发光层；在该氮化铝镓铟多量子阱发光层上生长P型掺杂的氮化铝镓铟层；以及在该P型掺杂的氮化铝镓铟层上生长P型掺杂的氮化镓层。利用本发明，可以调制外延层中因为晶格失配带来的应力，同时使GaN外延层中的位错转向、合并，从而降低后续生长的外延层中穿透位错的密度，改善材料质量，提高发光二极管的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN102534769B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210075720.5
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一第一非故意掺杂氮化镓层；步骤5：在第一非故意掺杂氮化镓层上生长一第二非故意掺杂氮化镓层；步骤6：在第二非故意掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明可以使得氮化镓外延层有较低的缺陷密度一尤其是穿透性位错缺陷，因此能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有很宽的生长工艺窗口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101812725A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010145087.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。
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公开(公告)号：CN108091646B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201711453233.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。
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公开(公告)号：CN103730558B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310750549.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括：衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分的n型GaN层被刻蚀形成台阶；p型复合透明导电层，形成于发光二极管未经刻蚀一侧的p型GaN层上，自下而上依次包括：ITO透明接触层、ZnO基电流扩展层、ITO导光层；p型金属电极层和n型金属电极层，分别形成于发光二极管未经刻蚀一侧的ITO导光层上和发光二极管被刻蚀一侧的台阶上。本发明提高了透明导电层的抗腐蚀能力，进而提高整个发光二极管器件的合格率。
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公开(公告)号：CN103470992B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310449655.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种投影式照明系统，其包括：投影系统，用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信，反射系统，用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影原理将基础光线投影至反射系统，利用该投影区域作为照明光源，经反射后的光线用于普通照明或特殊照明。该系统能够为照明环境提供最佳的灵活性，而高效光源和投影系统为该系统提供了足够的光利用效率。
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公开(公告)号：CN103470992A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310449655.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种投影式照明系统，其包括：投影系统，用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信，反射系统，用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影原理将基础光线投影至反射系统，利用该投影区域作为照明光源，经反射后的光线用于普通照明或特殊照明。该系统能够为照明环境提供最佳的灵活性，而高效光源和投影系统为该系统提供了足够的光利用效率。
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