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公开(公告)号：CN113270314A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110522423.X
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/268 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , B01J27/24 , B01J35/10 , B01J37/34 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：将掺杂的Ⅲ族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，制备具有纵向纳米孔结构的Ⅲ族氮化物；刻蚀所得纵向纳米孔结构的Ⅲ族氮化物至预设深度，制备具有锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物。本发明可成功制备具有锥形纳米结构的Ⅲ族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小、腐蚀时间的长短以及刻蚀过程中的预设刻蚀深度，可实现锥形结构底面直径和高度的调控，方法简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN112002788A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010918413.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物基分布式布拉格反射镜及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、多组叠层结构，每组叠层结构分别为由n型掺杂氮化物层和非故意掺杂氮化物层以固定厚度交替生长而形成的多周期性结构，且各组所述叠层结构之间的周期厚度不同；将所得结构表面沉积或生长一层保护层；自保护层沿着朝向衬底的方向刻蚀直至多组叠层结构的侧壁完全暴露；将所得结构作为阳极进行电化学腐蚀，n型掺杂氮化物层被腐蚀成多孔层，第一非故意掺杂氮化物层不会被腐蚀而成为无孔层，然后去除保护层后得到分布式布拉格反射镜(DBR)。本发明可实现III族氮化物基DBR高反射率和宽反射带宽和波长范围的调控，方法简单且易操作。
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公开(公告)号：CN111785818A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010666456.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/22 , G02B6/122
Abstract: 一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明与现有大多数GaN基波导不同，本发明采用了多孔下包层，由于多孔材料能提供比单层AlGaN下包层更大的折射率差，该结构对传输的光场模式有更好的限制作用，从而降低光场向衬底方向的泄露。
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公开(公告)号：CN109440180A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811182263.3
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。
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公开(公告)号：CN111834889B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010719942.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗粒层，形成于所述回音壁谐振腔的侧壁上，用于产生等离激元。本发明采用底部多孔DBR层反射镜对回音壁谐振腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，因而该发明制备的回音壁光泵激光器阈值功率密度较低；此外，包裹在回音壁谐振腔侧壁的金属颗粒会产生等离激元将回音壁模式的光场更好的限制在谐振腔中，进一步降低了阈值功率密度，本发明有助于实现小尺寸低阈值激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109440180B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811182263.3
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。
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公开(公告)号：CN111834889A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010719942.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗粒层，形成于所述回音壁谐振腔的侧壁上，用于产生等离激元。本发明采用底部多孔DBR层反射镜对回音壁谐振腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，因而该发明制备的回音壁光泵激光器阈值功率密度较低；此外，包裹在回音壁谐振腔侧壁的金属颗粒会产生等离激元将回音壁模式的光场更好的限制在谐振腔中，进一步降低了阈值功率密度，本发明有助于实现小尺寸低阈值激光器。
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公开(公告)号：CN111785818B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010666456.7
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/00 , H01L23/367 , H01S5/024 , H01S5/20 , H01S5/22 , G02B6/122
Abstract: 一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔下包层上。本发明与现有大多数GaN基波导不同，本发明采用了多孔下包层，由于多孔材料能提供比单层AlGaN下包层更大的折射率差，该结构对传输的光场模式有更好的限制作用，从而降低光场向衬底方向的泄露。
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公开(公告)号：CN112713507A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911016481.4
申请日：2019-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于多孔DBR的GaN基回音壁激光器、其制备方法及应用，该GaN基回音壁激光器包括一衬底；一缓冲层，其设置在衬底上，缓冲层的外围向下刻蚀形成一凸起部分；一多孔DBR层，其设置在所述凸起部分上，起光场限制作用；一n型掺杂GaN层，其设置在多孔DBR层上；一有源层，其设置在n型掺杂GaN层上；一电子阻挡层，其设置在有源层上；以及一p型掺杂GaN层，其设置在电子阻挡层上。本发明采用的底部多孔DBR反射镜对回音壁微腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，不会造成部分光场向衬底方向的泄露，制备的回音壁激光器阈值功率密度较低。
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公开(公告)号：CN111785816A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010638191.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于DBR的量子点谐振腔器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的上；电流扩散层，位于所述缓冲层上；多孔DBR层，位于所述n-GaN电流扩散层上，作为谐振腔底部反射镜；相位调整层，位于所述多孔DBR层上，用于调整谐振腔内部电场分布，增大谐振腔的谐振效果；量子点有源层，位于所述相位调整层上；量子点保护层，位于所述量子点有源层上；以及介质层，多周期结构，位于所述量子点保护层上，作为谐振腔顶部反射镜。
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