公开(公告)号：CN103066195A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310030351.2

申请日：2013-01-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李智 ,  张逸韵 ,  程滟 ,  赵勇兵 ,  刘志强 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明公开了一种应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管，包括：衬底，该衬底上下表面均覆盖有绝缘层，绝缘层表面各有一层金属线层；LED芯片，该LED芯片由下至上依次包括外延衬底、成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层，以及对空穴注入层、发光层和电子注入层进行部分刻蚀后在空穴注入层之上形成的p电极和在电子注入层之上形成的n电极；该LED芯片在剥离完外延衬底后倒装键合在所述衬底上，该LED芯片的p电极和n电极与所述衬底上表面的金属线层相连接；以及导热层，形成于该LED芯片在剥离完外延衬底后的成核层之上。本发明利用石墨烯优越的导电性能，使得部分热量可以经由石墨烯导热层传递到衬底上，增加了器件的导热通道，提高了散热效果。

公开(公告)号：CN102956774B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210436128.3

申请日：2012-11-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程滟 ,  汪炼成 ,  刘志强 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。

公开(公告)号：CN102956774A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210436128.3

申请日：2012-11-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程滟 ,  汪炼成 ,  刘志强 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。

公开(公告)号：CN103227250A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310163419.4

申请日：2013-05-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程滟 ,  詹腾 ,  郭金霞 ,  李璟 ,  刘志强 ,  伊晓燕 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36

Abstract: 一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀在N型GaN层上形成凹槽；在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层；在其表面制作一层柔性透明导电层；去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来；在透明电极层上制备P电极；在凹槽内的N型GaN层上制备N电极。

公开(公告)号：CN102983234A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210513689.9

申请日：2012-12-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程滟 ,  汪炼成 ,  刘志强 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，包括：步选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底，及在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上制备金属层；在金属层上转移一衬底；将外延结构中的蓝宝石衬底从非故意掺杂氮化镓层分离；腐蚀，将非故意掺杂氮化镓层向下腐蚀，腐蚀深度到达金属层，形成分离金字塔型阵列；在金字塔型阵列的侧面涂覆绝缘材料；用等离子体处理涂覆绝缘材料，使金字塔型阵列上端的非故意掺杂氮化镓层暴露出来；在涂覆绝缘材料和非故意掺杂氮化镓层的上面沉积一层透明导电薄膜；在透明导电薄膜上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。